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JLPT日檢完全攻略N5 套書(全2書)+ LiveABC智慧點讀筆16G(Type-C充電版)超值組合

為了解決鋰電池充電時間計算的問題，作者LiveABC編輯群 這樣論述：

規模最大的JLPT日檢 全世界都在考   　　日本語能力測驗(Japanese-Language Proficiency Test，簡稱JLPT)，是一國際性的語言認證測驗，為提供世界各國的日語學習者一個檢測自身日語能力之檢定考試，簡稱日檢。此測驗由日本國際交流基金會與日本國際教育支援協會共同舉辦，於每年七月及十二月各舉辦一次。根據官方統計資料顯示，全球報考日檢的人數年年攀升，直至2017年全球之報考人數已達88萬人，實為規模最大的日語能力檢定測驗。然而，如同其他國際性語言檢定，日檢並無固定的測驗範圍或根據可依循，且試題內容靈活，經常讓有志報考日檢的人在準備考試時傷透腦筋。   　　無論是

要升學考試赴日打工就職準備加薪升遷 日檢助你一臂之力   　　近年，越來越多人報考日檢為取得一語言證照或作為加薪升遷的依據，而無論您是為了升學考試還是為了赴日打工或就職，參加檢定考試無疑是個了解自己語言學習成果的好機會。為此，LiveABC日語編輯部特別針對日檢規劃了這本《一本合格！JLPT日檢完全攻略(試題+解析)N5》，希望能提供有志報考日檢的讀者應試準備方向。首先，準備檢定考試時，最重要的就是掌握「關鍵單字」，並且在了解考試題型之後，再透過「模擬試題」不斷地演練。本書可分為「N5關鍵單字」、「JLPT模擬試題」以及「JLPT模擬試題詳解」三大部分；   　　日檢備戰3步驟：   　　【S

TEP1】N5關鍵單字 　　精選400個出題頻率高的單字，輔以清楚易懂的排版，並加上重音、詞性及例句等完整標示，讓您可以迅速理解詞義和用法，並且開口唸出單字加深印象，背單字不再是一件難事。   　　【STEP2】全真模擬試題+【STEP3】完整試題詳解 　　本書完整收錄了三回JLPT模擬試題，內容完全仿照官方公式問題集之架構出題，可確實達到模擬考試的目的。最後，「JLPT模擬試題詳解」採用和前述模擬試題相同的排版，將題目和詳解做對照方便讀者閱讀，詳解內容包含逐題中譯與試題解析，不僅告訴您正確答案，更要告訴您解題關鍵在哪裡。透過三回「模擬試題」的練習，再搭配精美的「試題詳解」，讓您詳解讀一遍，勝

讀好幾本日文文法書，上考場時遊刃有餘。   　　另外收錄3回電腦互動版JLPT模擬試題光碟 多練習提升備戰實力  　　本書內附電腦互動版JLPT模擬試題光碟，內容收錄三回JLPT模擬試題，可以直接使用光碟做測驗，測驗後會自動計算答對題數及測驗時間，方便又快速。搭配本書詳解一起使用，準備考試必定事半功倍。另外，還可搭配點讀筆使用，可隨時隨地聆聽「N5關鍵單字」中的單字、例句，讓您再也不用煩惱單字該怎麼唸。「試題詳解」的聽解大題亦可單題點讀，邊聽音檔邊看詳解，讓您輕鬆戰勝日文聽解題。   　　最容易懂、最容易讀、最有效率的日檢單字書誕生！ 　　「背單字≠壓力大」，奉為本書最高編輯宗旨   　　這本

3000單字、那本5000單字，更有7000單字……… 　　不要再著墨於有幾個單字可以背 　　重點是你可以背進多少單字！   　　日檢程度基礎～中級均適用實實在在增強應考實力 　　「單字的學習很重要」！雖然大家都這麼覺得，但是只靠自己的力量來收集單字，而且符合適合現在的程度，做有效率的學習卻是相當不簡單。這本書是為了接下來打算考日文檢定N5、N4、N3的人，或者是想複習那個程度的人所做的容易讀、容易懂又有用的書。對於最近剛開始學習日文的人，也因為這本書的N5單字和例句部份全都是基本內容，能確實地把基礎的能力向上提高。   　　近3000個字彙＋3大學習重點 　　IKU老師讓你用最短的時間牢記最

多單字   　　IKU老師與編輯們花了非常長的時間過濾且篩選了大量的日語檢定相關書籍及歷屆考古試題，挑選符合JLPT裡N5~N3級數程度的文字語彙集結成本書。將近3000個字彙，並歸納如下三大編輯重點，讓讀者在最短的時間內快速有效地牢記住單字及用法。   　　讚1！輕輕鬆鬆就能背進很多單字 　　嚴選出各個程度真正需要的基本單字，並把字體放大，更能無壓力輕鬆學習   　　讚2！好好的調整單字與例句程度 　　為了讓各程度的學習者容易學習而參考了大量書籍，只用了該程度的單字和句型。這個程度的設定非常重要，明明是N5的單字，但卻搭配了N3例句，會大大地削弱學習效果。   　　讚3！能增加學習效率的眾多

技巧 　　除了單字和例句之外，還有反義字和衍生字，再加上收錄了很多很可愛的圖表，搭配這些內容一起看，就能夠把很多單字更有效率的背起來。本書的單字字體大，還有一看就懂的重音線，一邊搭配日文老師標準發音的朗讀mp3，就可學到正確的日文發音。   　　每一個級數結束之前，還有一回針對言語知識（文字‧語彙）的模擬測驗，題型及題數皆仿照正式的日語能力測驗，幫助讀者先熟悉測驗方式，以期在正式測驗中能快速進入作答模式。   　　最後，建議讀者們善加利用隨書附上的學習光碟及光碟裡的MP3。由專業日語老師錄製的日∕中單字例句導讀，即使讀者們身處在無法使用電腦或書籍的環境裡，也能藉由聽的方式背單字，非常方便，日檢

最精華最關鍵的重點字彙都在本書中，希望對想要準備日檢的讀者有所幫助，早日通過日語檢定！   　　《LiveABC智慧點讀筆16G(Type－C充電版)介紹》 　　★高科技光學感應筆頭，以筆尖輕觸文字或圖片即可發音 　　★隨點隨聽，學習零距離 　　★內建高品質喇叭，可外接耳機，打造專屬的語言學習環境。 　　★內建16G大容量記憶體，可儲存多本書的檔案。 　　★搭配錄音卡使用，錄音效果有如一般錄音筆。 　　★尺寸：15.1CM*2.0CM*1.9CM 　　★重量：36±2公克(含鋰電池) 　　★記憶卡：16GB記憶卡 　　★配件：USB傳輸線、使用說明書、錄音/音樂卡、字典卡

鋰電池充電時間計算進入發燒排行的影片

以噴霧乾燥法製備Si/Graphite複合陽極材料及其電性分析

為了解決鋰電池充電時間計算的問題，作者陳映如 這樣論述：

明志科技大學碩士學位論文口試委員審定書 i誌謝 ii摘要 iiiAbstract iv目錄 vi圖目錄 x表目錄 xvii第一章 緒論 11.1 前言 11.2 研究動機 2第二章 文獻回顧 32.1 二次電池簡介 32.2 鋰離子二次電池的基本概念 42.2.1 陰極材料 (Cathode materials) 52.2.2 陽極材料 (Anode materials) 72.2.3 電解液 (Electrolyte) 92.2.4 隔離膜 (Separator) 112.3 碳/矽複合陽極介紹 122.3.1 矽基材料之介紹 12

2.3.2 鋰離子嵌入碳材的充/放電原理及矽的儲存機理 132.4 碳/矽複合陽極材料製備方式 142.4.1 固相摻混法 (Solid-state blending method) 142.4.2 靜電自組裝法 (Electrostatic self-assembly method) 202.4.3 氣相沉積法 (Chemical vapor deposition) 252.4.4 噴霧乾燥法 (Spray drying method) 322.5 陽極材料改良方式 382.5.1 尺寸控制 392.5.2 表面包覆 432.5.3 活性/非活性合金

482.5.4 結構設計 522.5.5 複合材料 56第三章 實驗方法 603.1 實驗藥品與儀器 603.1.1 實驗藥品 603.1.2 實驗儀器與設備 623.2 矽碳複合陽極材料製備 643.2.1 靜電自組裝法製備矽石墨複合陽極材料 (bare-Si/G)之步驟 643.2.2 以噴霧乾燥法製備矽石墨複合陽極材料(SD-Si/G)之步驟 663.3 材料之物/化性分析 683.3.1 晶相結構分析 (X射線繞射分析） 693.3.2 材料碳層分析 (顯微拉曼光譜分析) 703.3.3 碳含量分析 (元素分析儀) 713.3.4 官

能基分析 (傅立葉轉換紅外光譜分析) 723.3.5 表面形態與元素組成分析 (掃描式電子顯微鏡分析) 733.3.6 晶體微觀結構分析 (穿透式電子顯微鏡) 753.3.7 比表面積分析 (比表面積與孔徑分析儀) 763.3.8 材料之電化學性質分析 77第四章 結果與討論 834.1 複合材料之物化性分析 834.1.1 複合材料之晶相結構分析 (XRD) 834.1.2 複合材料之顯微拉曼光譜分析 (Raman) 854.1.3 複合材料之表面官能基分析 (FT-IR) 874.1.4 複合材料之表面形貌分析 (SEM)與元素分析 (EDS) 89

4.1.5 複合材料之微觀結構分析 (HR-TEM) 964.1.6 複合材料之粒徑大小分析 (DLS) 1004.1.7 複合材料之表面電位分析 (Zeta Potential) 1064.1.8 複合材料之比表面積分析 (BET) 1094.1.9 複合材料之殘碳量分析 (EA) 1124.2 電化學性能分析 1134.2.1 低電流速率充/放電分析 1134.2.2 高電流速率充/放電分析 1164.2.3 循環穩定性分析 1214.2.4 交流阻抗測試及鋰離子擴散係數分析 1314.2.5 電化學之循環伏安分析 1384.2.6 差分容量分

析 1414.2.7 原位膨脹分析 144第五章 結論 151參考文獻 152 圖目錄圖 1、(a). 為充電過程、(b). 為放電過程中鋰離子二次電池的工作原理示意圖 4圖 2、陰極晶體結構圖: (a). 橄欖石結構、(b). 層狀結構、(c). 尖晶石結構 5圖 3、合金型、轉化合金型、轉化型及插層型等不同陽極材料特性比較 7圖 4、失效機理: (a). 顆粒粉碎；(b). 電極塌陷；(c). SEI層連續生成 12圖 5、a-Si@SiOx/C複合材料在充放電速率為 (a). 100 mA g-1及 (b). 500 mA g-1時的充/放電循環性能 16圖 6、1-

BM樣品的 (a1). SEM、(a2). TEM和(a3). SAED圖像；2-BM樣品的；(b1). SEM、(b2). TEM和(b3). SAED圖像 17圖 7、(d). 1-BM和(f). 2-BM在0.2C時的放電/充電曲線圖 18圖 8、1-BM和2-BM樣品在 (e). 不同電流速度下的電化學性能；(g). 0.2C下的循環壽命圖 19圖 9、自組裝法製備多孔石墨/矽/碳複合材料之製程示意圖 20圖 10、多孔石墨/矽/碳的(a). 循環伏安圖；(b). 電流速度為50 mA g−1的第1、5、10、20次之充/放電曲線圖；(c). 循環壽命圖；(d). 不同速率性能

圖 21圖 11、RH-Nano Si@C/CNT的(a-c). SEM圖、(d、e). TEM圖及(f).HR-TEM圖和其相對應的選區電子繞射圖 22圖 12、RH-Nano Si@C/CNT的倍率性能表現分析圖 23圖 13、RH-Nano Si@C/CNT的長期充/放電循環壽命圖 24圖 14、微波等離子體CVD反應器裝置示意圖 25圖 15、微波功率為0.4、1 kW時，不同CVD時間與矽含量的關係圖 26圖 16、充/放電速率為C/20時，首次循環的可逆/不可逆克電容量與矽含量之間的關係比較圖 27圖 17、在2 C高速率充/放電時，碳矽複合材料的循環壽命圖 28圖

18、Si NP-C電極的拉曼光譜分析圖 29圖 19、在不同放大倍數下，碳片上Si NP沉積的形態圖 30圖 20、在0.1 A g-1速率下，Si NP (0.5 mg cm-2)克電容量維持率、庫侖效率及使用相同的測量程序循環的碳基板的克電容量維持率圖 30圖 21、不同質量負載的Si NP-C電極在0.8 A g-1速率時的循環壽命圖 31圖 22、不同質量負載的Si NP電極的倍率能力分析圖 31圖 23、噴霧乾燥製程示意圖 33圖 24、球型Si/C複合材料的 (f)-(g). SEM圖；(h). FIB分析的切面圖 33圖 25、Si/C陽極的 (a). 首次充/

放電曲線圖；(b). 長期循環壽命圖 34圖 26、不同速率下的充放電曲線圖 (黑色為無3D導電網絡的Si/C陽極，紅色為具有3D導電框架的Si/C陽極) 34圖 27、(a). 矽原料、(b). 天然石墨和(c-d). 石墨/矽-多孔碳複合材料的SEM圖像；(e). 石墨/矽-多孔碳複合材料的橫切面SEM圖像 36圖 28、石墨/矽-多孔碳複合材料的氮吸-脫附曲線圖 37圖 29、石墨/矽-多孔碳複合材料和天然石墨(插圖)的循環伏安圖 37圖 30、天然石墨與石墨/矽-多孔碳複合材料的循環性能及庫倫效率圖 38圖 31、微米級/奈米級MG-Si粉的製備流程圖 39圖 32、(a

). 微米級矽電極、(b). 奈米級矽電極在速率C/24時的前兩次充/放電曲線變化圖 40圖 33、微米級和奈米級矽電極於C/6速率下的循環壽命比較圖 41圖 34、SEM圖像：(a). 循環前、(b). 循環後的微米級矽電極(c). 循環前、(d). 循環後的奈米級矽電極 42圖 35、Si/G/C複合材料的製備流程圖 43圖 36、矽、MCMB和Si/G/C複合物的拉曼光譜圖 44圖 37、Si/G/C複合材料的TEM圖像: (d). 全尺寸；(e). 部分放大圖、(插圖為SAED圖像)；(f). 邊界部分的HRTEM圖 45圖 38、不同矽比例之Si/G/C複合材料在前三個循

環中的充/放電曲線圖: (a). 10 wt.%；(b). 20 wt.%；(c). 30 wt.%；(d). 40 wt.% 46圖 39、在第二循環的鋰化狀態下Si/G/C複合材料的AC曲線圖 46圖 40、速率為0.2 C時，Si/G/C複合材料之放電克電容量與庫侖效率圖 47圖 41、嵌入Cu3Si的3D PoSi的合成流程圖 48圖 42、(a)–(c). 嵌入Cu3Si的3D PoSi之不同倍率的FESEM圖像；(d). EDS元素映射圖；(e). 氮吸附和解吸等溫線圖；(f). 相應孔徑分佈圖 49圖 43、(a)-(c). 嵌入Cu3Si的3D PoSi之不同放大倍率

的TEM圖像和(d). HRTEM圖像 50圖 44、嵌入Cu3Si-3D PoSi電極的(a). CV曲線；(b). 電流速度為0.4 A g-1時的循環性能；(c). 不同電流速度下的倍率性能；(d). AC 51圖 45、卵黃殼多孔矽@碳之合成設計示意圖 52圖 46、p-SiNPs@HC之XRD分析圖 53圖 47、p-SiNPs@HC之 (a). TEM圖像；(b). HRTEM模式；(c). SAED圖；(d). 高角度環形暗場掃描透射電子顯微鏡成像圖像 54圖 48、(a). p-SiNPs@ HC-1電極的CV曲線圖；(b). 各材料電極的第一循環充/放電曲線圖；(c

). 電流速度為200 mA g–1時各材料的循環壽命圖；(d). 各材料在不同電流密度時的倍率性能 55圖 49、(a). 各材料的奈奎斯特 (EIS)曲線圖；(b). p-SiNPs @ HC-1的EIS曲線在循環過程中的演變 56圖 50、SiGC複合材料的製備合成過程示意圖 57圖 51、球磨Si、石墨、SiG及SiGC的拉曼光譜分析圖 57圖 52、球磨Si、SiG及SiGC樣品於不同速率下之電性比較圖 58圖 53、在電流速度為0.5 A g -1下 (c). SiGC充/放電300次循環的循環壽命比較圖；(d). 球磨Si、SiG及SiGC的容量保持率圖 59圖 54

、靜電自組裝流程示意圖 65圖 55、噴霧乾燥法製備矽石墨複合陽極材料 67圖 56、矽石墨複合材料之物/化性檢測項目流程圖 69圖 57、X光繞射分析儀 (BRUKER D2 Phaser)硬體設備圖 70圖 58、顯微拉曼光譜儀 (Confocal Micro-Renishaw)硬體設備圖 71圖 59、元素分析儀 (Thermo Flash 2000)硬體設備圖 72圖 60、傅立葉紅外光光譜儀 (Spectrum 100)硬體設備圖 73圖 61、熱場發射掃描式電子顯微鏡 (JEOL JSM-IT700HR)硬體設備圖 75圖 62、穿透式電子顯微鏡 (HR-TEM)硬

體設備圖 76圖 63、比表面積與孔徑分析儀 (Micromeritics, Gemini VII)硬體設備圖 77圖 64、CR2032鈕扣型半電池之封裝示意圖 79圖 65、佳優 (BAT-750B)充/放電測試儀圖 80圖 66、等效電路示意圖 81圖 67、恆電位電池測試儀 (Metrohm Autolab PGST AT302N)圖 82圖 68、電化學膨脹儀 (Electrochemical dilatometer)結構示意圖 83圖 69、Emax-KS6、Si與矽石墨複合陽極材料的XRD比較圖 85圖 70、NG及矽石墨複合陽極材料之顯微拉曼光譜圖 87圖 7

1、NG、PDDA-Si及各複合陽極材料之FT-IR圖譜 89圖 72、bare-Si/G複合材料之FE-SEM分析圖 91圖 73、SD1-Si/G複合材料之FE-SEM分析圖 91圖 74、SD2-Si/G複合材料之FE-SEM分析圖 92圖 75、bare-Si/G複合材料的EDS分析光譜圖 94圖 76、bare-Si/G複合材料的EDS元素Mapping分佈圖 94圖 77、SD1-Si/G複合材料的EDS分析光譜圖 95圖 78、SD1-Si/G複合材料的EDS元素Mapping分佈圖 95圖 79、SD2-Si/G複合材料的EDS分析光譜圖 96圖 80、SD2

-Si/G複合材料的EDS元素Mapping分佈圖 96圖 81、NG樣品之TEM分析圖 98圖 82、bare-Si/G複合陽極材料之TEM分析圖 99圖 83、SD1-Si/G複合陽極材料之TEM分析圖 100圖 84、SD2-Si/G複合陽極材料之TEM分析圖 100圖 85、NG之雷射粒徑分析圖 102圖 86、bare-Si/G之雷射粒徑分析圖 103圖 87、SD1-Si/G之雷射粒徑分析圖 104圖 88、SD2-Si/G之雷射粒徑分析圖 105圖 89、NG之Zeta表面電位檢測結果圖 107圖 90、PDDA-Si之Zeta表面電位檢測結果圖 108圖

91、bare-Si/G複合陽極材料之比表面分析圖 110圖 92、SD1-Si/G複合陽極材料之比表面分析圖 110圖 93、SD2-Si/G複合陽極材料之比表面分析圖 111圖 94、各種不同矽石墨複合陽極材料於100/100 mA g-1充/放電速率下之活化電性比較圖 114圖 95、各種不同矽石墨複合陽極材料於100 mA g-1相同速率下之首次充/放電曲線 115圖 96、各材料於不同充/放電速率下之充/放電電性表現階梯圖 117圖 97、bare-Si/G樣品於100-800 mA g-1不同速率下之充/放電曲線圖 118圖 98、SD1-Si/G樣品於100-800

mA g-1不同速率下之充/放電曲線圖 119圖 99、SD2-Si/G樣品於100-800 mA g-1不同速率下之充/放電曲線圖 120圖 100、各材料在100/100 mA g-1速率下之充/放電循環壽命比較分析圖 122圖 101、bare-Si/G於100/100 mA g-1速率下之循環性能曲線圖 123圖 102、SD1-Si/G於100/100 mA g-1速率下之循環性能曲線圖 124圖 103、SD2-Si/G於100/100 mA g-1速率下之循環性能曲線圖 125圖 104、各材料在400/400 mA g-1速率下之充/放電循環壽命比較圖 126圖

105、bare-Si/G於400/400 mA g-1速率下之100 Cycle循環性能曲線圖 127圖 106、SD1-Si/G於400/400 mA g-1速率下之100 Cycle循環性能曲線圖 128圖 107、SD2-Si/G於400/400 mA g-1速率下之100 Cycle循環性能曲線圖 129圖 108、在100/100 mA g-1速率下10次循環充/放電後，bare-Si/G、SD1-Si/G及SD2-Si/G樣品之EIS阻抗比較圖；插圖為放大區間在50Ω 131圖 109、在100/100 mA g-1速率下30次循環充/放電後，bare-Si/G、SD1

-Si/G及SD2-Si/G樣品之EIS阻抗比較圖；插圖為放大區間在50Ω 132圖 110、在400/400 mA g-1速率下經100次循環充/放電後，bare-Si/G、SD1-Si/G及SD2-Si/G樣品之EIS阻抗比較圖；插圖為放大區間在50Ω 133圖 111、在100/100 mA g-1速率下30次循環充/放電後bare-Si/G、SD1-Si/G及SD2-Si/G樣品之Z’ vs. 1/√ω 分析圖 135圖 112、在400/400 mA g-1速率下100次循環充/放電後bare-Si/G、SD1-Si/G及SD2-Si/G樣品之Z’ vs. 1/√ω 分析圖

136圖 113、各種不同矽石墨複合陽極材料之首次循環伏安比較圖 138圖 114、bare-Si/G複合陽極材料之循環伏安圖 138圖 115、SD1-Si/G複合陽極材料之循環伏安圖 139圖 116、SD2-Si/G複合陽極材料之循環伏安圖 139圖 117、經兩次循環充/放電後，各種自製矽石墨複合陽極材料之差分容量比較圖 140圖 118、bare-Si/G複合陽極材料之差分容量分析圖 141圖 119、SD1-Si/G複合陽極材料之差分容量分析圖 141圖 120、SD2-Si/G複合陽極材料之差分容量分析圖 142圖 122、矽石墨複合電極之電壓-時間變化曲線比較圖

145圖 123、矽石墨複合電極之厚度-時間變化曲線比較圖 145圖 124、bare-Si/G複合電極前五次循環之相對厚度變化與電壓分佈曲線 146圖 125、SD1-Si/G複合電極前五次循環之相對厚度變化與電壓分佈曲線 147圖 126、SD2-Si/G複合電極前五次循環之相對厚度變化與電壓分佈曲線 148表目錄表 1、常見二次電池之特性比較 3表 2、各種不同結構陰極材料之特性比較 6表 3、不同種類碳系材料的負極特性表現 8表 4、不同鋰鹽的特性分析 9表 5、不同電解質溶劑的特性分析 10表 6、原始Si、研磨Si、熱處理過的研磨Si及不同重量比的研磨矽/檸檬

酸複合材料在定電流充/放電時的電化學性能 (充/放電電流為100/100 mA g-1) 15表 7、不同矽含量複合陽極材料的電阻值 47表 8、實驗藥品 60表 9、實驗儀器與設備 62表 10、樣品簡稱表 64表 11、充/放電流條件計算表 79表 12、NG及各矽石墨複合陽極材料之micro-Raman數值比較 86表 13、KS6之雷射粒徑結果數據 101表 14、NG之雷射粒徑結果數據 102表 15、bare-Si/G之雷射粒徑結果數據 103表 16、SD1-Si/G之雷射粒徑結果數據 104表 17、SD2-Si/G之雷射粒徑結果數據 105表 18、N

G之Zeta表面電位檢測結果數據 107表 19、PDDA-Si之Zeta表面電位檢測結果數據 108表 20、各矽石墨複合陽極材料之比表面積數值表 109表 21、各種不同自製矽石墨複合陽極材料之碳含量分析 112表 22、各種不同矽石墨複合陽極材料於相同充/放電速率下之活化電性表現比較表 114表 23、各種不同矽石墨複合陽極材料之首次充/放電之電性數據表 115表 24、各材料於不同充/放電速率下之充/放電電性比較表 117表 25、bare-Si/G樣品於不同充/放電速率下之電性數據表 118表 26、SD1-Si/G樣品於不同充/放電速率下之電性數據表 119表 2

7、SD2-Si/G樣品於不同充/放電速率下之電性數據表 120表 28、各材料在100/100 mA g-1速率下，充/放電循環穩定性比較表 122表 29、bare-Si/G於100/100 mA g-1速率下之循環性能數據表 123表 30、SD1-Si/G於100/100 mA g-1速率下之循環性能數據表 124表 31、SD2-Si/G於100/100 mA g-1速率下之循環性能數據表 125表 32、各材料在400/400 mA g-1速率下，充/放電循環穩定性比較表 126表 33、bare -Si/G於400/400 mA g-1速率下之100 Cycle循環性

能數據表 127表 34、SD1 -Si/G於400/400 mA g-1速率下之100 Cycle循環性能數據表 128表 35、SD2 -Si/G於400/400 mA g-1速率下之100 Cycle循環性能數據表 129表 36、本實驗自製矽碳複合陽極材料數據結果與文獻資料之比較 130表 37、bare-Si/G、SD1-Si/G及SD2-Si/G樣品經過10次100 mA g-1相同速率充/放電循環後之阻抗分析結果數據 132表 38、bare-Si/G、SD1-Si/G及SD2-Si/G樣品經過30次100 mA g-1相同速率充/放電循環後之阻抗分析結果數據 133

表 39、bare-Si/G、SD1-Si/G及SD2-Si/G樣品經過100次400 mA g-1相同速率充/放電循環後之阻抗分析結果數據 134表 40、各複合陽極材料於100 mA g-1速率下，30次充/放電循環後之鋰離子擴散係數比較 136表 41、各種不同複合陽極材料於400 mA g-1速率下，100次充/放電循環後之鋰離子擴散係數比較 137表 42、矽石墨複合電極於相同充/放電速率下之電性數據表 146表 43、bare-Si/G複合電極前五次循環之膨脹率與不可逆膨脹率數據比較 148表 44、SD1-Si/G複合電極前五次循環之膨脹率與不可逆膨脹率數據比較 14

9表 45、SD2-Si/G複合電極前五次循環之膨脹率與不可逆膨脹率數據比較 150

JLPT日檢完全攻略N3 套書(全2書)+ LiveABC智慧點讀筆16G(Type-C充電版)超值組合

為了解決鋰電池充電時間計算的問題，作者LiveABC編輯群 這樣論述：

　　你知道日檢N3合格後，自己的日語能力提升到什麼階段嗎？   　　能聽懂課堂上他人簡單的自我介紹 　　能跟朋友討論自己的興趣及感興趣的事物 　　能看懂賀年卡和生日卡片 　　能寫出簡單自我介紹的文章   　　無論是要升學考試赴日打工就職準備加薪升遷 日檢助你一臂之力 　　近年，越來越多人報考日檢為取得一語言證照或作為加薪升遷的依據，而無論您是為了升學考試還是為了赴日打工或就職，參加檢定考試無疑是個了解自己語言學習成果的好機會。為此，LiveABC日語編輯部特別針對日檢規劃了這本《一本合格！JLPT日檢完全攻略(試題+解析)N3》，希望能提供有志報考日檢的讀者應試準備方向。首先

，準備檢定考試時，最重要的就是掌握「關鍵單字」，並且在了解考試題型之後，再透過「模擬試題」不斷地演練。本書可分為「N3關鍵單字」、「JLPT模擬試題」以及「JLPT模擬試題詳解」三大部分；   　　日檢備戰3步驟：【STEP1】N3關鍵單字 　　精選500個出題頻率高的單字，輔以清楚易懂的排版，並加上重音、詞性及例句等完整標示，讓您可以迅速理解詞義和用法，並且開口唸出單字加深印象，背單字不再是一件難事。   　　日檢備戰3步驟：【STEP2】全真模擬試題+【STEP3】完整試題詳解 　　本書完整收錄了三回JLPT模擬試題，內容完全仿照官方公式問題集之架構出題，可確實達到模擬考試的目的。最後，「

JLPT模擬試題詳解」採用和前述模擬試題相同的排版，將題目和詳解做對照方便讀者閱讀，詳解內容包含逐題中譯與試題解析，不僅告訴您正確答案，更要告訴您解題關鍵在哪裡。透過三回「模擬試題」的練習，再搭配精美的「試題詳解」，讓您詳解讀一遍，勝讀好幾本日文文法書，上考場時遊刃有餘。   　　另外收錄3回電腦互動版JLPT模擬試題光碟 多練習提升備戰實力 　　本書內附電腦互動版JLPT模擬試題光碟，內容收錄三回JLPT模擬試題，可以直接使用光碟做測驗，測驗後會自動計算答對題數及測驗時間，方便又快速。搭配本書詳解一起使用，準備考試必定事半功倍。另外，還可搭配點讀筆使用，可隨時隨地聆聽「N3關鍵單字」中的單字

、例句，讓您再也不用煩惱單字該怎麼唸。「試題詳解」的聽解大題亦可單題點讀，邊聽音檔邊看詳解，讓您輕鬆戰勝日文聽解題。   　　最容易懂、最容易讀、最有效率的日檢單字書誕生！   　　「背單字≠壓力大」，奉為本書最高編輯宗旨   　　這本3000單字、那本5000單字，更有7000單字……… 　　不要再著墨於有幾個單字可以背 　　重點是你可以背進多少單字！   　　日檢程度基礎～中級均適用 實實在在增強應考實力 　　「單字的學習很重要」！雖然大家都這麼覺得，但是只靠自己的力量來收集單字，而且符合適合現在的程度，做有效率的學習卻是相當不簡單。這本書是為了接下來打算考日文檢定N5、N4、N3的人，或

者是想複習那個程度的人所做的容易讀、容易懂又有用的書。對於最近剛開始學習日文的人，也因為這本書的N5單字和例句部份全都是基本內容，能確實地把基礎的能力向上提高。   　　近3000個字彙＋3大學習重點 　　IKU老師讓你用最短的時間牢記最多單字   　　IKU老師與編輯們花了非常長的時間過濾且篩選了大量的日語檢定相關書籍及歷屆考古試題，挑選符合JLPT裡N5~N3級數程度的文字語彙集結成本書。將近3000個字彙，並歸納如下三大編輯重點，讓讀者在最短的時間內快速有效地牢記住單字及用法。   　　讚1！輕輕鬆鬆就能背進很多單字 　　嚴選出各個程度真正需要的基本單字，並把字體放大，更能無壓力輕鬆學習

  　　讚2！好好的調整單字與例句程度 　　為了讓各程度的學習者容易學習而參考了大量書籍，只用了該程度的單字和句型。這個程度的設定非常重要，明明是N5的單字，但卻搭配了N3例句，會大大地削弱學習效果。   　　讚3！能增加學習效率的眾多技巧 　　除了單字和例句之外，還有反義字和衍生字，再加上收錄了很多很可愛的圖表，搭配這些內容一起看，就能夠把很多單字更有效率的背起來。本書的單字字體大，還有一看就懂的重音線，一邊搭配日文老師標準發音的朗讀mp3，就可學到正確的日文發音。   　　每一個級數結束之前，還有一回針對言語知識（文字‧語彙）的模擬測驗，題型及題數皆仿照正式的日語能力測驗，幫助讀者先熟悉

測驗方式，以期在正式測驗中能快速進入作答模式。   　　最後，建議讀者們善加利用隨書附上的學習光碟及光碟裡的MP3。由專業日語老師錄製的日∕中單字例句導讀，即使讀者們身處在無法使用電腦或書籍的環境裡，也能藉由聽的方式背單字，非常方便，日檢最精華最關鍵的重點字彙都在本書中，希望對想要準備日檢的讀者有所幫助，早日通過日語檢定！   　　《LiveABC智慧點讀筆16G(Type－C充電版)介紹》 　　★高科技光學感應筆頭，以筆尖輕觸文字或圖片即可發音 　　★隨點隨聽，學習零距離 　　★內建高品質喇叭，可外接耳機，打造專屬的語言學習環境。 　　★內建16G大容量記憶體，可儲存多本書的檔案。 　　★搭

配錄音卡使用，錄音效果有如一般錄音筆。 　　★尺寸：15.1CM*2.0CM*1.9CM 　　★重量：36±2公克(含鋰電池) 　　★記憶卡：16GB記憶卡 　　★配件：USB傳輸線、使用說明書、錄音/音樂卡、字典卡

應用於工具機主軸精度檢測儀之無線電能傳輸供電系統開發

為了解決鋰電池充電時間計算的問題，作者劉育齊 這樣論述：

本研究對應用於CNC工具機之光學式主軸精度檢測儀的電源供電系統提出一項解決方法，過去光學式主軸精度檢測儀的電源系統為鋰電池，當需要長時間量測工具機主軸數據並同時校正工具機主軸時，若使用鋰電池為電源供電系統可能會有斷電的風險且造成校正錯誤，而使用無線供電系統具備以下幾項優點，例如：產品會有更好的耐用性、防塵、防水、便攜性、減少更換電池的成本等優點。因此本文所開發的無線電能傳輸系統依照系統架構可分為數位控制電路、閘極驅動電路、全橋換流器電路、電磁場發射線圈、取電線圈、橋式整流濾波電路、降壓式供電電路與光學式主軸精度檢測儀，首先透過數位控制電路MSP430G2553作為電能傳輸系統的控制系統，因其

具備了低成本、較不受雜訊干擾與可程式控制的特性，所以本文可依實驗需求設定數位控制電路的參數並達到預期的效果，有鑒於此本文將使用MSP430G2553所提供的兩組不同相頻率為82 kHz、工作週期為 40 %、死區時間為10%的PWM作為控制訊號，並在數位控制電路後級端設計一個閘極驅動電路，使數位控制訊號可經由閘極驅動電路放大至12-15 V將MOFET開關導通，同時達到數位訊號與類比訊號隔離的效果，並使用全橋換流器的諧振結構將電能透過安培定律將電磁場藉由發射線圈傳送給取電線圈，且透過法拉第定律將感應磁場能量轉換為電流。為了將電能有效的從發射線圈傳輸至取電線圈，基於光學式主軸精度檢測儀尺寸設計一

款符合機構限制及能夠有效傳輸電能的發射線圈與取電線圈並於有限元素分析軟體內進行純線圈的磁場模擬，將發射線圈與取電線圈從空氣間隙10 mm每間隔1 mm進行一次模擬並延續至18 mm，除了線圈的磁場模擬本文也透過電路模擬軟體模擬電路設計的可行性，其中包含了閘極驅動電路、全橋換流器電路、橋式整流濾波電路與降壓式供電電路，從模擬中篩選出最適合的元件，使線圈設計與電路設計能符合本文的需求。當完成了電路架構的設計，取電線圈上的感應電勢即可透過橋式整流濾波電路轉換為直流電，為了符合光學式主軸精度檢測儀的電壓及電流規格，本文在將直流電輸出給光學式主軸精度檢測儀前會先藉由降壓式供電電路降壓成符合光學式主軸精度

檢測儀所需的電壓及電流規格，所以本文選用TPS5410集成式降壓IC作為降壓式供電電路的核心並結合電阻、電容、電感，成功將由橋式整流濾波電路輸出的電壓及電流轉分別轉換為5 V、1 A達到光學式主軸精度檢測儀的供電需求。 除了線圈磁場的模擬，本文也進行了發射線圈與取電線圈電壓電流有效值量測實驗，將發射線圈與取電線圈從空氣間隙10 mm每間隔1 mm進行一次電壓電流的有效值量測並延續18 mm，經由此實驗結果分析無線電能傳輸供電系統適合運作的空氣間隙。綜合上述實驗及模擬分析得知本系統所設計的無線供電系統在10 mm至16 mm的空氣間隙皆可以使光學式主軸精度檢測儀啟動並且與電腦軟體連接進行靜態檢測

與動態檢測，而這段距離正符合目前CNC工具機光學式主軸精度檢測儀設計無線電能傳輸機構模組所需的機構限制，因此可以得知本研究所設計無線電能傳輸符合工業應用，並且可以達到空氣間隙為10-16 mm的無線電能傳輸。