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明志科技大學 電子工程系碩士班 畢少強所指導 錢冠宇的 高功率脈衝磁控濺鍍摻雜鈦之氮化銅薄膜顯微結構研究與應用 (2020),提出9H 鍍膜關鍵因素是什麼,來自於Cu3N薄膜、高功率脈衝磁控濺鍍+直流磁控混和電源、銅離子感測、I-V曲線、Ti共摻雜Cu3N薄膜、鈦含量、光感測。

而第二篇論文明志科技大學 材料工程系碩士班 陳勝吉所指導 陳胤宏的 導電氮化銅薄膜之高功率脈衝磁控濺鍍製程開發及應用 (2018),提出因為有 氮化銅(Cu3N)、氮流率比、導電型態、工作壓力、工作週期、Cu2+離子感測元件的重點而找出了 9H 鍍膜的解答。

最後網站來自日本的知名品牌SENSHA 9H 強化水晶鍍膜抵港 - Car1.hk則補充:市面流行各式各樣的鍍膜服務,相信大家都聽過4H、7H、9H等,而所謂的幾H即鍍膜的硬度,當今以9H為最硬而理論上保護性最強。SENSHA以嶄新先進的技術所形成 ...

接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧:

除了9H 鍍膜,大家也想知道這些:

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現在可以買 iPhone 嗎?
iPhone 怎麼綁約最划算?
年年換 iPhone 值得嗎?

這三個問題可說是關於「買 iPhone」的各類疑惑中前三位最常被問的,那麼我是怎麼看待這三個議題呢?首先,iPhone 每年推出的時間都是固定的,因此什麼時候買最好?在我看來,當然就是手機一推出時立刻買最好,離九/十月越遠,購買 iPhone 就越不划算。但我知道很多人都會想要綁約買 iPhone,甚至為此而把購買的時程拖延到五六月。而在五六月用原價購買去年推出,再過兩個月就會過季的 iPhone 顯然也不是什麼合理的事情,因此我們這時候就需要探討另一個問題:是否要綁約了。

從上述的內容中,你會發現,其實這三個問題是同樣的議題,因為他都牽涉到同樣的內容:折舊與攤提。以全新 iPhone 來說,它的價值將會從剛推出開始逐月下降,直到新 iPhone 再次推出,過季的舊款 iPhone 就會立刻進入二手老機的價值循環之中。由於蘋果東西相對保值,因此只要你不是不小心破壞了手機,基本上要算出相對應的現值也並非難事。

因此如果深入探討這三個問題,你會發現,其實年年換 iPhone 也不是什麼很浪費錢的事情啊!甚至在各方條件吻合之下,年年換還比你硬要綁約 30 個月來買還划算呢!那麼到底怎麼算呢?哥今天就來把概念傳授給你!

#iPhone #蘋果 #Apple

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高功率脈衝磁控濺鍍摻雜鈦之氮化銅薄膜顯微結構研究與應用

為了解決9H 鍍膜的問題,作者錢冠宇 這樣論述:

本研究在室溫下採用高功率脈衝磁控(HiPIMS)電源及直流磁控電源(DCMS)混合共沉積p型Cu3N摻雜Ti薄膜,其中Cu靶採用HiPIMS電源而Ti靶採用DC電源。由於HiPIMS能提高濺鍍金屬原子之離化率,有助於獲得完全Cu3N相之薄膜。此外,摻雜鈦能阻止銅的擴散,使優選方向從(111)轉變成(100)。X光繞射結果顯示,當Cu3N薄膜未摻雜鈦時,薄膜優選方位為(111);而隨著薄膜中鈦含量的增加,薄膜之優選方位從(111)轉變為(100)。當Ti=1.59 at.%時,Ti-doped Cu3N薄膜有最強之(100)。接著將未摻雜及摻雜Ti之 Cu3N薄膜應用於Cu2+ 離子感測(io

n sensing)和光感測(Light sensing);在離子感測方面,我們先調配不同濃度(8 pM~80 nM)之銅離子溶液,之後進行I-V量測,研究發現純Cu3N 的I80 nM/I8 pM值只有5.38,當Ti含量達1.59 at.%時, I80 nM/I8 pM值大幅提升至51.9,Ti摻雜使Cu3N薄膜中氮含量提高轉變為(100)氮富面,更多的氮有助於銅離子更容易在表面產生反應。另外,在光子感測方面,純Cu3N在使用UV光時之Ion /Ioff值為3.2,摻雜0.19 at.%Ti後,Ion /Ioff降為2.9,當Ti含量進一步提升至0.33%、0.87%及1.59 %時,Io

n /Ioff會繼續下降至1.8、1.4及甚至沒有反應,我們相信摻雜Ti之Cu3N薄膜具有較多缺陷致不利於光感測的應用。

導電氮化銅薄膜之高功率脈衝磁控濺鍍製程開發及應用

為了解決9H 鍍膜的問題,作者陳胤宏 這樣論述:

本研究利用高功率脈衝磁控濺鍍沉積氮化銅(Cu3N)薄膜。第一部分藉由改變不同氮流率比10~80%,並在較高的工作壓力(20 mtorr)下與較低的工作壓力(5 mtorr)下進行比較。實驗結果顯示在較低的工作壓力下,氮流率比從10%增加到80%,並沒有得到Cu3N相;然而,在較高的工作壓力下,氮流率比40%以上就可以得到Cu3N相,而此時薄膜的導電型態由n型轉變為p型。本研究第二部分藉由改變不同工作壓力5~25 mtorr,氮流率比固定為40%與60%進行比較。實驗結果顯示隨著工作壓力提高,腔體內充滿較多的氮氣分子,愈容易與銅原子或離子產生反應形成Cu3N,薄膜中相對氮含量提高,造成銅空位更

容易形成。當氮流率比為40%且工作壓力為20 mtorr時,才可得到Cu3N相的薄膜,此時Cu3N薄膜的導電型態為p型;當氮流率比為60%且工作壓力為15 mtorr時就可獲得導電型態為p型及電阻率0.024 Ω·cm之Cu3N薄膜。本研究第三部分藉由改變不同工作週期(Duty Cycle)100~2%,固定工作壓力15 mtorr與氮流率比60%。實驗結果顯示工作週期越低,尖峰功率密度會越高,當工作週期低於2.4%時,因為過高的尖峰功率導致薄膜的銅含量提高,而導電型態會由p型轉變為n型。最後將Cu3N薄膜鍍在雷射圖樣化ITO基板上製備Cu2+離子感測元件,使用I-V方法測量。實驗結果顯示,當

XRD的Cu3N(100)繞射峰較弱時,將會沒有顯著的感測效果,然而當Cu3N(100)相越強時(富氮),感測效果越好,我們相信這是由於氮和Cu2+離子孤電子對之間的π-π分子間鍵結相互作用引起的。