問題的答案無所不包論文書籍站
nmos pmos開關原理的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列各種有用的問答集和懶人包
nmos pmos開關原理的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦（美）林康-莫萊寫的 模擬集成電路設計--以LDO設計為例（原書第2版） 和（美）康松默的 CMOS數字集成電路--分析與設計（第四版）都 可以從中找到所需的評價。
另外網站Mos管開關電路 - 中文百科知識也說明：MOS 管開關電路是利用一種電路，是利用MOS管柵極（g）控制MOS管源極（s）和漏極（d）通斷的原理構造的電路。MOS管分為N溝道與P溝道，所以開關電路也主要分為兩種。
這兩本書分別來自機械工業 和電子工業所出版 。
中原大學 電子工程學系 陳淳杰所指導 徐志豪的 一個十位元每秒兩千萬次取樣帶冗餘位逐漸趨近式類比數位轉換器 （2021），提出nmos pmos開關原理關鍵因素是什麼，來自於逐漸趨近式類比數位轉換器、分段式電容陣列、帶冗餘位演算法。
而第二篇論文國立中山大學 電機工程學系研究所 王朝欽所指導 郭千平的 人工智慧應用之超低功耗單端讀寫6T靜態隨機存取記憶體與高效率神經網路硬體加速器 （2021），提出因為有 單端讀寫6T靜態隨機存取記憶體、低功耗、靜態雜訊邊際、位元存取耗能、神經網路加速器的重點而找出了 nmos pmos開關原理的解答。
最後網站nmos 導通MOS管開關電路是什么？詳解MOS管開關電路則補充：【NMOS管與PMOS管】判斷NMOS,PMOS管處于飽和區,截止區,三極管區？ mosfet特性等知識(圖文解析)-降低高壓 MOS導通
模擬集成電路設計--以LDO設計為例（原書第2版）
為了解決nmos pmos開關原理 的問題，作者（美）林康-莫萊 這樣論述：
本書借由集成線性穩壓器的設計，全面介紹了模擬集成電路的設計方法，包括固態半導體理論、電路設計理論、模擬電路基本單元分析、反饋和偏置電路、頻率響應、線性穩壓器集成電路設計以及電路保護和特性等。本書從面向設計的角度來闡述模擬集成電路的設計，強調直覺和直觀、系統目標、可靠性和設計流程，借助大量的實例，向初學者介紹整個模擬集成電路的設計流程，並引導其熟悉應用，同時本書也適用於有經驗的電源集成電路設計工程師，不僅能幫助他們對模擬電路和線性穩壓器的理論有更深刻的理解，而且書中所呈現的線性穩壓器的技術發展也可以給予他們很多啟發，是一本難得的兼具實用性和學術價值的模擬集成電路和集成線性穩壓器設計的教科書和參考
書。Gabriel Alfonso Rincón-Mora博士，1994～2003年供職於德州儀器公司，擔任一個高級集成電路設計團隊的領導。1999年Rincón-Mora博士受聘為佐治亞理工學院的兼職教授，並在2001年受聘為全職教授，自2011年起，受聘為台灣成功大學的客座教授。他是IEEE和IET院士，同時也是38項專利的發明人/共同發明人和超過160篇論文的作者/共同作者。Rincón-Mora博士已經寫過8本着作，成功設計26余款商用電源芯片，並且獲得了多項獎勵。目前他主要致力於利用微型電池和環境能量為無線和移動設備供電的集成電路系統的研究。 譯者序 原書前言 作
者簡介 第1章電源系統1 1.1電源管理中的穩壓器1 1.2線性穩壓器和開關穩壓器的對比2 1.2.1響應時間的折中3 1.2.2噪聲4 1.2.3功率轉換效率4 1.3市場需求5 1.3.1系統5 1.3.2集成6 1.3.3工作壽命6 1.3.4電源凈空7 1.4電源8 1.4.1早期電池8 1.4.2鋰離子電池9 1.4.3燃料電池9 1.4.4核能電池10 1.4.5能量收集器10 1.5計算機仿真11 1.6總結12 1.7復習題13 第2章線性穩壓器14 2.1工作區域14 2.2性能指標15 2.2.1精度15 2.2.2功率轉換效率25 2.2.3工作要求27 2.2.4品質因
子29 2.3工作環境30 2.3.1負載31 2.3.2穩壓點32 2.3.3寄生效應33 2.4分類34 2.4.1輸出電流34 2.4.2壓差34 2.4.3補償34 2.4.4類別35 2.5模塊級構成36 2.6總結37 2.7復習題38 第3章微電子器件39 3.1電阻39 3.1.1工作原理39 3.1.2寄生元件40 3.1.3版圖40 3.1.4絕對精度和相對精度42 3.2電容43 3.2.1工作原理43 3.2.2寄生元件44 3.2.3版圖45 3.2.4絕對精度和相對精度45 3.3PN結二極管46 3.3.1工作原理46 3.3.2寄生元件49 3.3.3版圖和匹配
50 3.3.4小信號模型52 3.4雙極型晶體管（BJT）53 3.4.1工作原理53 3.4.2縱向BJT56 3.4.3橫向BJT57 3.4.4襯底BJT58 3.4.5小信號模型59 3.5金屬-氧化物-半導體場效應晶體管（MOSFET）61 3.5.1工作原理61 3.5.2寄生電容66 3.5.3P溝道MOSFET67 3.5.4晶體管變化67 3.5.5版圖和匹配69 3.5.6小信號模型71 3.5.7MOS電容73 3.5.8溝道電阻73 3.6結型場效應晶體管(JFET)73 3.6.1工作原理73 3.6.2P溝道JFET75 3.6.3大信號模型75 3.6.4版圖和
匹配76 3.6.5小信號模型76 3.6.6相對性能78 3.7絕對精度和相對精度78 3.8總結79 3.9復習題80 第4章單晶體管基本單元82 4.1二端口模型82 4.2頻率響應83 4.2.1極點84 4.2.2零點85 4.2.3米勒分裂87 4.2.4電容-分流-電阻法88 4.3信號流89 4.3.1輸入和輸出89 4.3.2極性89 4.3.3單晶體管基本單元90 4.4共發射極/共源極跨導器90 4.4.1大信號工作90 4.4.2小信號模型91 4.4.3頻率響應93 4.4.4發射極/源極負反饋95 4.5共基極/共柵極電流緩沖器99 4.5.1大信號工作99 4.5
.2小信號模型100 4.5.3頻率響應103 4.5.4基極負反饋104 4.6共集電極/共漏極電壓跟隨器104 4.6.1大信號工作104 4.6.2小信號模型105 4.6.3頻率響應108 4.7小信號概括和近似109 4.7.1功能109 4.7.2電阻110 4.7.3頻率響應112 4.8總結113 4.9復習題114 第5章模擬電路基本單元115 5.1電流鏡115 5.1.1工作原理115 5.1.2小信號模型118 5.1.3帶基極電流校正的電流鏡119 5.1.4電壓校正共源共柵/共射共基（Cascode）電流鏡120 5.1.5低電壓Cascode電流鏡121 5.2差
動對123 5.2.1大信號工作124 5.2.2差分信號125 5.2.3共模信號127 5.2.4發射極/源極負反饋128 5.2.5CMOS差動對129 5.3基極/柵極耦合對130 5.3.1大信號工作130 5.3.2小信號響應132 5.3.3輸入參考失調和噪聲134 5.4差動級136 5.4.1大信號工作137 5.4.2差分信號138 5.4.3共模信號140 5.4.4輸入參考失調和噪聲143 5.4.5電源抑制145 5.4.6折疊式Cascode147 5.5總結151 5.6復習題152 第6章負反饋154 6.1反饋環路154 6.1.1環路構成154 6.1.2調
整155 6.1.3輸出轉化156 6.2反饋效應156 6.2.1靈敏度156 6.2.2阻抗157 6.2.3頻率響應160 6.2.4噪聲162 6.2.5線性度163 6.3負反饋結構166 6.3.1跨導放大器166 6.3.2電壓放大器167 6.3.3電流放大器168 6.3.4跨阻放大器169 6.4分析170 6.4.1分析過程170 6.4.2疊加器173 6.4.3采樣器174 6.4.4跨導放大器175 6.4.5電壓放大器179 6.4.6電流放大器183 6.4.7跨阻放大器188 6.5穩定性193 6.5.1頻率響應193 6.5.2補償195 6.5.3反相零
點200 6.5.4嵌入式環路202 6.6設計202 6.6.1設計概念202 6.6.2系統結構設計203 6.6.3頻率補償204 6.7總結204 6.8復習題205 第7章偏置電流和基准電路207 7.1電壓基元207 7.2PTAT電流208 7.2.1交叉耦合四管單元209 7.2.2鎖存單元210 7.3CTAT電流213 7.3.1電流采樣BJT214 7.3.2電壓采樣二極管214 7.4溫度補償215 7.4.1帶誤差補償的BJT電流基准源216 7.4.2基於二極管的電流基准源217 7.4.3帶誤差補償的基於二極管的電流基准源218 7.5啟動電路218 7.5.1連
續導通啟動電路219 7.5.2按需導通啟動電路220 7.6頻率補償222 7.7電源噪聲抑制223 7.8帶隙電流基准源224 7.8.1基於BJT的帶隙電流基准源224 7.8.2基於二極管的帶隙電流基准源225 7.9帶隙電壓基准源226 7.9.1電流-電壓轉換226 7.9.2輸出電壓調整227 7.10精度230 7.11總結231 7.12復習題232 第8章小信號響應234 8.1小信號等效電路234 8.2無補償時的響應236 8.2.1相關電容和電阻236 8.2.2環路增益236 8.3頻率補償239 8.3.1輸出端補償240 8.3.2內部補償242 8.4電源抑制
245 8.4.1分壓器模型246 8.4.2饋通噪聲247 8.4.3米勒電容253 8.4.4分析255 8.4.5結論261 8.5補償策略對比261 8.6總結262 8.7復習題264 第9章集成電路設計265 9.1設計流程265 9.2功率晶體管266 9.2.1備選方案266 9.2.2版圖269 9.3緩沖器276 9.3.1驅動N型功率晶體管276 9.3.2驅動P型功率晶體管278 9.3.3版圖290 9.4誤差放大器290 9.4.1凈空291 9.4.2電源抑制294 9.4.3輸入參考失調296 9.4.4版圖299 9.5總結307 9.6復習題309 第10章
線性穩壓器310 10.1低壓差穩壓器310 10.1.1輸出端補償的PMOS穩壓器310 10.1.2米勒補償的PMOS穩壓器314 10.2寬帶穩壓器318 10.2.1內部補償的NMOS穩壓器319 10.3自參考穩壓器322 10.3.1零階溫度無關性322 10.3.2溫度補償323 10.4性能增強330 10.4.1功率晶體管330 10.4.2緩沖器333 10.4.3環路增益335 10.4.4負載調整率336 10.4.5負載突變響應339 10.4.6電源抑制340 10.5電流調整343 10.5.1電流源343 10.5.2電流鏡344 10.6總結347 10.7復
習題347 第11章保護與特性349 11.1保護349 11.1.1過電流保護349 11.1.2熱關斷353 11.1.3反向電池保護355 11.1.4靜電放電保護356 11.2特性358 11.2.1模擬負載359 11.2.2調整性能360 11.2.3功率性能366 11.2.4工作要求368 11.2.5啟動370 11.3總結371 11.4復習題371 片上系統（SystemonChip，SoC）集成需求正不斷增大，由於線性穩壓器具有噪聲小、對負載突變的響應速度快等優點，在模擬和混合信號芯片中占據越來越重要的地位。本書是佐治亞理工學院Rincón-Mor
a教授的最新著作，是作者20多年的商用電源微電子芯片開發經驗以及引領電源和能量調節集成電路領域技術發展的傑出研究工作的總結。本書組織嚴謹，內容豐富，涵蓋了包括固態半導體理論、電路設計、模擬電路基本單元分析、反饋和偏置電路、頻率響應、集成電路設計以及電路保護等模擬集成電路設計的所有基本方面。並且，在講授這些內容時，本書十分強調直覺和直觀，通過本書的學習，可以培養讀者對於模擬電路的洞察力。本書的另一個特色是，整本書就是一個自頂向下再到頂（top-down-top）的設計實例，以線性穩壓器設計的角度，從抽象視角開始系統分析，然后進入器件級進行基礎分析，之后逐漸上升到電路設計，最后再到系統設計，但最終
設計以晶體管級的形式實現。因此，本書是一本十分難得的兼具實用性和學術價值的參考書籍。本書由華中科技大學的陳曉飛組織翻譯，參加翻譯工作的人員主要有陳曉飛、鄒望輝、劉政林和鄒雪城。在本書的翻譯工作中，華中科技大學超大規模集成電路與系統研究中心的劉小瑞、張纓潔、王玄、許澤華、資海平、董一帆、鄒大鵬等研究生同學提供了許多幫助並參加了部分內容的翻譯，機械工業出版社劉星寧老師給予了很大支持，在此一並表示衷心的感謝。譯者2016年4月
一個十位元每秒兩千萬次取樣帶冗餘位逐漸趨近式類比數位轉換器
為了解決nmos pmos開關原理 的問題，作者徐志豪 這樣論述：
如今電子產品除了要效能好，亦追求低功耗與輕薄短小，由於半導體製程技術的進步，帶動了積體電路設計的成長，許多低功耗的晶片得以實現，在眾多類比數位轉換器中，逐漸趨近式(Successive-Approximation)由於大部分元件皆由數位邏輯電路所構成，且整個電路僅需一組比較器即可，大幅地降低了資料轉換所需的功耗。本論文完整製作一個10-bit 20MS/s SAR ADC，架構採用分段式電容陣列數位類比轉換器，使用TSMC 0.18um 1P6M CMOS製程，電源供應1.8V，輸入頻率為1.97265625MHz進行模擬，訊號雜訊與失真比(SNDR) 60.71 dB，有效位元數(ENOB
) 9.79-bit，功耗0.92 mW，品質因數(FOM) 52f J/conversion-step，核心晶片佈局面積0.31*0.21〖mm〗^2，晶片總佈局面積1.163*1.169〖mm〗^2。最後設計規格同樣為10-bit 20MS/s SAR ADC，架構改成帶冗餘位演算法，將MSB電容拆解並分配至原電容陣列中，達到電容切換速度的提升，並在栓鎖電路前加上一級前置放大器，用以降低誤差，提高比較器的精準度。使用相同製程與輸入頻率進行模擬，訊號雜訊與失真比(SNDR) 61.93 dB，有效位元數(ENOB) 9.99-bit，功耗3.024mW，品質因數(FOM) 148.7f J/
conversion-step。關鍵字：逐漸趨近式類比數位轉換器；分段式電容陣列；帶冗餘位演算法
CMOS數字集成電路--分析與設計（第四版）
為了解決nmos pmos開關原理 的問題，作者（美）康松默 這樣論述：
全書詳細講述了CMOS數字集成電路的相關內容，在第三版的基礎上增加了新的內容和章節，提供了反映現代技術發展水平和電路設計的最新資料。全書共15章。第1章至第8章詳細討論MOS晶體管的相關特性和工作原理、基本反相器電路設計、組合邏輯電路及時序邏輯電路的結構與工作原理；第9章至第13章主要介紹應用於先進VLSI芯片設計的動態邏輯電路、先進的半導體存儲電路、低功耗CMOS邏輯電路、數字運算和轉換電路、芯片的I/O設計；第14章和第15章分別討論電路的可制造性設計和可測試性設計這兩個重要問題。王志功，東南大學教授、電路學科帶頭人，任射頻與光電集成電路研究所所長。竇建華，合肥工業大學副教授，碩士生導師，
主要從事電路理論、電子技術、通信電子線路、EDA的教學科研和IC設計方面的教學和科研工作。 第1章 概論1.1發展歷史1.2本書的目標和結構1.3電路設計舉例1.4VLSI設計方法綜述1.5VLSI設計流程1.6設計分層1.7規范化、模塊化和本地化的概念1.8VLSI的設計風格1.9設計質量1.10封裝技術1.11計算機輔助設計技術習題第2章 MOS場效應管的制造2.1概述2.2制造工藝的基本步驟2.3CMOSn阱工藝2.4CMOS技術的發展2.5版圖設計規則2.6全定制掩膜版圖設計習題第3章 MOS晶體管3.1金屬—氧化物—半導體（MOS）結構3.2外部偏置下的MOS系統
3.3MOS場效應管（MOSFET）的結構和作用3.4MOSFET的電流—電壓特性3.5MOSFET的收縮和小尺寸效應3.6MOSFET電容習題第4章 用SPICE進行MOS管建模4.1概述4.2基本概念4.3一級模型方程4.4二級模型方程4.5三級模型方程4.6先進的MOSFET模型4.7電容模型4.8SPICEMOSFET模型的比較附錄典型SPICE模型參數習題第5章 MOS反相器的靜態特性5.1概述5.2電阻負載型反相器5.3MOSFET負載反相器5.4CMOS反相器附錄小尺寸器件CMOS反相器的尺寸設計趨勢習題第6章 MOS反相器的開關特性和體效應6.1概述6.2延遲時間的定義6.3延
遲時間的計算6.4延遲限制下的反相器設計6.5互連線電容的估算6.6互連線延遲的計算6.7CMOS反相器的開關功耗附錄超級緩沖器的設計習題第7章 組合MOS邏輯電路7.1概述7.2帶偽nMOS（pMOS）負載的MOS邏輯電路7.3CMOS邏輯電路7.4復雜邏輯電路7.5CMOS傳輸門習題第8章 時序MOS邏輯電路8.1概述8.2雙穩態元件的特性8.3SR鎖存電路8.4鍾控鎖存器和觸發器電路8.5鍾控存儲器的時間相關參數8.6CMOS的D鎖存器和邊沿觸發器8.7基於脈沖鎖存器的鍾控存儲器8.8基於讀出放大器的觸發器8.9時鍾存儲器件中的邏輯嵌入8.10時鍾系統的能耗及其節能措施附錄習題第9章 動
態邏輯電路9.1概述9.2傳輸晶體管電路的基本原理9.3電壓自舉技術9.4同步動態電路技術9.5動態CMOS電路技術9.6高性能動態邏輯CMOS電路習題第10章 半導體存儲器10.1概述10.2動態隨機存儲器（DRAM）10.3靜態隨機存儲器（SRAM）10.4非易失存儲器10.5閃存10.6鐵電隨機存儲器（FRAM）習題第11章 低功耗CMOS邏輯電路11.1概述11.2功耗綜述11.3電壓按比例降低的低功率設計11.4開關激活率的估算和優化11.5減小開關電容11.6絕熱邏輯電路習題第12章 算術組合模塊12.1概述12.2加法器12.3乘法器12.4移位器習題第13章 時鍾電路與輸入／輸
出電路13.1概述13.2靜電放電（ESD）保護13.3輸入電路13.4輸出電路和L（di/dt）噪聲13.5片內時鍾生成和分配13.6閂鎖現象及其預防措施附錄片上網絡：下一代片上系統（SoC）的新模式習題第14章 產品化設計14.1概述14.2工藝變化14.3基本概念和定義14.4實驗設計與性能建模14.5參數成品率的評估14.6參數成品率的最大值14.7最壞情況分析14.8性能參數變化的最小化習題第15章 可測試性設計15.1概述15.2故障類型和模型15.3可控性和可觀察性15.4專用可測試性設計技術15.5基於掃描的技術15.6內建自測（BIST）技術15.7電流監控IDDQ檢測習題參
考文獻物理和材料常數公式
人工智慧應用之超低功耗單端讀寫6T靜態隨機存取記憶體與高效率神經網路硬體加速器
為了解決nmos pmos開關原理 的問題，作者郭千平 這樣論述：
近年來人工智慧(AI)已經成為全世界最熱門議題之一，但也遇到瓶頸，如硬體架構的發展。而未來以人工智慧的發展來說，資料量將會是爆炸性的成長，其使用的能量也會迅速提升，故硬體架構大幅降低功耗將成為AI非常重要的發展與研究目標。本論文第一個主題提出一超低功耗且高靜態雜訊邊際之單端讀寫6T靜態隨機存取記憶體，主要為了解決以前單端靜態隨機存取記憶體所產生的低靜態雜訊邊際(SNM)不足之問題，此設計中提出利用上拉(pull-up)~PMOS和高Vthn NMOS當作開關，使得記憶體單元不再受到雜訊的干擾。除此之外，還在位線(BL)與反位線($\rm\overline{BL}$)之間加入新設計之正回授感測
運算放大器(PFOS)，以減少讀取時間的延遲，也藉此產生全擺幅輸出。另外加入電壓模式選擇電路(VMS)，從而降低了整體的待機功耗。最後以TSMC 40~nm CMOS製程實現，量測結果與模擬結果符合都能達到200 MHz的操作頻率，而量測結果的energy/access和energy/bit分別為0.2313 pJ、 0.00723 pJ。本論文第二個主題提出一個應用於物件偵測之低功耗高效能神經網路硬體加速器，此設計提出新型用於控制DMA~(AXI wapper)硬體架構以及新的Reshape模組的中介控制器(Inter-Controller)，而新的Reshape模組係以輸入靜態隨機存取記憶
體內的各個像素進行重新排列，並連同進行Padding的方式，展示一新式低功耗且高效能的硬體加速器。量測結果證實效能(GOPS)為40.96，功耗則為196.8 mW。