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以低溫電漿結合光觸媒去除異丙醇之可行性研究

為了解決k&n高流量空濾缺點的問題，作者梁芳瑜 這樣論述：

台灣高科技產業蓬勃發展，其中包括半導體、光電業等，而在此兩大產業的製程中經常使用大量的有機溶劑進行清洗，因而衍生大量的揮發性有機物(volatile organic compound, VOCs)，其中以異丙醇(Isopropanol, IPA)及丙酮(Acetone)為此兩大產業的最大排放量，其可能透過管線溢散或管道排放至大氣中造成環境污染及人體危害等問題，因此為保護環境及人體健康，針對揮發性有機物做有效的控制與防制，勢必會成為重要的環保課題之一。本研究以IPA做為標的污染物，利用低溫電漿(Non-Thermal Plasmas, NTPs)技術中的介電質放電(Dielectric Bar

rier Discharge, DBD)結合自製光觸媒予以去除，再以GC-FID、二氧化碳及臭氧偵測器，藉以探討IPA轉化效率、中間產物及其副產物之選擇率與臭氧濃度。本研究以氣體流量為0.8 L/min、IPA進口濃度1500 ppm ± 10%，探討放電間距變化對於單獨電漿之影響，再以不同鍛燒溫度及銅負載量之自製光觸媒結合電漿，找出最佳觸媒，並以最佳效能之觸媒探討不同初始濃度、不同含氧量、最佳觸媒使用克數及可重複使用次數。自製光觸媒透過ICP-AES及EDX分析，結果顯示金屬含量會隨著負載濃度的增加而增加；BET則證實比表面積會隨著鍛燒溫度及金屬負載含量增加而減少，而經EDX element

al mapping 可得知Cu與Ti在表面上呈現均勻分布，XPS擬合證明各合成之觸媒中皆含有Ti、Cu、C及O各原子之峰值。研究結果顯示，最佳放電間距為3 mm，而在鍛燒溫度550 ℃與負載濃度1.8 %時為最佳觸媒製備條件，反應60 min時有最佳的IPA轉化率、丙酮及二氧化碳選擇率，但臭氧降解並非最有效。初始濃度對於光觸媒結合電漿系統之比較，顯示IPA轉化率均隨著初始濃度的增加呈現下降趨勢，當載流氣體含氧量為100 %時，IPA轉化率可達到將近100 %且反應60 min時的丙酮與二氧化碳選擇率也表現出較佳的選擇性，但缺點為尾端的臭氧濃度為最高。

AISI 316L 不銹鋼經陰極電弧沉積法披覆CrCuN 陶瓷硬膜之特性研究

為了解決k&n高流量空濾缺點的問題，作者孫浩筠 這樣論述：

本研究以陰極電弧沉積法(Cathodic arc deposition, CAD)於AISI 316L沃斯田體不銹鋼表面披覆CrCuN陶瓷硬膜，利用不同開孔面積率之不銹鋼網作為過濾器(Filter)以過濾Cu元素，探討不同Cu含量對於CrCuN陶瓷硬膜之化學組成、薄膜結構、表面粗糙度及附著性等，另依實務需求，進行磨耗試驗、腐蝕磨耗試驗、極化試驗和抗菌試驗，針對不同Cu含量之CrCuN陶瓷硬膜進行比較，期許獲得具備抗磨耗、抗腐蝕、抗菌之三抗優質薄膜。實驗結果顯示，使用濾網的開孔面積率越小時，能使CrCuN薄膜中Cu含量減少，且濾網能有效地阻擋陰極電弧沉積法所產生的微滴沉積於薄膜，降低表面粗糙度

。當Cu含量較高時，薄膜硬度值隨之下降，反之，低含Cu量則會得到較高硬度的薄膜。在磨耗及腐蝕磨耗試驗中，含有1.18 at. % Cu之CrCuN陶瓷硬膜具有最大的H/E值，因此有最低的摩擦係數及最少的重量損失，在磨耗方面有較佳表現。在耐腐蝕能力上，CrCuN陶瓷硬膜中有結構及密度不同的Cu微滴，容易於交界處形成裂縫造成腐蝕，導致耐腐蝕能力下降。CrCuN陶瓷硬膜中Cu含量在22.34與12.71 at. %有99 %的抗菌率。