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另外網站金屬氧化半導體場效電晶體MOSFET也說明：件，在大部分的應用中，基板本體會和源極接在一起，使源極、汲極和基板本體間的pn 接面永遠是. 不導通的，如此MOSFET 就變成和JFET 類似的三隻腳元件。
國立高雄科技大學 電機工程系 李孝貽所指導 鐘健彰的 利用直流磁控濺鍍技術製程Under Bump Metallurgy(UBM)層內鎳釩及銀薄膜之特性研究 （2021），提出mosfet應用關鍵因素是什麼，來自於鎳釩薄膜、銀薄膜、直流磁控、電阻率。
而第二篇論文建國科技大學 電機工程系暨研究所 張簡士琨所指導 江永文的 應用開關電容技術與耦合電感之昇壓轉換器的設計 （2020），提出因為有 耦合電感、開關電容、漏電感、電壓箝制的重點而找出了 mosfet應用的解答。
最後網站MagnaChip IPC/工業電腦應用元件 - 關於翰特則補充：關於MagnaChip MagnaChip Semiconductor (美格納半導體有限公司)為韓國的MOSFET 產品與服務企業，母公司為1979年成立的LG半導體，於2004年從海力士的非記憶體事...
硬件系統工程師寶典
為了解決mosfet應用 的問題，作者張志偉 這樣論述：
張志偉、王新才編著的《硬件系統工程師寶典》從實際電路設計入手，對硬件系統開發流程中的需求分析、概要設計、硬件開發平台搭建、原理圖的詳細設計、PCB的詳細設計進行綜合論述；對電路設計中的信號完整性（SI）、電源完整性（PI）、電磁兼容性（EMC）及DFX的基礎理論進行了分類總結並給出了對應這些理論的實際電路的設計方法及仿真分析的方法。全書共分9章，主要包括：硬件系統設計中的常見需求，設計中需要考慮的各類概要設計及開發平台的歸納，SI的理論分析及滿足SI的常用設計方法，PI的理論分析及滿足PI的常用設計方法，EMC／EMI 的理論分析及滿足EMC／EMI的常用設計方法，DFX的理論分析及滿足DFX
的常用設計方法，電路設計中常用各類器件的原理說明及常用電路的原理圖設計，對 PCB設計中的布局、布線及PCB的板級仿真分析進行了 歸納分類，對PCB設計的後續工作及PcB加工的技術要 求進行了歸納總結。本書適合從事硬件系統設計的相關技術人員閱讀，也可作為高等學校電子、通信類專業的高年級學生的教學參考書。 第1章 需求分析 1.1 功能需求 1.1.1 供電方式及防護 1.1.2 輸入與輸出信號類別 1.1.3 無線通信功能 1.2 整體性能要求 1.3 用戶接口要求 1.4 功耗要求 1.5 成本要求 1.6 IP和NEMA防
護等級要求 1.7 需求分析案例 1.8 本章小結第2章 概要設計及開發平台 2.1 ID及結構設計 2.2 軟件系統開發 2.2.1 無操作系統的軟件開發 2.2.2 有操作系統的軟件開發 2.2.3 軟件開發的一般流程 2.3 硬件系統概要設計 2.3.1 信號完整性的可行性分析 2.3.2 電源完整性的可行性分析 2.3.3 EMC的可行性分析 2.3.4 結構與散熱設計的可行性分析 2.3.5 測試的可行性分析 2.3.6 工藝的可行性分析 2.3.7 設計系統框圖及接口關鍵鏈路
2.3.8 電源設計總體方案 2.3.9 時鍾分配圖 2.4 PCB開發工具介紹 2.4.1 Cadence Allegro 2.4.2 Mentor系列 2.4.3 Zuken系列 2.4.4 Altium系列 2.4.5 PCB封裝庫助手 2.4.6 CAM350 2.4.7 Polar Si9000 2.5 RF及三維電磁場求解器工具 2.5.1 ADS 2.5.2 ANSYS Electromagnetics Suite 2.5.3 CST 2.5.4 AWR Design En
vironment 2.6 本章小結第3章 信號完整性（SI）分析方法 3.1 信號完整性分析概述 3.2 信號的時域與頻域 3.3 傳輸線理論 3.4 信號的反射與端接 3.5 信號的串擾 3.6 信號完整性分析中的時序設計 3.7 S參數模型 3.8 IBIS模型 3.9 本章小結第4章 電源完整性（PI）分析方法 4.1 PI分析概述 4.2 PI分析的目標 4.3 PI分析的設計實現方法 4.3.1 電源供電模塊VRM設計 4.3.2 直流壓降及通流能力 4.3.3 電源內層平面的設計 4.4 本章小結
第5章 EMC/EMI分析方法 5.1 EMC/EMI分析概述 5.2 EMC標准 5.3 PCB的EMC設計 5.3.1 EMC與SI、PI綜述 5.3.2 模塊划分及布局 5.3.3 PCB疊層結構 5.3.4 濾波在EMI處理中的應用 5.3.5 EMC中地的分割與匯接 5.3.6 EMC中的屏蔽與隔離 5.3.7 符合EMC的信號走線與回流 5.4 本章小結第6章 DFX分析方法 6.1 DFX分析概述 6.2 DFM——可制造性設計 6.2.1 印制板基板材料選擇 6.2.2 制造的工
藝及制造水平 6.2.3 PCB設計的工藝要求（PCB工藝設計要考慮的基本問題） 6.2.4 PCB布局的工藝要求 6.2.5 PCB布線的工藝要求 6.2.6 絲印設計 6.3 DFT——設計的可測試性 6.4 DFA——設計的可裝配性 6.5 DFE——面向環保的設計 6.6 本章小結第7章 硬件系統原理圖詳細設計 7.1 原理圖封裝庫設計 7.2 原理圖設計 7.2.1 電阻特性分析 7.2.2 電容特性分析 7.2.3 電感特性分析 7.2.4 磁珠特性分析 7.2.5 BJT應用分析
7.2.6 MOSFET應用分析 7.2.7 LDO應用分析 7.2.8 DC/DC應用分析 7.2.9 處理器 7.2.10 常用存儲器 7.2.11 總線、邏輯電平與接口 7.2.12 ESD防護器件 7.2.13 硬件時序分析 7.2.14 Datasheet與原理圖設計的前前後後 7.3 Pspice仿真在電路設計中的應用 7.4 本章小結第8章 硬件系統PCB詳細設計 8.1 PCB設計中的SIPIEMCEMIESDDFX 8.2 PCB的板框及固定接口定位 8.3 PCB的疊層結構：信號層與
電源平面 8.3.1 PCB的板材：Core和PP，FPC 8.3.2 傳輸線之Si9000阻抗計算 8.3.3 PCB平面層敷銅 8.4 PCB布局 8.4.1 PCB布局的基本原則 8.4.2 PCB布局的基本順序 8.4.3 PCB布局的工藝要求及特殊元器件布局 8.4.4 PCB布局對散熱性的影響：上風口、下風口 8.5 PCB布線 8.5.1 PCB布線的基本原則 8.5.2 PCB布線的基本順序 8.5.3 PCB走線中的Fanout處理 8.6 常見電路的布局、布線 8.6.1 電
源電路的布局、布線 8.6.2 時鍾電路的布局、布線 8.6.3 接口電路的布局、布線 8.6.4 CPU最小系統的布局、布線 8.7 PCB級仿真分析 8.7.1 信號完整性前仿真分析 8.7.2 信號時序Timing前仿真分析 8.7.3 信號完整性後仿真分析 8.7.4 電源完整性後仿真分析 8.7.5 PCB級EMC/EMI仿真分析 8.8 本章小結第9章 PCB設計後處理及Gerber輸出 9.1 板層走線檢查及調整 9.2 板層敷銅檢查及修整 9.3 絲印文字及LOGO 9.4 尺寸和公差標注
9.5 Gerber文檔輸出及檢查 9.6 PCB加工技術要求 9.7 本章小結附錄A Orcad PSpice仿真庫（capturelibrarypspice和capturelibrarypspiceadvanls目錄）附錄B Cadence Allegro調試錯誤及解決方法附錄C Allegro錯誤代碼對應表參考文獻
利用直流磁控濺鍍技術製程Under Bump Metallurgy(UBM)層內鎳釩及銀薄膜之特性研究
為了解決mosfet應用 的問題，作者鐘健彰 這樣論述：
由於近年來電動車的市場銷售量成倍數的成長，導致功率半導體的需求量大幅提升，而金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET, Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)就是功率半導體的一種，它通常可依作用領域的不同而分成低、中、高壓，三者最主要的差別在於導通電阻(RDS(ON)), Drain-Source On-state Resistance)的不同，那製作功率半導體時如何控制RDS(ON)的高低就變得極其重要。而本研究打算專注在正面金屬化這個製程上控制金屬間的阻值，藉此控制功率半導體的RDS(ON)。本實驗利用直流磁控濺鍍系統來沉積鎳
釩薄膜與銀薄膜，改變濺鍍條件如濺鍍功率及氬氣流量，沉積出不同成分的薄膜，探討薄膜之膜厚、沉積速率、均勻度、顯微結構及電阻率等分析。使用的儀器有場發射掃描式電子顯微鏡(FE-SEM, Field Emission Scanning Electron Microscope)、X射線螢光光譜儀(XRF, X-Ray Fluorescence Spectrometry)以及四點探針等。實驗結果顯示，在鎳釩薄膜與銀薄膜中，由於濺鍍功率的增加會使得薄膜沉積速率有大幅上升的趨勢。由結果發現，改變濺鍍功率對薄膜沉積速率的影響會遠大於改變氬氣流量，且薄膜沉積速率會隨著濺鍍功率的增加呈線性的趨勢上升，但在改變氬氣
流量的時候薄膜沉積速率不會有明顯的變化。不論在何種濺鍍條件下，薄膜電阻率值會隨著薄膜厚度的增加，而有下降的趨勢。綜合得知，濺鍍功率為影響薄膜沉積速率最主要的濺鍍參數，而濺鍍功率的變化，會影響到薄膜的厚度、沉積速率及晶粒大小，而薄膜在不同厚度下，電阻特性也因此而有所不同。
應用開關電容技術與耦合電感之昇壓轉換器的設計
為了解決mosfet應用 的問題，作者江永文 這樣論述：
本文提出一種結合開關電容與耦合電感所形成的昇壓轉換器。本轉換器主要是利用開關電容技術與調整耦合電感的圈數比來達成昇壓的功能。此外，耦合電感之漏電感能量，於開關截止期間能夠送至輸出端，使得功率開關上的電壓能有效地被箝制，因此轉換效率能夠提升。本文首先對所提昇壓轉換器做穩態電路動作分析，並推導出輸入與輸出電壓轉換關係。最後實際設計一個輸入為5 V，輸出為24 V/25 W之昇壓轉換器，並藉由模擬結果驗證此電源轉換器之電壓轉換關係、效率與開關電壓箝制等特性。