EV Mode ECO Mode的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列各種有用的問答集和懶人包

書中字有黃金屋 問題的答案無所不包論文書籍站 EV Mode ECO Mode

另外網站Toyota Prius - Wikipedia也說明：Among the new standard features of the Prius, Toyota introduced three user-selectable driving modes: EV mode for electric-only low-speed operation, Eco mode ...

國立臺灣科技大學 化學工程系 張家耀所指導 諾菲的 多功能環保量子點作為靶向雙成像和光動力癌症治療平台 （2021），提出EV Mode ECO Mode關鍵因素是什麼，來自於carbon quantum dots、Mn dopant、MRI、photodynamic therapy、photoluminescence。

而第二篇論文長庚大學 電子工程學系 賴朝松所指導 Mamina Sahoo的 基於石墨烯及生物碳基材料的可撓式電晶體應用與能量攫取 （2021），提出因為有 石墨烯、氟化石墨烯、太阳能电池、摩擦纳米发电机、生物碳、能量收集器的重點而找出了 EV Mode ECO Mode的解答。

最後網站LEXUS CT200h的EV、ECO、SPORT行車模式介紹 - YouTube則補充：LEXUS CT200h的 EV 、 ECO 、SPORT行車模式介紹http://car.cool3c.com/article/41665.

接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧：

除了EV Mode ECO Mode，大家也想知道這些：

EV Mode ECO Mode進入發燒排行的影片

NEW MG EP มาพร้อมดีไซน์ภายนอกที่ทันสมัย ด้วยกระจังหน้าแบบ Suspended Wing Grille ที่ตกแต่งด้วยโครเมียม และสี Piano Black ไฟหน้าแบบโปรเจคเตอร์ พร้อมไฟส่องสว่างในเวลากลางวัน LED Daytime Running Light พร้อมระบบควบคุมการเปิด-ปิดไฟหน้าอัตโนมัติ ไฟท้าย LED แบบ Electric Pulse Design และไฟเบรกดวงที่ 3 แบบ LED ล้ออัลลอยด์ดีไซน์แบบสปอร์ต ขนาด 16 นิ้ว

NEW MG EP ได้รับการตกแต่งภายใน ด้วยวัสดุผิวสัมผัสนุ่ม (Soft Touch) ดีไซน์เส้นสายแบบ CARBOXNYXE แสดงให้เห็นถึงความประณีต ในทุกรายละเอียด เบาะคู่หน้า ออกแบบตามหลัก สรีรศาสตร์ (Anti-Curved Surface Design) ซึ่งโอบรับ กับเส้นสายสรีระได้เป็นอย่างดี นั่งสบายตลอดเส้นทาง อีกทั้งยังมีฟังก์ชั่นอำนวยความสะดวก อาทิเช่น หน้าจอ Touchscreen ขนาด 8 นิ้ว ที่รองรับการเชื่อมต่อกับ Apple CarPlay และหน้าจอแสดงผลอัจฉริยะแบบดิจิตอล (Digital Multi-Function Display) ขนาด 7 นิ้ว ที่แสดงผลได้อย่างสวยงามและชัดเจน พร้อมระบบปรับอากาศแบบดิจิตอล กระจกมองหลังตัดแสง กระจกไฟฟ้า แบบ One Touch Up-Down ด้านคนขับ ที่จะทำให้การใช้งาน มีความง่ายมากยิ่งขึ้น

NEW MG EP มาพร้อมการติดตั้ง เทคโนโลยีระบบความปลอดภัยที่ครบครัน ตามมาตรฐาน โดยแต่ละระบบ จะมีการทำงานผสานกัน ทำให้เกิดความปลอดภัย และมีความมั่นใจในการขับขี่มากยิ่งขึ้น ประกอบด้วย

ระบบป้องกันล้อล็อกขณะเบรกฉุกเฉิน ABS (Anti-Lock Braking System)
ระบบกระจายแรงเบรก ด้วยอิเล็กทรอนิกส์ EBD (Electronic Brake Force Distribution)
ระบบเสริมแรงเบรก ด้วยอิเล็กทรอนิกส์ EBA (Electronic Brake Assist)
ระบบเบรกมือไฟฟ้า EPB (Electronic Parking Brake)
ระบบป้องกันการไหลของรถ โดยไม่ต้องเหยียบเบรกค้าง AVH (Auto Vehicle Hold)
ระบบควบคุมการทรงตัว SCS (Stability Control System)
ระบบควบคุมการเบรก ในขณะเข้าโค้ง CBC (Curve Brake Control)
ระบบป้องกันล้อหมุนฟรี และควบคุมการลื่นไถล TCS (Traction Control System)
ระบบช่วยการออกตัวบนทางลาดชัน HAS (Hill Start Assist System)
ระบบสัญญาณไฟแจ้งเตือน เมื่อมีการเบรกฉุกเฉิน ESS (Emergency Stop Signal)
ระบบตรวจสอบความผิดปกติของลมยาง TPMS (Tire Pressure Monitor System)

นอกจากนี้ ยังมีการติดตั้งระบบควบคุมความเร็วอัตโนมัติ (Cruise Control) ไฟส่องนำทาง หลังจากดับเครื่องยนต์ (Follow Me Home Light) จุดยึดเบาะ ISOFIX เข็มขัดนิรภัยคู่หน้า แบบดึงรั้งกลับ ถุงลมนิรภัยคู่หน้า กล้องมองหลัง พร้อมสัญญาณเตือนระยะถอยหลัง และระบบกุญแจนิรภัย แบบ Immobilizer

นอกจากนี้ ยังมีการติดตั้งระบบควบคุมความเร็วอัตโนมัติ (Cruise Control) ไฟส่องนำทาง หลังจากดับเครื่องยนต์ (Follow Me Home Light) จุดยึดเบาะ ISOFIX เข็มขัดนิรภัยคู่หน้า แบบดึงรั้งกลับ ถุงลมนิรภัยคู่หน้า กล้องมองหลัง พร้อมสัญญาณเตือนระยะถอยหลัง และระบบกุญแจนิรภัย แบบ Immobilizer

NEW MG EP ขับเคลื่อนด้วยพลังงานไฟฟ้า 100% โดยใช้แบตเตอรี่ Lithium-Ion มีความจุรวม ถึง 50.3 kWh ทำให้สามารถขับเคลื่อนด้วยไฟฟ้า ได้ระยะทางไกล ถึง 380 กิโลเมตร ต่อการชาร์จเต็ม 1 ครั้ง (ทดสอบตามมาตรฐานความประหยัดพลังงาน New European Driving Cycle - NEDC) นอกจากนี้ แบตเตอรี่ของ NEW MG EP ยังได้รับการทดสอบ ตามมาตรฐานการป้องกันน้ำและฝุ่น ระดับ IP67 พร้อมด้วยระบบ ระบายความร้อน แบบ Liquid Cooling System ที่จะช่วยให้แบตเตอรี่ ทำงานได้อย่างมีประสิทธิภาพ และปลอดภัย ภายใต้สภาวะต่างๆ

ในด้านของสมรรถนะ NEW MG EP ขับเคลื่อนด้วยมอเตอร์ไฟฟ้ากำลังสูง แบบ Permanent Magnet Synchronous Motor ให้พละกำลังสูงสุด 163 แรงม้า พร้อมแรงบิด 260 นิวตัน-เมตร ทำงานร่วมกับเกียร์ไฟฟ้า สามารถทำอัตราเร่ง 0-100 ได้ภายใน 8.8 วินาที และทำความเร็วสูงสุด ได้ที่ 185 กิโลเมตร/ชั่วโมง มาพร้อมรูปแบบการขับขี่ ทั้งหมด 3 โหมด ได้แก่ โหมด Normal โหมด Eco และ โหมด Sport

NEW MG EP สามารถชาร์จไฟฟ้าได้ 2 แบบ คือ Quick Charge แบบ DC ผ่านหัวชาร์จประเภท CCS Combo 2 โดยชาร์จพลังงานตั้งแต่ 0 – 80% ในระยะเวลาประมาณ 40 นาที และ Normal Charge แบบ AC ชาร์จพลังงานตั้งแต่ 0 – 100% ผ่าน MG Home Charger ที่เป็นหัวชาร์จ TYPE II ใช้เวลาประมาณ 7 ชั่วโมง 15 นาที ซึ่งระยะเวลาในการชาร์จนั้น จะขึ้นอยู่กับระดับแบตเตอรี่ที่เหลืออยู่ นอกจากนี้ ยังสามารถชาร์จพลังงานในระหว่างการขับขี่ กลับเข้าแบตเตอรี่ (Regenerative) ด้วย KERS Mode (Kinetic Energy Recovery System) โดยเลือกระดับการชาร์จพลังงานกลับ ได้ถึง 3 ระดับ

ระบบกันสะเทือนของช่วงล่าง แบบ Euro Tuning Suspension เสริมด้วยระบบช่วงล่างหน้า แบบ MacPherson Strut พร้อมเหล็กกันโคลง และช่วงล่างหลัง แบบทอร์ชั่นบีม ทำให้มั่นใจยิ่งขึ้น เมื่อขับขี่บนทุกสภาพถนน

มาพร้อมกับการดูแลรักษาที่ง่าย และมีค่าใช้จ่ายต่ำ ทั้งในเรื่องของค่าใช้จ่ายด้านพลังงาน ที่ได้จากการชาร์จ ผ่าน MG Home Charger ง่ายๆที่บ้าน โดยสามารถชาร์จ จาก 0-100% และมีค่าใช้จ่าย ซึ่งเป็นค่าไฟฟ้า ประมาณ 200 บาท*ต่อการชาร์จไฟ 1 ครั้ง รวมถึงค่าใช้จ่าย ในการบำรุงรักษาตามระยะทาง ตลอดระยะเวลา 5 ปี หรือ 100,000 กิโลเมตร อย่างใดอย่างหนึ่งถึงก่อน จะมีค่าใช้จ่ายรวม ไม่เกิน 8,000 บาท อีกทั้งการบำรุงรักษาแบตเตอรี่ในระยะยาว MG ยังนำเทคโนโลยีการเปลี่ยนแบตเตอรี่ แบบ Module มาใช้ ในกรณีหากจำเป็นต้องมีการบำรุงรักษา สามารถแยกเปลี่ยนเฉพาะ Module นั้นๆได้ โดยไม่จำเป็นต้องเปลี่ยนทั้งชุด จึงช่วยลดค่าใช้จ่าย ในระยะยาวได้

多功能環保量子點作為靶向雙成像和光動力癌症治療平台

為了解決EV Mode ECO Mode的問題，作者諾菲 這樣論述：

Recommendation letter iiAbstract in chinese iiiAbstract in english vAcknowledgments viiContents viiiList of figures xiiList of tables xviiList of abbreviation ixChapter 1. Introduction 11.1 General introduction 21.2 Objective of study 61.3 Structure of the dissert

ation 6Chapter 2. Literature review 82.1 Nanoparticles 92.2 Semiconductor quantum dots 102.3 The quantum confinement, optical properties, and core/shell structure of QDs 122.4 Synthesis of QDs 192.4.1 Nucleation and growth 212.4.2 Hot injection method 252.4.3 Heat-up method

282.4.4 Solvothermal approach 312.4.5 Hydrothermal approach 332.4.6 Microwave irradiation approach 352.5. Folate receptor targeting agents 382.6 QDs biomedical applications 422.6.1 Optical imaging 422.6.2 Magnetic resonance imaging (MRI) 442.6.3 Drug delivery 462.6.4 Photo

‑dynamic therapy (PDT) and Photo‑thermal (PTT) therapy 59Chapter 3. Manganese-doped green tea-derived carbon quantum dots as a targeted dual imaging and photodynamic therapy platform 483.1 Introduction 523.2 Experimental methods 533.2.1 Materials 553.2.2 Synthesis of Mn-CQD 563.2.

3 Preparation of Mn-CQDs@FA/Ce6 563.2.4 Characterization 573.2.5 Cell structure and viability evaluation 583.2.6 In vitro photodynamic cancer cells’ ablation 593.2.7 Cell imaging 603.3 Results 603.3.1 Synthesis of Mn-CQDs 603.3.2 Preparation of Mn-CQDs@FA/Ce6 643.3.3 Photolu

minescence characteristics and ROS generation of Mn-CQDs@FA/Ce6 conjugates 663.3.4 Mn-CQDs as MRI contrast agents 693.3.5 In vitro cellular uptake and therapeutic effect 723.4 Discussion 753.5 Summary 77Chapter 4. Multifunctional MnCuInSe/ZnS quantum dots for bioimaging and photodyna

mic therapy 794.1 Introduction 804.2 Experimental methods 834.2.1 Materials 834.2.2 Synthesis of the CuInS, CuInSe, MnCuInSe core and CuInS/ZnS, CuInSe/ZnS and MnCuInSe/ZnS core/shell carbon quantum dots 844.2.3 Characterization 854.2.4 Optical and photoluminescence properties of

MnCuInSe/ZnS assay 854.2.5 Photoactivity assessment of MnCuInSe/ZnS 864.2.6 In Vitro MR 864.2.7 Cell culture and in vitro cytotoxicity evaluation 874.2.8 Cell imaging 884.3. Results and discussion 884.3.1. Synthesis and characterization of MnCuInSe/ZnS 884.3.2 Optical and photol

uminescence properties of MnCuInSe/ZnS 904.3.3 Stability of MnCuInSe/ZnS QDs colloidal solution 944.3.4 ROS generation of MnCuInSe/ZnS 974.3.5 Magnetic resonance imaging 984.3.6 In vitro cellular uptake and therapeutic effect 1014.3.7 Confocal imaging 1024.4. Summary 105Chapte

r 5. Conclusions 1065.1 Conclusions 1075.2 Future outlooks 109References 110Appendix 134

基於石墨烯及生物碳基材料的可撓式電晶體應用與能量攫取

為了解決EV Mode ECO Mode的問題，作者Mamina Sahoo 這樣論述：

Table of ContentsAbstract.......................................................................................................iFigure Captions........................................................................................xiTable Captions...................................................

....................................xxiChapter 1: Introduction1.1 Flexible electronics................................................................................11.2 Graphene the magical material ………………………….……….......21.2.1 Synthesis of graphene…………………………….….…...21.2.1.1 Mechanical exfoliati

on of graphene………………...……21.2.1.2 Epitaxial growth on Sic substrate………………….…..31.2.1.3 Chemical vapor deposition (CVD) method………….…..41.2.2 Graphene transfer…………………………………………....41.3 Application of graphene based Electronics……………………….......51.3.1 Graphene based flexible transparent electrode

……………….61.3.2 Top gated Graphene field effect transistor…………………….71.4 Challenges of flexible graphene based field effect transistors.……….91.5 Energy harvesting devices for flexible electronics………….........….91.6 Solar cell…………………………………………………………...101.6.1 Device architecture…………………………………………101.

6.2 Issues and Challenges of Perovskite solar cells………...121.7 Triboelectric nanogenerator (TENG)………………………………121.7.1 Working mode of TENG………………………………….141.8 Applications of TENG………………………………………………151.8.1 Applications of graphene based TENG…………………....151.8.2 Applications of bio-waste material ba

sed TENG………….171.9 Key challenges of triboelectric nanogenerator…………………....…191.10 Objective and scope of this study………………………………....19Chapter 2: Flexible graphene field effect transistor with fluorinated graphene as gate dielectric2.1 Introduction………………………………………………………....212.2 Material preparation a

nd Device fabrication………………. 232.2.1CVD Growth of Graphene on Copper Foil………………….232.2.2 Transfer of graphene over PET substrate……………...........252.2.3 Fabrication of fluorinated graphene ……………...........252.2.4 F-GFETs with FG as gate dielectric device fabrication……262.2.5 Material and electrical C

haracterization …………………272.3 Results and discussion…………………………………………….282.3.1 Material characterization of PG and FG……………...…...….282.3.2 Electrical characterization of F-GFET with FG as dielectrics..332.3.3 Mechanical stability test of F-GFET with FG as dielectrics ….362.4 Summary…………………………………………………

………....40Chapter 3: Robust sandwiched fluorinated graphene for highly reliable flexible electronics3.1 Introduction………………………………………………………….423.2 Material preparation and Device fabrication ………………….........443.2.1 CVD Growth of Graphene on Copper Foil…………………...443.2.2 Graphene fluorination …...…….…………

…………..............443.2.3 F-GFETs with sandwiched FG device fabrication....................443.2.4 Material and electrical Characterization…..............................453.3 Results and discussion ……………………………………...............453.3.1 Material characterization of sandwiched…………………….453.3.2 Electric

al characterization of F-GFET with sandwiched FG....473.3.3 Mechanical stability test of F-GFET with sandwiched FG…503.3.4 Strain transfer mechanism of sandwiched FG………………513.4 Summary…………………………………………………………....53Chapter 4: Functionalized fluorinated graphene as a novel hole transporting layer for ef

ficient inverted perovskite solar cells4.1 Introduction………………………………………………………….544.2 Material preparation and Device fabrication......................................564.2.1 Materials ………………………...…………………………564.2.2 CVD-Graphene growth ……………………………...…...564.2.3 Graphene fluorination …………………………………….564.

2.4 Transfer of fluorinated graphene…………………………...574.2.5 Device fabrication …………………………………….….574.2.6 Material and electrical Characterization …….....................584.3 Results and discussion …………………………………………….594.3.1 Surface electronic and optical properties of FGr……….….594.3.2 Characterization o

f FGr and perovskite surface ……….…644.3.3 Electrical performance of PSC………………….…….…...694.3.4 Electrical performance of Flexible PSC……………………724.4 Summary…………………………………………………………...78Chapter 5: Flexible layered-graphene charge modulation for highly stable triboelectric nanogenerator5.1 Introduction…………

…………………………………………....795.2 Experimental Section……………………………………………….825.2.1 Large-area graphene growth ……………………………….825.2.2 Fabrication of Al2O3 as the CTL …………………………...825.2.3 Fabrication of a Gr-TENG with Al2O3 as the CTL………825.2.4 Material characterization and electrical measurements…….835.3 Results

and discussion.…………………………………...…………845.3.1 Material Characterization of Graphene Layers/Al2O3……845.3.2 Working Mechanism of Gr-TENG with Al2O3 as CTL…915.3.3 Electrical Characterization of Gr-TENG with Al2O3 CTL…945.3.4 Applications of the Gr-TENG with Al2O3 as CTL……….1015.4 Summary…………………………………………

……………….103Chapter 6: Eco-friendly Spent coffee ground bio-TENG for high performance flexible energy harvester6.1 Introduction…………………………………………………….......1046.2 Experimental Section…………………………………………….1086.2.1 Material Preparation …………………………………….1086.2.2 Fabrication of SCG powder based TENG………………...1086

.2.3 Fabrication of SCG thin-film based TENG ………………1096.2.4 Material characterization and electrical measurements….1106.3 Results and discussion.…………………………………...………1116.3.1 Material Characterization of SCG powder and thin film….1116.3.2 Working Mechanism of SCG-TENG……………………...1186.3.3 Electrical Cha

racterization of SCG-TENG……………….1226.3.4 Applications of the SCG thin-film based TENG………….1326.4 Summary………………………………………………………….134Chapter 7: Conclusions and future perspectives7.1 Conclusion………………………………………………………....1357.2 Future work …………………………….………………………….1377.2.1 Overview of flexible fluorinated g

raphene TENG..............1377.2.1.1 Initial results………………………………….…1387.2.2.1.1 Fabrication of FG-TENG………………1387.2.2.1.2 Working principle of FG-TENG……….1397.2.2.1.3 Electrical output of FG-TENG.………...140References…………………………………………………………….142Appendix A: List of publications………………….……………..........177A

ppendix B: Fabrication process of GFETs with fluorinated graphene (FG) as gate dielectric……........……………………………………….179Appendix C: Fabrication process of GFETs with sandwiched FG…....180Appendix D: Fabrication process of inverted perovskite solar cell with FGr as HTL…………………………………………………………….181Appendi

x E: Fabrication of a Gr-TENG with Al2O3 as the CTL…….182Appendix F: Fabrication of SCG based triboelectric nanogenerator….183Figure captionsFigure 1-1 Exfoliated graphene on SiO2/Si wafer……………………….3Figure 1-2 Epitaxial graphene growth on SiC substrate………………....3Figure 1-3 Growth mechanism of graphe

ne on Cu foil by CVD ……......4Figure 1-4 Wet transfer process of CVD grown graphene…………...….5Figure 1-5 RGO/PET based electrodes as a flexible touch screen.……....6Figure 1-6 Graphene based (a) touch panel (b) touch-screen phone…….7Figure 1-7 Flexible graphene transistors (a) (Top) Optical photograph

of an array of flexible, self-aligned GFETs on PET. (Bottom) The corresponding schematic shows a device layout. (b) Schematic cross-sectional and top views of top-gated graphene flake–based gigahertz transistors. (Left) AFM image of a graphene flake. (Right) Photograph of flexible graphene devices

fabricated on a PI substrate. (c) Cross-sectional schematic of flexible GFETs fabricated using a self-aligned process……8Figure 1-8 The magnitude of power needed for meet certain operation depending critically on the scale and applications………………………10Figure 1-9 Schematic diagrams of PSC in the (a) n-i

-p mesoscopic, (b) n-i-p planar, (c) p-i-n planar, and (d) p-i-n mesoscopic structures………...12Figure 1-10 Schematic illustration of the first TENG...………………...13Figure 1-11 Working modes of the TENG. (a) The vertical contact-separation mode. (b) The lateral sliding mode. (c) The single-electrode mode

. (d) The free-standing mode ………………………………...……14Figure 1-12 Schematic illustration of (a) device fabrication of graphene-based TENGs (b) graphene/EVA/PET-based triboelectric nanogenerators (c) device fabrication of stretchable CG based TENG with electrical output performance……………………………………………………...17

Figure 1-13 Schematic illustration and output performance of bio-waste material based TENG (a) Rice-husk (b) Tea leaves (c) Sun flower powder (SFP) (d) Wheat stalk based TENG………….…………………………18Figure 2-1 Graphene synthesis by LPCVD method……….…………...24Figure 2-2 Schematic diagram of (a) preparation pro

cess of 1L-FG/copper foil (b) Layer by layer assembly method was used for fabricating three-layer graphene over copper foil and then CF4 plasma treatment from top side to form 3L-FG/copper foil…………………….26Figure 2-3 Schematic illustration of fabrication process of F-GFET with FG as gate dielectric ……

……………………………………………….27Figure 2-4 (a) Raman spectra of PG, 1L-FG and 3L-FG after 30 min of CF4 plasma treatment over copper foil. (b) Peak intensities ratio ID/IG and optical transmittance of PG, 1L-FG and 3L-FG. Inset: image of PG and 1L-FG film over PET substrate. (c) Typical Raman spectra of PG, 1L

-FG and 3L-FG on PET substrate. (d) Optical transmittance of PG, 1L-FG and 3L-FG film over PET substrate. The inset shows the optical image of GFETs with FG as gate dielectrics on PET ……….…………30Figure 2-5 XPS analysis result of (a) PG (b) 1L-FG (c) 3L-FG where the C1s core level and several carbon f

luorine components are labeled. The inset shows the fluorine peak (F 1s) at 688.5 eV……………………….32Figure 2-6 (a) Water contact angle of PG, 1L-FG and 3L-FG over PET substrate. (b) The relationship between water contact angle of PG, 1L-FG and 3L-FG and surface-roughness………………………………………33Figure 2-7 (a) I

d vs. Vd of w/o-FG, w/1L-FG and w/3L-FG samples after 30 min of CF4 plasma (b) Id vs. Vg of w/o-FG, w/1L-FG and w/3L-FG samples at a fixed value of drain to source voltage, Vds of 0.5 V (c) Gate capacitance of w/o-FG, w/1L-FG and w/3L-FG samples (d) Gate leakage current of w/o-FG (naturally formed A

l2OX as gate dielectric), w/1L-FG and w/3L-FG samples ……………………………...…………...……...34Figure 2-8 (a) Schematic illustration of bending measurement setup at different bending radius. (i) Device measurement at (i) flat condition (ii) bending radius of 10 mm (iii) 8 mm (iv) 6 mm. Inset shows the photograph

of measurement setup. Change in (b) carrier mobility (c) ION of w/o-FG, w/1L-FG and w/3L-FG samples as a function of bending radius. The symbol ∞ represents the flat condition. Change in (d) carrier mobility (e) ION of w/o-FG, w/1L-FG and w/3L-FG samples as a function of bending cycles (Strain = 1.

56%)…………………………………….38Figure 3-1 Schematic illustration of the flexible top gate graphene field effect transistor with sandwich fluorinated graphene (FG as gate dielectric and substrate passivation layer) ……………………………...…………44Figure 3-2 Raman spectra of (a) PG/PET and PG/FG/PET substrate (b) sandwiche

d FG (FG/PG/FG/PET). Inset showing the optical transmittance of sandwiched FG. (c) HRTEM image for 1L-FG.……………….….…46Figure 3-3 (a) Id vs. Vd of FG/PG/FG device at variable vg (−2 to 2 V). (b) Id vs. Vg of FG/PG/FG. (c) Gate capacitance of FG/PG/FG ….…….48Figure 3-4 Raman spectra of devices under be

nding (a) PG/PET (Inset shows the 2D peak) (b) PG/FG/PET (inset shows the 2D peak) …….…49Figure 3-5 (a) Change in Mobility (b) change in ION of PG/PET and PG/FG/PET as a function of bending radius between bending radii of ∞ to 1.6 mm in tensile mode (c) Change in Mobility (d) Change in ION of PG/PET

and PG/FG/PET as a function of bending cycles. Inset of (c) shows the photograph of F-GFETs with sandwich FG on the PET substrate (e) change in resistance of w/1L-FG, 1L-FG/PG/1L-FG samples as a function of bending radius ………………………...……………….50Figure 3-6 Schematic evolution of proposed strain transf

er mechanism through PG/PET and PG/FG/PET. The inset of PG/PET sample shows the generation of sliding charge due to interfacial sliding between PG and PET ………………………………………………………………….….52Figure 4-1 FGr fabrication and transfer process …………….………....57Figure 4-2 (a) Raman analysis of pristine graphene a

nd the FGr samples after 5, 10, 20, and 30 min of CF4 plasma treatment over Cu foil (b) Raman intensity ratios (I2D/IG and ID/IG) of fluorinated graphene, with respect to the exposure time ……………………………………………60Figure 4-3 SEM images of (a) ITO, (b) ITO/1L-FGr, (c) ITO/2L-FGr, and (d) ITO/3L-FGr …………………

………………………………….61Figure 4-4 XPS analysis of FGr with (a) 5 min (b) 10 min and (c) 20 min of CF4 plasma treatment on the Cu foil (d) The fluorine peak (F1s) of FGr (f) The correlation of the carbon-to-fluorine fraction (C/F) with exposure time and the corresponding carrier concentrations …………….………62Fi

gure 4-5 Tauc plots and UV–Vis absorption spectra of FGr films with CF4 plasma treatment for (a) 5, (b) 10, and (c) 20 min ….………......….63Figure 4-6 WCAs on PEDOT: PSS and 1L, 2L, and 3L FGr samples ...64Figure 4-7 (a) Mechanism of large grain growth of perovskite on a non-wetting surface (b) Top-vi

ew and cross-sectional surface morphologies of perovskites on various HTLs ………………………………...…………65Figure 4-8 XRD of perovskite films on various HTL substrates ….…...66Figure 4-9 UPS spectra of various numbers of FGr layers on ITO: (a) cut-off and (b) valance band spectra …………………………………….….67Figure 4-10

Energy band diagrams of PSCs with (a) PEDOT: PSS, (b) 1L-FGr, (c) 2L-FGr, and (d) 3L-FGr as HTL …………………….…….68Figure 4-11 (a) Steady state PL spectra of PEDOT: PSS/perovskite and FGr/perovskite films. (b) TRPL spectral decay of PEDOT: PSS/perovskite and FGr/perovskite films………………………….……69Figure 4-1

2 (a) Schematic representation of a PSC having an inverted device configuration. (b) Cross-sectional HRTEM image of the ITO/ FGr–perovskite interface………………………………………...………70Figure 4-13 Photovoltaic parameters of PSCs incorporating various HTL substrates: (a) PCE (%), (b) Voc (V), (c) Jsc (mA/cm2), an

d (d) FF (%)....71Figure 4-14 Normalized PCEs of target and control PSCs incorporating various HTL substrates, measured in a N2-filled glove box. (a) Thermal stability at 60 °C (b) Light soaking effect under 1 Sun (c) Stability after several days …………………………………………………………….72Figure 4-15 (a) Schematic r

epresentation of the structure of a flexible PSC on a PET substrate (b) J–V curves of control and target flexible PSCs, measured under both forward and reverse biases. (c) Average PCE of flexible PSCs incorporating PEDOT: PSS and FGr HTLs……….…73Figure 4-16 (a) Normalized averaged PCEs of the flexibl

e PSCs after bending for 10 cycles at various bending radii. (b) Normalized averaged PCEs of the flexible PSCs plotted with respect to the number of bending cycles at a radius of 6 mm ………………………………………………75Figure 4-17 Photovoltaics parameters of flexible PSCs with various HTL substrates: (a) JSC (mA/c

m2), (b) Voc (V), and (c) FF (%) ……………....75Figure 4-18 XRD patterns of perovskite films on PET/ITO/FGr, recorded before and after bending 500 times …………………………………….76Figure 4-19 SEM images of (a) perovskite films/FGr/ITO/PET before bending (b) after bending 500 times (c) perovskite films/PEDOT: PSS/

ITO/PET before bending (d) after bending 500 times ……………….…77Figure 4-20 PL spectra of perovskite films on PET/ITO/FGr, recorded before and after various bending cycles …………………………….…78Figure 5-1 Schematic illustration showing the fabrication process of a flexible Gr-TENG with Al2O3 as the CTL ……………

………………...83Figure 5-2 The Raman spectra of (a) graphene/Al-foil/PET and (b) graphene/Al2O3/Al-foil/PET. The I2D/IG of graphene layers (1L, 3L and 5L) over (c) Al-foil/PET substrate (d) Al2O3/Al-foil/PET substrate …...85Figure 5-3 XRD patterns of (a) graphene/Al-foil/PET and (b) graphene/Al2O3/Al-foi

l/PET ……………………………………………86Figure 5-4 FESEM image of the graphene surface on (a) Al-foil/PET and (b) Al2O3/Al-foil/PET. EDS analysis of (c) graphene/Al-foil/PET and (d) graphene/Al2O3/Al-foil/PET (e) EDS elemental mapping of the graphene/Al2O3/Al-foil/PET presenting C K series, O K series and Al K ser

ies …………………………………………………………….………87Figure 5-5 3D AFM images of (a) 1L-Gr (b) 3L-Gr (c) 5L-Gr on Al foil (d) 1L-Gr (e) 3L-Gr (f) 5L-Gr on Al2O3/Al foil………………….….….89Figure 5-6 Work function of graphene layers on the (a) Al-foil (b) Al2O3/Al-foil substrate by KPFM. Inset showing the surface potential of

graphene layers (1L, 3L and 5L) over Al-foil and Al2O3 substrate (c) energy band diagrams for 1L-Gr, 3L-Gr and 5L-Gr over Al2O3 ……....90Figure 5-7 Schematic illustration of Electronic energy levels of graphene samples and AFM tip without and with electrical contact for three cases: (i) tip and the

1L-Gr (ii) tip and the 3L-Gr and (iii) tip and the 5L-Gr over Al2O3/Al foil/PET……………………………………….…...…………91Figure 5-8 Working mechanism of Gr-TENG with Al2O3 ….….…...…93Figure 5-9 a) ISC and (b) VOC of 1L-, 3L- and 5L-Gr-TENGs without Al2O3 CTL (c) Sheet resistance of graphene as a function of number

of layers ………………………………...…...…………………………….95Figure 5-10 Electrical output of the Gr-TENG with Al2O3 CTL: (a) ISC and (b) VOC of 1L-, 3L- and 5L-Gr. Magnification of the (c) ISC and (d) VOC of the 3L-Gr-TENG with Al2O3 as the CTL. Average mean (e) ISC and (f) VOC generated by pristine Gr-TENGs (1L, 3L

and 5L) and Gr-TENGs (1L, 3L and 5L) with Al2O3 CTL. Error bars indicate standard deviations for 4 sets of data points ……………...…………….….…......96Figure 5-11 (a) CV of Al/Al2O3/3L-Gr/Al at 100 kHz and 1 MHz (b) CV hysteresis of 3L-Gr-TENG with Al2O3 as CTL with different sweeping voltages (c) Surface

charge density of graphene (1L, 3L and 5L)-based TENG with and without Al2O3 as CTL ………………………………...98Figure 5-12 Circuit diagram of output (a) VOC and (b) ISC measurement of 3L-Gr TENG with Al2O3 CTL as a function of different resistors as external loads. Variation in VOC and ISC w.r.t different re

sistors as external loads of (c) 3L-Gr TENG with Al2O3 CTL (d) 3L-Gr TENG without Al2O3 CTL. Relationship between electrical output power and external loading resistance (e) 3L-Gr TENG with Al2O3 CTL (f) 3L-Gr TENG without Al2O3 CTL…………………………………….………………...99Figure 5-13 (a)Electrical stability and du

rability of the 3L-Gr TENG with Al2O3 (b) Schematic illustrations showing the charge-trapping mechanism of 3L-Gr-TENG without and with Al2O3 charge trapping layer ………101Figure 5-14 (a) Photograph showing 20 LEDs being powered (b) Circuit diagram of bridge rectifier (c) Charging curves of capacitors

with various capacitances (d) Photograph of powering a timer …….………………102Figure 6-1 The schematic diagram of the fabrication process for SCG powder based TENG ……………………………………………….….108Figure 6-2 The schematic diagram of the fabrication process for SCG thin-film based TENG via thermal evaporation meth

od ………………109Figure 6-3 FESEM image of (a) SCG powder (inset image illustrates the high magnification of SCG powder) (b) SCG thin-film/Al foil/PET (inset image illustrates the high magnification of SCG thin-film). EDS of the (c) SCG powder (d) SCG thin-film/Al foil/PET…………………………. 112Figure 6-4 Raman

spectra analysis (a) pristine SCG powder (b) SCG thin-film/Al foil/PET. XRD patterns of (c) SCG powder (d) SCG thin film with different thickness ……………………………………… ……….115Figure 6-5 FTIR analysis of the (a) pristine SCG powder sample (b) SCG thin film………………………………………………………………...116Figure 6-6 3D AFM ima

ge of SCG thin-film with various thickness (a) 50 nm (b)100 nm and (c) 200 nm……………………………………...117Figure 6-7 Schematic illustration of working principle of SCG thin-film based TENG …………………………………………………………...119Figure 6-8 Finite element simulation of the generated voltage difference for SCG thin-film b

ased TENG based on the contact and separation between SCG thin film and PTFE …………….……………………….120Figure 6-9 (a) The setup for electrical property testing, which including a Keithley 6514 system electrometer and linear motor. Electrical output (b) ISC (c) VOC of TENGs based on different friction pairs

for checking the triboelectric polarity of SCG…………………………………………...123Figure 6-10 Electrical measurement of (a) ISC and (b) VOC of the SCG thin-film based TENG. Mean value of (d) ISC (e) VOC and (f) Output power density of the pristine SCG powder and thermal deposited SCG thin-film based TENG. ...………

………………………………………125Figure 6-11 (a) Schematic illustration of KPFM for measuring the work function. (b) Surface potential images of SCG thin film with various thickness (50 nm, 100 nm and 200 nm). (c) Surface potential and (d) Work function vs SCG thin film with various thickness (50 nm, 100 nm and 20

0 nm).………….……………………………………………….128Figure 6-12 (a) Isc and (b) Voc of SCG thin film based TENG under different contact frequencies (c) Isc and (d) Voc of SCG thin film based TENG under different separation distance…………………………….129Figure 6-13 Electrical response (a) ISC (b) VOC of pristine SCG powder an

d (c) ISC (d) VOC of SCG thin-film based TENG with respect to different relative humidity (35-85% RH) …………………………….131Figure 6-14 Electrical stability and durability test of the output performance of (a) pristine SCG powder based TENG (b) SCG thin-film based TENG……………………………………………………………132Figure 6-15

Applications of the SCG thin film based TENG as a power supply: (a) Circuit diagram of the bridge-rectifier for charging a capacitor (b) Charging curves of capacitors with various capacitances (0.1, 2.2 and 3.3 µF) (c) Photograph of powering a timer…………………...………133Figure 7-1 Schematic illustration o

f FG based TENG…….….……….139Figure 7-2 Working mechanism of FG based TENG…………………140Figure 7-3 Electrical output of FG-TENG: (a) Isc and (b) Voc …….….141Table captionsTable 2-1 Comparison of flexible G-FETs on/off ratio of our work with other’s work…………………………………………………...………...40Table 3-1 Summary of th

e electrical and mechanical performance of flexible w/o-FG, w/ 1L-FG, w/3L-FG and sandwich FG (FG/PG/FG) samples......................................................................................................52Table 3.2: Comparison of the electrical and mechanical performance of sandwich FG ba

sed F-GFET with previous F-GFET with different gate dielectrics……………………………………………………….………53Table 4-1 Best photovoltaic performance from control and target devices prepared on rigid and flexible substrates……………………………......74Table 5-1 EDS elemental analysis of graphene over Al-foil/PET and Al2O3/Al-foi

l/PET ………………………………………………………88Table 5-2 Comparison of electrical output performance of Gr-TENGs with and without Al2O3 CTL samples used in this study………………103Table 6-1 EDS elemental analysis of SCG-Powder and SCG thin film /Al foil/PET………………………………………………………………...113Table 6-2 Comparison of electrical o

utput performance of SCG-TENGs samples used in this study……………………………………………...126

想知道EV Mode ECO Mode更多一定要看下面主題
EV Mode ECO Mode的網路口碑排行榜