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國立臺灣大學 化學工程學研究所 謝國煌所指導 潘韵文的 1,3-及1,4-雙取代咔唑單體與矽苯衍生物共聚高分子之合成及其於高分子有機發光二極體之應用 （2016），提出sp3混成軌域關鍵因素是什麼，來自於高分子發光二極體、高三重態能隙、咔唑、矽苯衍生物、鈴木-宮浦反應。
而第二篇論文淡江大學 化學學系博士班 王伯昌所指導 陳玉娟的 不同石墨烯奈米帶的尺寸效應、三角形扶手型石墨烯吸附銀離子及缺陷去吸附重金屬離子之電性研究 （2016），提出因為有 石墨烯奈米帶、吸附、缺陷、尺寸效應的重點而找出了 sp3混成軌域的解答。
最後網站hybridization 化學則補充：混成 （hybridization）主要的概念是將多個原子軌域混合形成新的混成軌 ... The four sp3 orbitals are identical in shape, each one having a large lobe and a small ...
世界第一簡單有機化學
為了解決sp3混成軌域 的問題，作者長谷川登志夫 這樣論述：
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1,3-及1,4-雙取代咔唑單體與矽苯衍生物共聚高分子之合成及其於高分子有機發光二極體之應用
為了解決sp3混成軌域 的問題，作者潘韵文 這樣論述：
本研究乃利用N,N’-dicarbazolyl-2,5-benzene (mCP)及N,N’-dicarbazolyl-3,6- benzene (pCP)雙取代咔唑單體作為前驅物，並引入矽苯衍生物經由鈴木-宮浦 (Suzuki-Miyaura) 偶聯反應進行一系列共聚高分子之合成。目前被廣泛使用之磷光主發光體材料幾乎皆含有咔唑 (carbazole)基團，因咔唑擁有良好的電洞傳遞性質與較高的三重態能階。藉由矽原子sp3混成軌域之四面體結構可將共聚物當中之苯環間隔開來，進而中斷高分子主鏈之共軛效應，使高分子之三重態能隙提高並具有良好的熱穩定性質，又於矽苯衍生物側鏈引入巨大的取代基團能抑制分子
之相互堆疊，避免客發光體因自我聚集 (self-aggregation) 造成濃度焠熄 (concentration quench) 的現象。 由於多苯環結構剛硬且具有強π-π作用力，經熱示差掃描卡計及熱重分析儀之分析，共聚高分子皆有高玻璃轉移溫度與熱裂解溫度，且透過能量轉移實驗，其高三重態能隙亦可使能量有效傳遞至客發光體，此外，由電化學研究之結果顯示，高分子 mCP-SiCz 與 pCP-SiCz 擁有較高之 HOMO 能階，良好的電洞傳遞性質進而提升高分子發光二極體 (Polymer Light-Emitting Diode, PLED) 之效率。 藍色磷光元件以mCP-SiC
z混摻25 %之FIrpic與40 %之Si2OXD有最佳表現，其元件結構為ITO / PEDOT：PSS / mCP-SiCz：FIrpic 20 %：Si2OXD 40 % / Mg / Ag，最大亮度為5158 cd/m2，最高效率達8.32 cd/A。
不同石墨烯奈米帶的尺寸效應、三角形扶手型石墨烯吸附銀離子及缺陷去吸附重金屬離子之電性研究
為了解決sp3混成軌域 的問題，作者陳玉娟 這樣論述：
近年來石墨烯材料在電子材料應用上佔有十分重要的地位，因此尋求一個良好的理論計算方法來預測石墨烯材料其電子性質及應用極為重要。本篇以石墨烯為研究主軸，藉由理論計算提供資訊給實驗學者，打開石墨烯奈米帶的能隙，作為微電子材料的開關；另一方面，把三角扶手型缺陷石墨烯奈米帶當作新型吸附劑，來吸附重金屬離子。本研究分為三大部分，第一部分，不同尺寸與形狀的石墨烯的尺寸效應，其電子性質都會隨著碳數增加，其能隙降低。能隙的大小會隨著石墨烯奈米帶的形狀不同而有所差異。不同形狀石墨烯奈米帶進行外圍全取代時，當外圍氫原子數目相同，能隙與外圍雙鍵的數目成正比關係。當石墨烯分子結構彎曲，發現能隙也會有下降的趨勢。第二部
分，銀離子吸附上三角形扶手型石墨烯奈米帶，可以使其半導體性質轉變成金屬性，並計算出B-site(碳-碳鍵)為最佳吸附位置。第三部分，是利用三角扶手型缺陷石墨烯奈米帶，進行內圍氮、氧原子的化學修飾，實驗結果發現中間空缺可有效的吸附Fe2+、Co2+、Ni2+、Cu2+和Zn2+。