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mos電路的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦施敏,李義明,伍國珏寫的 半導體元件物理學第四版（上冊） 和林奎至,阮弼群的 電子學(進階分析)都 可以從中找到所需的評價。
另外網站6 如圖所示之MOS電路，Q 1 、Q2為P通道增強型MO..也說明：6 如圖所示之MOS電路，Q 1 、Q2為P通道增強型MOSFET，Q3、Q4為N通道增強型MOSFET。此電路為何種邏輯閘？ (A)OR 閘A (B)NOR 閘Q1 (C)AND 閘 (D)NAND 閘.
這兩本書分別來自國立陽明交通大學出版社 和全華圖書所出版 。
朝陽科技大學 資訊與通訊系 林進發所指導 余紹瑋的 使用虛擬電源技術實現之低操作電壓正反器設計 （2020），提出mos電路關鍵因素是什麼，來自於低功率、低電壓、正反器。
而第二篇論文中原大學 電機工程研究所 張俊明所指導 黃韋瀚的 心電圖儀中的橢圓帶拒濾波電路之設計 （2018），提出因為有 帶拒濾波電路；橢圓濾波電路；濾波電路的頻率轉換；心電圖儀的重點而找出了 mos電路的解答。
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半導體元件物理學第四版（上冊）
為了解決mos電路 的問題，作者施敏,李義明,伍國珏 這樣論述：
最新、最詳細、最完整的半導體元件參考書籍 《半導體元件物理學》（Physics of Semiconductor Devices）這本經典著作，一直為主修應用物理、電機與電子工程，以及材料科學的大學研究生主要教科書之一。由於本書包括許多在材料參數及元件物理上的有用資訊，因此也適合研究與發展半導體元件的工程師及科學家們當作主要參考資料。 Physics of Semiconductor Devices第三版在2007 年出版後（中譯本上、下冊分別在2008 年及2009 年發行），已有超過1,000,000 篇與半導體元件的相關論文被發表，並且在元件概念及性能上有許多突破，顯
然需要推出更新版以繼續達到本書的功能。在第四版，有超過50% 的材料資訊被校正或更新，並將這些材料資訊全部重新整理。 全書共有「半導體物理」、「元件建構區塊」、「電晶體」、「負電阻與功率元件」與「光子元件與感測器」等五大部分：第一部分「半導體物理」包括第一章，總覽半導體的基本特性，作為理解以及計算元件特性的基礎；第二部分「元件建構區塊」包含第二章到第四章，論述基本的元件建構區段，這些基本的區段可以構成所有的半導體元件；第三部分「電晶體」以第五章到第八章來討論電晶體家族；第四部分從第九章到第十一章探討「負電阻與功率元件」；第五部分從第十二章到第十四章介紹「光子元件與感測器」。（中文版上冊
收錄一至七章、下冊收錄八至十四章，下冊預定於2022年12月出版） 第四版特色 1.超過50%的材料資訊被校正或更新，完整呈現和修訂最新發展元件的觀念、性能和應用。 2.保留了基本的元件物理，加上許多當代感興趣的元件，例如負電容、穿隧場效電晶體、多層單元與三維的快閃記憶體、氮化鎵調變摻雜場效電晶體、中間能帶太陽能電池、發射極關閉晶閘管、晶格—溫度方程式等。 3.提供實務範例、表格、圖形和插圖，幫助整合主題的發展，每章附有大量問題集，可作為課堂教學範例。 4.每章皆有關鍵性的論文作為參考，以提供進一步的閱讀。
使用虛擬電源技術實現之低操作電壓正反器設計
為了解決mos電路 的問題，作者余紹瑋 這樣論述：
正反器在數位電路中應用最為廣泛，只要與記憶元件相關的物品皆與正反器脫離不了關係，因此改善正反器可以大幅改善電路整體效能也能改善生活周遭所有記憶元件。近年隨著製程的縮減與進步，充電式電池之可攜式消費性3C 電子產品日漸增加，使用者需長時間使用電子產品，而在有限的電源供應下，低電源電壓、高速、低消耗功率技術的積體電路設計顯得更加重要，高速時，電路必須具備有低功率的輸出，實現高速低功率的方法包括降低工作電壓和提高工作頻率，因此可以同時達到高速時，且不會大幅提升功率消耗及不降低性能的高速低功率數位電路，現今已成為重要研究的重點之一。在本論文中，提出SR栓鎖器的架構來實現低電壓低功率的單向時脈正反器(
Flip-Flop)設計，並透過虛擬電源技術實現了電路化簡，最後使該電路僅有22個電晶體達到最佳化的佈局優勢。為了驗證所提出的電路設計，我們使用TSMC CMOS 180 nm製程進行後模擬研究，所提出的設計功率消耗（在25%的切換機率）優於傳統的TGFF 55.99%。最後將所提出的設計組成7-bit的除頻器與傳統的TGFF做比較，其結果顯示在電壓為0.6V，頻率為1KHz環境下，整個測試晶片功率消耗可節省21%。
電子學(進階分析)
為了解決mos電路 的問題，作者林奎至,阮弼群 這樣論述：
本書以作者多年教學經驗，配合淺顯易懂的文字和圖形的描述編撰而成，對於重要觀念及公式，善用問答的方式陳述，加強研讀時的吸收與想像。各章皆以學習流程圖及生活化短文，啟發學習興趣、確立學習目標，內容節選重要定理及觀念，以中、英語對照的方式呈現，建立課堂雙語互動，並收錄豐富且經典的題型及各校入學考題，有效驗證學習成果；全書共分成「基礎概念」、「進階分析」兩冊，適用於大學及科大之電子、電機、資工系「電子學」課程。 本書特色 1.每章皆以學習流程圖歸納重點、確立學習目標。 2.每章前皆設計「生活電子學」短文，以生活、歷史為喻說明電子專業，啟發學習興趣。 3.每章皆節
選重要定理、觀念，以中、英語對照呈現，活絡雙語學習的潛力。 4.本書以簡單扼要的方式闡述觀念，定理推導有條理且詳盡。 5.本書收錄豐富的例題及習題，且精選近十所大專校院研究所入學考題、公務員高考考題，有效驗證學習成果。
心電圖儀中的橢圓帶拒濾波電路之設計
為了解決mos電路 的問題，作者黃韋瀚 這樣論述：
本論文旨在提出一個在心電圖儀當中去除在60赫茲附近雜訊的四階橢圓帶拒濾波電路。這個橢圓濾波電路的設計特色是採用將一個二階橢圓濾波電路的轉移函數經由頻率轉換，s→1/Q(s+1/s) ，得到一個四階橢圓帶拒濾波電路的轉移函數。所設計的電路採用電流式的電路，電路的設計使用了六個單端接地的運算轉導放大器(OTAs)及四顆接地電容器。TSMC 0.35μm level-49 H-spice模擬結果得到所設計的橢圓帶拒濾波信號的頻帶寬相當窄，只從58.727赫茲到61.816赫茲 (即3.089赫茲的頻帶寬)，中心頻率的最小值也相當低，只有0.0357。