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mosfet switch電路的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列各種有用的問答集和懶人包
mosfet switch電路的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦楊善國 寫的 應用電子學(第二版)(精裝本) 和陳達的 電子學精修(含電子學概要大意)(上冊)都 可以從中找到所需的評價。
另外網站MOS管驅動電路與MOSFET作開關作用有什麼區別 - 貝塔百科網也說明：MOS 管驅動電路與MOSFET作開關作用有什麼區別,1樓匿名使用者mosfet的開關作用是針對baimos特性du得出的zhimos管輸出特性曲線有可變電阻區dao夾斷區和恆 ...
這兩本書分別來自全華圖書 和大東海所出版 。
國立清華大學 電子工程研究所 黃智方所指導 蘇如意的 多維電場對橫向式擴散金氧半場效電晶體特性之影響 （2008），提出mosfet switch電路關鍵因素是什麼，來自於横向式擴散金氧半場效電晶體。
而第二篇論文中原大學 電子工程研究所 侯俊禮所指導 莊肇富的 以電流式主動元件設計之波型產生器 （2006），提出因為有 開關、階梯波產生器、三角波產生器、積分器、電流傳輸器的重點而找出了 mosfet switch電路的解答。
最後網站半橋拓撲結搆高端MOSFET驅動方案選擇：變壓器還是矽晶片？則補充：在LLC半橋拓撲結搆中，高端MOSFET開關連接至高壓輸入端，不能夠採用主電源控制器來驅動，而需要另行選定驅動電路。此驅動電路是控制電路與必v開關之間 ...
應用電子學(第二版)(精裝本)
為了解決mosfet switch電路 的問題，作者楊善國 這樣論述：
作者依教學經驗及專業知識，並為兼顧學習內容及學習效果，本書由最基礎的半導體材料及PN接面開始講起，到雙層元件(二極體)、三層元件(電晶體)、四層元件(閘流體)、線性積體電路-OP，到常用的應用電路包括：運算放大器構成之應用電路、電壓調整器、主動濾波器、功率放大器等，使學生可習得電子元件及其構成電路的基礎知識。另修習本科目的學生可能來自不同的專業背景，對電學的觀念及基礎或有所不同，為顧及對電學較生疏學生的需要，特別增加「電學基本概念複習」一章(第零章)，使學生具有起碼的電路基礎，以協助學生進入電子電路之領域，並助益往後的教學。 本書特色 1.本書由最基礎的半導體材料及PN接
面開始講起，到雙層元件(二極體)、三層元件(電晶體)、四層元件(閘流體)、線性積體電路-OP，到常用的應用電路，使學生可習得電子元件及其所構成電路的基礎知識。 2.修習本科目的學生可能來自不同的專業背景，對電學的觀念及基礎或有不同，特別增加「電學基本概念複習」，使學生具有基礎的電路概念，以協助學生進入電子電路之領域，並助益往後的教學。 3.本書適用大學、科大機械、自動化科系『應用電子學』、『電子學』課程使用。
多維電場對橫向式擴散金氧半場效電晶體特性之影響
為了解決mosfet switch電路 的問題，作者蘇如意 這樣論述：
隨著製程技術的進步，許多新型元件結構的誕生，對於元件的特性如導通電阻，崩潰電壓和元件可靠度的需求也日益增加。在本論文中我們提出了三種不同結構的整合型金氧半場效電晶體對高功率電晶體的元件特性與熱載子退化效應作一番完整的探討。 由於二氧化矽(SiO2)有比較低介電常數和較高崩潰電場的特性，因此，我們提出一個新型的結構，利用介電材料(SiO2)來調變汲極延伸型金氧半電晶體的漂移區電場以增加崩潰電壓。利用先進技術的互補式金氧半電晶體(CMOS)製程，藉由更改淺層溝渠隔離技術(STI)的光罩佈局，我們成功的設計出在20V崩潰電壓的應用範圍下，擁有較低的導通電阻(RON, SP)。從實際
的量測數據顯示，元件的崩潰電壓可以隨著漂移區裡的介電質大小來調整。也就是說，可以提供類比IC元件設計者擁有多重電壓的選擇性。 為了提昇元件的耐壓能力，傳統的方法是在漂移區置入STI，可以有效疏解閘極邊緣的高電場來增加崩潰電壓。然而，導通電阻是高壓元件用於Switch電路時效能的重要參數。在希望可以降低高功率電晶體的導通損耗(conduction loss)情況下，因此我們所設計的元件須具有低的導通電阻。對於0.25μm N通道的橫向擴散金屬氧化場效電晶體 (LDMOSFET)，在不影響元件的崩潰電壓與製程步驟的條件下，藉由更改淺層溝渠隔離技術(STI)的光罩佈局，我們提出一個可以成功地降
低導通電阻20%的方法:將Z方向的STI設計成柵欄式的架構，同時搭配CMOS製程中的LDD(Lightly Doped Drain)摻雜，可以縮短電流的導通路徑來獲得較低的導通電阻和較高的驅動電流。 研究顯示，浮接式導體(floating field conductors)可以有效改善元件的特性。因此我們利用在汲極延伸型金氧半場效電晶體漂移區研究浮接式多晶矽的效應。由實驗結果與二維製程及電性模擬分析，我們探討浮接式多晶矽金氧半場效電晶體(FPS-LDMOS)的元件特性與可靠度分析。另一方面，為了避免Kirk effect發生在高的閘極偏壓下導致加速元件的退化。我們發現適當的設計浮接式多晶
矽的大小與位置，可以有效的控制元件的基體電流。同時也發現傳統的第一個基體電流的峰值，可以當作是熱載子退化效應的指標。 最後，我們針對0.25μm P型橫向擴散金屬氧化物電晶體(P-LDMOS)，分析元件的熱載子可靠度問題。我們探討在熱載子測試中，P-LDMOS的線性區電流(IDLIN)的退化行為。發現經過熱載子測試後第一瞬間(不大於50ms)的線性區電流(IDLIN)會異常增加，接著之後，電流幾乎沒有退化或改變的行為。藉由二維的電性模擬，我們證實是因為熱電子注入STI邊緣，造成第一瞬間異常的線性區電流增加。實驗結果發現，線性區電流的增加量是與最大撞擊游離化產生速率(Max. IIGR)的
區域到熱電子注入STI邊緣的距離是成正比關係。然而，針對元件退化會回復(Recovery)的特性，經過高溫、高壓環境測試，我們發現注入的熱電子是非常穩定的。
電子學精修(含電子學概要大意)(上冊)
為了解決mosfet switch電路 的問題，作者陳達 這樣論述：
本書由大東海電機類名師團隊陳達老師繼搶手著作「電子學絕招解題」、「電子學精解」，再次針對國家考試、國營考試精心編授，更進階精要，共分上下兩冊，以主題式進行各篇重點主軸說明，期能有效協助考生釐清觀念。 作者依其豐富教學經驗及專業知識，根據最新出題趨勢，刪除教條式冗長內容，以豐富圖文方式說明、醍醐灌頂，協助考生掌握國家考試之電子電路領域。系統性架構有效輔助讀者學習，自基本半導體物理、二極體、電晶體、積體電路至放大器等電路應用，次序編列重點精華，使讀者能詳盡習得電子裝置基礎知識及應用實例；再輔以引導式範例練習按步驟解題，配合章末之「本章題型演練」，針對各章主題整編必讀命
題及擬解申論，讓讀者實戰演練、完整學習，輕鬆迎戰電子學考科！
以電流式主動元件設計之波型產生器
為了解決mosfet switch電路 的問題，作者莊肇富 這樣論述：
一般類比電路大多是以電壓方式(voltage mode)來處理信號，而電壓式運算放大器(Operational Amplifier；OP Amp.)因為價格低廉且技術穩定，使得電壓式運算放大器被一般電路設計者廣泛使用，但是電壓式電路受限於增益頻寬積(GBP)為定值且回轉率(slew rate)不夠高，使得電路設計者在處理高頻訊號時受到了許多限制。電流式主動元件在最近幾年來受到許多學者及電路設計者的喜愛，因為電流式電路的優越性已被證實，它們具有較大的頻寬及增益、較大的動態範圍、較精確的結果、較低的功率損耗以及較小的晶片面積的電路結構等優點。本論文主要是應用現成的第二代電流傳輸器(Second-
Generation Current Conveyer II；CCII) 做成的積分器(Integrator)電路和第二代電流控制傳輸器(Second-Generation Current Controlled Conveyer；CCCII)做成的開關(Switch)電路，而提出兩個不同的應用；(1)三角波產生器(Triangle-wave Generator)，(2)階梯波產生器(Staircase-wave Generator)，這兩者電路的好處就是比用運算放大器(Operational Amplifier；OP)所做的類似功能電路速率快，並在最後我們從模擬結果證明本論文所提之電路可行性。