MOSFET的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列各種有用的問答集和懶人包

新一代 技術高中電機與電子群電子學 下 學習講義含解析本 - 最新版 - 附MOSME行動學習一點通：詳解.診斷.評量

為了解決MOSFET的問題，作者何漢,凌志 這樣論述：

　　☼本書提供「電子學」科目做系統重點整理，並歸納近年來【常考題型】與【重點題型】做統整分析，務必使學生在最短時間內對各章節重點能迅速掌握。 　　☼在每一個學習單元之後均佐以「例題」與「練習題」，使學生能跟著做練習，並在之後提供「立即評量單元」以確認學習進度；每章最後的「綜合練習」與「歷屆試題」演練，讓同學反覆演算練習以求精進學習，達到良好的學習效果。 　　MOSME 學習資源使用說明： 　　本書學習資源請至MOSME 行動學習一點通（www.mosme.net）搜尋本書相關字（書號、書名、作者），登入會員與書籍序號後，可線上閱讀詳解、自我練習，增強記憶力，反覆測驗提

升應考戰鬥力，即學即測即評，強化試題熟練度。 　　♦ 詳解： 至MOSME 行動學習一點通（www.mosme.net）搜尋本書相關字（書號、書名、作者），登入會員與書籍序號後，即可使用解析本內容。 　　♦ 診斷：可反覆線上練習書籍裡所有題目，強化題目熟練度。 　　♦ 評量： 全國唯一整合性線上測驗平台plc.mosme.net，體驗多元評量方式（含模擬考、歷屆試題），了解學習狀況。  

MOSFET進入發燒排行的影片

考慮非完全游離針對隨機參雜之電晶體之電流電壓 變異性分析

為了解決MOSFET的問題，作者曾郁鈞 這樣論述：

根據摩爾定律的延續，電晶體在晶片裡的密度每 兩年即倍增，也因此提升工作時的表現和降低能量的消 耗。而電晶體運作時的電流機制是建立在假設電位和雜質濃度是連續的情況下的飄移 擴散模型。當電晶體隨著科技的進步發展至奈米等級的結構時，許多可靠度的問題 隨機參雜 會因此被放大，甚至破壞 原本漂移 擴散模型的假設。因此在探討這方面的問題前，我們必須要對隨機參雜的雜質做深入的探討，並且發展一個物理模型來解決 此 問題。然而，典型的物理模型卻只能考慮數量對電晶體造成的影響，而無法將雜質位置對電晶體的影響正確地考慮進去。除此之外，在典型的元件模擬中，雜質的游離率都 假設 為 100% 。但實際上在高雜質濃度

的條件下是不符合的。在高雜質濃度的條件下亦會產生能隙縮減的量子效應，進而影響了電晶體的表現。因此，為了要得到更準確的模擬結果，同時考慮這兩項因素是必須的(非完全游離&能隙縮減模型)。然而，此模型是一束縛態問題，而飄移-擴散模型是非束縛態的問題，因此不容易在典型的飄移擴散模型上考慮此模型。在此論文中，我們設計了一套新的方法，可以在飄移-擴散模型的前提下考慮隨機參雜(雜質數目、雜質位置)的影響，且同時計算出雜質的游離率和能隙縮減的量。接著利用蒙地卡羅方法探討在平面電晶體的電流電壓的變異性。

半導體元件物理學第四版（上冊）

為了解決MOSFET的問題，作者施敏,李義明,伍國珏 這樣論述：

最新、最詳細、最完整的半導體元件參考書籍   　　《半導體元件物理學》（Physics of Semiconductor Devices）這本經典著作，一直為主修應用物理、電機與電子工程，以及材料科學的大學研究生主要教科書之一。由於本書包括許多在材料參數及元件物理上的有用資訊，因此也適合研究與發展半導體元件的工程師及科學家們當作主要參考資料。   　　Physics of Semiconductor Devices第三版在2007 年出版後（中譯本上、下冊分別在2008 年及2009 年發行），已有超過1,000,000 篇與半導體元件的相關論文被發表，並且在元件概念及性能上有許多突破，顯

然需要推出更新版以繼續達到本書的功能。在第四版，有超過50% 的材料資訊被校正或更新，並將這些材料資訊全部重新整理。   　　全書共有「半導體物理」、「元件建構區塊」、「電晶體」、「負電阻與功率元件」與「光子元件與感測器」等五大部分：第一部分「半導體物理」包括第一章，總覽半導體的基本特性，作為理解以及計算元件特性的基礎；第二部分「元件建構區塊」包含第二章到第四章，論述基本的元件建構區段，這些基本的區段可以構成所有的半導體元件；第三部分「電晶體」以第五章到第八章來討論電晶體家族；第四部分從第九章到第十一章探討「負電阻與功率元件」；第五部分從第十二章到第十四章介紹「光子元件與感測器」。（中文版上冊

收錄一至七章、下冊收錄八至十四章，下冊預定於2022年12月出版）   第四版特色   　　1.超過50%的材料資訊被校正或更新，完整呈現和修訂最新發展元件的觀念、性能和應用。   　　2.保留了基本的元件物理，加上許多當代感興趣的元件，例如負電容、穿隧場效電晶體、多層單元與三維的快閃記憶體、氮化鎵調變摻雜場效電晶體、中間能帶太陽能電池、發射極關閉晶閘管、晶格—溫度方程式等。   　　3.提供實務範例、表格、圖形和插圖，幫助整合主題的發展，每章附有大量問題集，可作為課堂教學範例。   　　4.每章皆有關鍵性的論文作為參考，以提供進一步的閱讀。

具有綠光雷射結晶多晶矽通道之T型閘薄膜電晶體射頻特性分析

為了解決MOSFET的問題，作者葉宇婕 這樣論述：

本論文中，我們研究具有T型閘極、空氣邊襯及矽化閘/源/汲極多晶矽薄膜電晶體的射頻特性。為了提升多晶矽薄膜的晶粒尺寸，我們使用綠光奈秒雷射來製備厚度為50 nm與100 nm的多晶矽薄膜。結果顯示厚度為100 nm的薄膜能得到等效尺寸大於1 μm的晶粒大小，遠優於50 nm厚的多晶矽薄膜。我們於元件製作時採用了新穎的T型閘極技術，不僅降低元件的閘極電阻，也使電晶體具有比微影技術解析極限更小的閘極線寬，使轉導得以大幅提升。我們也分別利用高溫的快速熱退火及低溫的微波退火來活化源汲極雜質。在通道厚度為100 nm並以快速熱退火進行源汲極活化的多晶矽薄膜電晶體中，對最小通道長度達124 nm之元件，截

止頻率可達59.7 GHz，最大震盪頻率亦可達34 GHz。具有相同通道厚度並以微波退火來活化雜質的電晶體中，當通道長度微縮至102 nm，元件的截止頻率更高達63.6 GHz，最大震盪頻率亦可達29.7 GHz。相較過往文獻報導的多晶矽薄膜元件，我們以微波活化源汲極的薄膜電晶體達到了最高的截止頻率。