SS-2P Dcard的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列各種有用的問答集和懶人包

以鋁摻雜及氨電漿處理對矽鍺通道材料介面品質之研究

為了解決SS-2P Dcard的問題，作者鍾念儒 這樣論述：

本篇論文中，我們使用原子層沉積系統(ALD)中氨電漿對矽鍺介面進行氮化處理，並將氨電漿的結果對比鋁摻雜和氨電漿處理疊加的效果，以降低介面層中氧化鍺的含量作為研究主軸，希望藉此提升介面品質。首先，我們透過X射線光電子能譜學(XPS)對矽鍺(Si0.8Ge0.2)基板之介面層進行材料分析，其結果顯示，使用單純氨電漿處理於矽鍺基板上，介面層中存在氧化鍺的訊號，而使用鋁摻雜氨電漿的方式，氧化鍺的訊號被有效降低，表示介面層中幾乎沒有鍺氧鍵結。此外，透過沉積二氧化鉿於介面層上形成閘極堆疊的電容製作，其電性量測結果呈現出減少氧化層中氧化鍺的含量，可以有效降低介面能態密度(Dit)到1.41×1012 cm

-2eV-1。然而穿透式電子顯微鏡(TEM)的分析結果顯示鋁摻雜會形成較厚的介面層，進而造成等效閘極氧化層(EOT)變厚。我們嘗試進行縮薄氧化層厚度的實驗，但積累電容值仍無法有效提升，這是因為在不充足的氨電漿環境下會造成介面處有較高比例的氧化鍺形成。我們成功於矽鍺(Si0.8Ge0.2)基板上製作出P型的金氧半場效應電晶體，透過鋁摻雜和充足的氨電漿處理於介面層，可以有效的降低次臨界擺幅(S.S.)，並且能提升汲極電流開關比達到6.06×106。此外，矽鍺金氧半場效應電晶體的導通電流和電洞的等效遷移率都能獲得提升，這是源自於有效改善介面缺陷電荷，使得載子在矽鍺通道的傳輸過程中受到較小的庫倫散射所

致。

探討新型冠狀病毒疫苗專利暫時豁免之必要性

為了解決SS-2P Dcard的問題，作者張育華 這樣論述：

2019年冠狀病毒疾病（COVID-19）肆虐全球，截至2021年6月5日為止，全球至少371萬4923人死於冠狀病毒疾病，至少1億7249萬9930例確診。快速發展的COVID-19疫苗，成為控制疫情的最重要的手段之一，然而，各國間疫苗接種率的差異日益擴大，供應鏈整合不易、關鍵原物料短缺及疫苗專利等都被認為是造成疫苗供應不足且不均的主要原因。豁免專利的提案最初由南非和印度提出，原提案之豁免範圍係與預防、遏止與治療COVID-19相關的所有事項，修正版提案將豁免範圍限縮於預防、治療與遏止COVID-19之「健康產品與技術」。今（2021）年5月美國宣布支持世貿組織豁免疫苗專利提案，引發產業界

及各國領導人展開相關討論。本研究彙整相關報導及發表，認為簡化強制授權制度不足以解決疫情，且暫時豁免疫苗專利有其必要性，也進一步透過PEST分析，討論豁免專利之提案對台灣相關產業可能帶來的影響。基於人道考量及有助於疫苗普及化等理由，本文建議我國應該支持美國暫時豁免疫苗專利的提案，除了希望透過國際合作及早終結疫情，也期待藉此為國內廠商帶來更多代工機會、形成完整的疫苗產業鏈，並加速開發次世代疫苗及mRNA疫苗相關應用，為台灣生技業帶來正向影響。