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ARM Mbed OS物聯網實戰應用超入門 - 使用Nucleo-64與MEB3.0多功能實驗板 - 最新版

為了解決mx-4的問題，作者董勝源 這樣論述：

　　1. Mbed OS物聯網免費平台，應用不同Cortex-Mx系列晶片上（必須含Mbed OS），網路可尋元件範例程式。 　　2. 免費KEIL評估版的MDK工具軟體，進行Debug偵錯功能。    　　3. 應用Nucleo-F072RB主控板，搭配多功能教學實習板MEB 3.0與Nucleo-64擴充板，在Keil的Debug環境下透過USB界面進行程式的模擬、偵錯及燒錄功能。 　　4.含大量範例程式，由淺入深內容十分紮實結構分明，敘述清楚而易懂，使學習門檻大大降低，非常實用教科書、工具書。 　　5.使用「MOSME 行動學習一點通」，登入會員與書籍序號後，

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利用非溶劑誘導相轉換法製備多孔性聚醚碸薄膜自模擬血清中選擇性清除蛋白質尿毒素對甲酚

為了解決mx-4的問題，作者江紹安 這樣論述：

目錄指導教授推薦書口試委員審定書致謝 iii摘要 vAbstract vii目錄 ix圖目錄 xiii表目錄 xix第一章 緒論 11.1 前言 11.2 血液透析之挑戰 31.2.1 尿毒素分子簡介 31.2.2 現有移除體內p-Cresol之方法 81.3 高分子包容薄膜 121.3.1 薄膜發展起源及簡介 121.3.2 PIM之薄膜本體材料選擇 191.3.3 PIM之塑化劑選擇 201.3.4 PIM之萃取劑選擇 221.3.5 薄膜設計理念 251.4 多孔薄膜製備 261

.5 相轉化法 271.6 靜電紡絲法 311.7 吸附現象 331.8 液相等溫吸附理論 341.8.1 Langmuir等溫吸附模型 341.8.2 Freundlich等溫吸附模型 351.9 溶血測試 361.10 研究動機與目標 38第二章 實驗部分 402.1 實驗儀器與藥品 402.1.1 實驗藥品 402.1.2 實驗儀器 412.2 實驗方法 422.3 實驗步驟 442.3.1 多孔性高分子包容薄膜製備 442.3.2 靜電紡絲纖維薄膜製備 452.3.3 孔隙度測試 45

2.3.4 批次等溫吸附實驗 462.3.5 掃流式薄膜吸附實驗 462.3.6 溶血測試 472.4 儀器分析 472.4.1 SEM分析 472.4.2 Contact angle分析 482.4.3 CFP分析 492.4.4 BET分析 492.4.5 FT-IR分析 502.4.6 TGA分析 502.4.7 HPLC分析 51第三章 結果與討論 523.1 薄膜性質分析與探討 523.1.1 SEM分析 523.1.2 接觸角分析 913.1.3 孔隙度分析 953.1.4 孔道大小分析

963.1.5 孔洞結構分析 973.1.6 FT-IR分析 1073.1.7 TGA分析 1083.2 批次等溫吸附 1123.3 動態掃流吸附 1183.4 溶血測試 128第四章 結論 130第五章 未來研究方向建議 133第六章 參考文獻 134圖目錄圖 1.2.1、p-Cresyl sulfate的形成路徑圖(Gryp et al., 2017) 6圖 1.3.1、DMHAA與酚的結合型式(Meng et al., 2015) 19圖 1.3.2、Cyanex 923、Amberlite LA-2、TOA及煤油

對苯酚的分配係數(Cichy et al., 2001) 23圖 1.5.1、非溶劑誘導相轉化示意圖(van de Witte et al., 1996) 28圖 1.5.2、澆鑄溶液浸泡非溶劑後之 (a)液液相瞬間混合示意圖； (b)液液相延遲混合示意圖(Guillen et al., 2011) 29圖 1.5.3、不同型之PIM的孔洞型態形成示意圖(Guillen et al., 2011) 31圖 1.6.1、靜電紡絲操作示意圖(Pham et al., 2006) 32圖 3.1.1、薄膜M1之上表面型態 55圖 3.1.2、薄膜M1之上表面型態

局部放大圖 55圖 3.1.3、薄膜M1之下表面型態 56圖 3.1.4、薄膜M1之下表面型態局部放大圖 56圖 3.1.5、薄膜M1之截面型態 57圖 3.1.6、薄膜M1之上表面截面型態局部放大圖 57圖 3.1.7、薄膜M1之下表面截面型態局部放大圖 58圖 3.1.8、薄膜M2之上表面型態 59圖 3.1.9、薄膜M2之下表面型態 60圖 3.1.10、薄膜M2之截面型態 60圖 3.1.11、薄膜M2之上表面截面型態局部放大圖 61圖 3.1.12、薄膜M3之上表面型態 63圖 3.1.13、薄膜M3之上表面型態局部放

大圖 63圖 3.1.14、薄膜M3之下表面型態 64圖 3.1.15、薄膜M3之下表面型態局部放大圖 64圖 3.1.16、薄膜M3之截面型態 65圖 3.1.17、薄膜M3之上表面截面型態局部放大圖 65圖 3.1.18、薄膜M3之下表面截面型態局部放大圖 66圖 3.1.19、薄膜M3之截面EDS元素分布(P:磷；C:碳；O:氧) 66圖 3.1.20、薄膜M4之上表面型態 67圖 3.1.21、薄膜M4之上表面型態局部放大圖 67圖 3.1.22、薄膜M4之下表面型態 68圖 3.1.23、薄膜M4之下表面型態局部放大圖

68圖 3.1.24、薄膜M4之截面型態 69圖 3.1.25、薄膜M4之上表面截面型態局部放大圖 69圖 3.1.26、薄膜M4之下表面截面型態局部放大圖 70圖 3.1.27、薄膜M4之截面EDS元素分布(P:磷；C:碳；O:氧) 70圖 3.1.28、薄膜M5之上表面型態 71圖 3.1.29、薄膜M5之上表面型態局部放大圖 72圖 3.1.30、薄膜M5之下表面型態 72圖 3.1.31、薄膜M5之下表面型態局部放大圖 73圖 3.1.32、薄膜M5之截面型態 73圖 3.1.33、薄膜M6之上表面型態 75圖 3.1.34

、薄膜M6之上表面型態局部放大圖 75圖 3.1.35、薄膜M6之下表面型態 76圖 3.1.36、薄膜M6之下表面型態局部放大圖 76圖 3.1.37、薄膜M6之截面型態 77圖 3.1.38、薄膜M6之上表面截面型態局部放大圖 77圖 3.1.39、薄膜M6之下表面截面型態局部放大圖 78圖 3.1.40、薄膜M7之上表面型態 78圖 3.1.41、薄膜M7之上表面型態局部放大圖 79圖 3.1.42、薄膜M7之下表面型態 79圖 3.1.43、薄膜M7之下表面型態局部放大圖 80圖 3.1.44、薄膜M7之截面型態 80圖

3.1.45、薄膜M7之上表面截面型態局部放大圖 81圖 3.1.46、薄膜M7之下表面截面型態局部放大圖 81圖 3.1.47、薄膜M7之截面EDS元素分布(P:磷；C:碳；O:氧) 82圖 3.1.48、薄膜M8之上表面型態 82圖 3.1.49、薄膜M8之上表面型態局部放大圖 83圖 3.1.50、薄膜M8之下表面型態 83圖 3.1.51、薄膜M8之下表面型態局部放大圖 84圖 3.1.52、薄膜M8之截面型態 84圖 3.1.53、薄膜M8之上表面截面型態局部放大圖 85圖 3.1.54、薄膜M8之下表面截面型態局部放大圖

85圖 3.1.55、薄膜M8之截面EDS元素分布(P:磷；C:碳；O:氧) 86圖 3.1.56、以電紡纖維覆蓋PIM之上表面型態(3小時) 87圖 3.1.57、以電紡纖維覆蓋PIM之下表面型態(3小時) 88圖 3.1.58、以電紡纖維覆蓋PIM之截面型態(3小時) 88圖 3.1.59、以電紡纖維覆蓋PIM上部截面型態局部放大圖(3小時) 89圖 3.1.60、以電紡纖維覆蓋PIM下部截面型態局部放大圖(3小時) 89圖 3.1.61、以電紡纖維覆蓋PIM之上表面型態(6小時) 90圖 3.1.62、以電紡纖維覆蓋PIM之下表面型態(6小時)

90圖 3.1.63、以電紡纖維覆蓋PIM之截面型態(6小時) 91圖 3.1.64、血栓形成過程(X. Liu et al., 2014) 92圖 3.1.65、M1-M4接觸角值 93圖 3.1.66、M5-M6接觸角值 94圖 3.1.67、蓋靜電紡絲膜之接觸角於不同時間的變化值 95圖 3.1.68、不同種類之氮氣吸脫附曲線示意圖(Thommes et al., 2015) 99圖 3.1.69、薄膜M1氮氣吸脫附曲線 100圖 3.1.70、薄膜M2氮氣吸脫附曲線 101圖 3.1.71、薄膜M3氮氣吸脫附曲線 101圖

3.1.72、薄膜M4氮氣吸脫附曲線 102圖 3.1.73、薄膜M5氮氣吸脫附曲線 102圖 3.1.74、薄膜M6氮氣吸脫附曲線 103圖 3.1.75、薄膜M7氮氣吸脫附曲線 103圖 3.1.76、薄膜M8氮氣吸脫附曲線 104圖 3.1.77、薄膜M1-M8孔徑分佈曲線 106圖 3.1.78、含不同成份薄膜之FT-IR ATR圖譜 107圖 3.1.79、純PES薄膜、PVP及TOPO之TGA分析 109圖 3.1.80、薄膜M1-M4之熱重損失曲線 110圖 3.1.81、薄膜M5-M8之熱重損失曲線 111圖 3.2.

1、薄膜M1-M4之等溫吸附圖 113圖 3.2.2、薄膜M5-M8之等溫吸附圖 113圖 3.2.3、苯環間電荷吸引示意圖(C. R. Martinez et al., 2012) 115圖 3.3.1、薄膜M1於多成分尿毒素的動態掃流吸附結果 119圖 3.3.2、薄膜M2於多成分尿毒素的動態掃流吸附結果 119圖 3.3.3、薄膜M3於多成分尿毒素的動態掃流吸附結果 120圖 3.3.4、薄膜M4於多成分尿毒素的動態掃流吸附結果 120圖 3.3.5、薄膜M5於多成分尿毒素的動態掃流吸附結果 121圖 3.3.6、薄膜M6於多成分尿毒素的動

態掃流吸附結果 121圖 3.3.7、薄膜M7於多成分尿毒素的動態掃流吸附結果 122圖 3.3.8、薄膜M7覆蓋電紡纖維後於多成分尿毒素的動態掃流吸附結果 122圖 3.3.9、薄膜M8於多成分尿毒素的動態掃流吸附結果 123圖 3.3.10、薄膜M4於多成分尿毒素及BSA的動態掃流吸附結果 123圖 3.3.11、各薄膜於動態掃流吸附的通量變化 128表目錄表 1.1.1、107年國人十大死因及死亡率(衛生福利部，2019) 1表 1.3.1、PIM文獻整理 16表 2.4.1、各尿毒素UV-Vis偵測波長 51表 3.1.1、各成分P

IM所含成分之比例 54表 3.1.2、薄膜孔隙度分析結果 96表 3.1.3、薄膜平均流量孔徑大小 97表 3.1.4、不同成分薄膜之孔洞性質 105表 3.1.5、各鍵結之吸收峰波長位置 108表 3.1.6、TOPO於相轉化前後之含量比例 111表 3.2.1、薄膜M1-M8之等溫吸附耦合參數 114表 3.2.2、本研究TOPO所提供之吸附量 116表 3.2.3、文獻中的p-Cresol吸附量 117表 3.3.1、模擬血清中各種尿毒素之初始濃度值 118表 3.3.2、薄膜M1動態掃流吸附數據 124表 3.3.3、

薄膜M2動態掃流吸附數據 124表 3.3.4、薄膜M3動態掃流吸附數據 124表 3.3.5、薄膜M4動態掃流吸附數據 124表 3.3.6、薄膜M5動態掃流吸附數據 124表 3.3.7、薄膜M6動態掃流吸附數據 125表 3.3.8、薄膜M7動態掃流吸附數據 125表 3.3.9、覆蓋電紡膜後之薄膜M7動態掃流吸附數據 125表 3.3.10、薄膜M8動態掃流吸附數據 125表 3.3.11、薄膜M4於BSA溶液動態掃流吸附數據 125表 3.4.1、含不同成分薄膜之溶血率測試結果 129

單晶片ARM MG32x02z控制實習

為了解決mx-4的問題，作者董勝源  這樣論述：

　　Megawin(笙泉)科技公司的MG32x02z系列將ARM嵌入到單晶片微電腦來工作，它使用Cortex M0為核心是16/32-bit 的RISC處理器，主要應用於可攜式產品內。它同時是一個高度整合性的單晶片嵌入式(embedded)系統，內含有Flash ROM、SRAM及許多的週邊設備。功能非常的強大、也非常複雜，使得門檻也提高不少。 　　本書應用笙泉公司所生產的TH223A主控板及配合TH222A實習板，可在Keil的Debug環境下透過USB進行各項實驗程式的模擬、偵錯及燒錄功能，使得學習專題製作或研發成品也較為快速及低廉。 本書特色 　　1.本書內容淺

顯易懂，輕鬆入門笙泉ARＭ Cortex-M0。 　　2.多元控制的實習項目，包含USB/BLE等通訊應用。 　　3.內含豐富的範例資源，提供給讀者練習。

線性馬達外掛式水冷系統設計與製作

為了解決mx-4的問題，作者褚威廷 這樣論述：

近年來隨著工業技術的發展，在自動化控制、生產線製程等領域對於線性平台上的需求愈來愈嚴苛。其中為了提高平台的推力特性，最有效的方法就是直接將輸入的電流提高以提升線性馬達推力；然而，功率損耗也隨著電流提升而增加，造成系統的溫度提升影響至推力的特性。當溫度超過最高溫度限制時，造成馬達永久性的破壞，因此在提升推力特性時，也要考慮到溫升所造成的影響。如何在提高驅動電流的情況下，也能維持馬達在安全的溫度下操作。最好的方法則是設計一具強制冷卻系統之線性馬達，相對地動子的體積也會跟著增加，導致動子無法安裝於系統平台中。為了解決此問題，本論文提出在不改變系統平台空間的情況下，利用馬達與平台之間的轉接板，設計一

具外掛式冷卻系統。同時以電磁場(Ansys Maxwell)與熱流場(Fluent)的有限元素分析軟體進行分析，並完成外掛式冷卻系統之製作。最後在強制冷卻下，當繞組溫度維持在不高於安全操作溫度110℃時，額定電流可提升至1.7倍。