考爾漏電徵兆的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列各種有用的問答集和懶人包

適用於金氧半場效電晶體電氣模型之低溫低電場先進量子工程理論研究

為了解決考爾漏電徵兆的問題，作者鍾志昇 這樣論述：

思考到因半導體工業界在未來數十年的發展中，所可能帶來對電子設計工業界，即將到來之衝擊。因此考量在現有工業半導體的成熟製造技術能力下，此篇研究探索低溫低電場元件模型之新的工程量子理論，以便在未來能夠拓展出，可能存在新的電子設計領域。在尚未進一步對金氧半場效電晶體做各種可能之低溫低電場量測之前。根據半古典理論發展之結果，推薦採用單電子自我一致計算法和運用半分析趨近理論，開展出新的量子工程模型和理論。如此以便能夠在未來，可為電子設計工業界開啟新的設計理論，新的技術,新的方法和新的應用，因而能夠創造出許多新的集成積體電路產品，而有助於開拓高科技市場。本篇論文有以下數項的發展、發現、創新和創見，包括:

(一)根據已經量測知道的低溫高電場漏電電流的現象，推薦使用新的量子工程模型和理論，於金氧半場效電晶體通道(或基板)中，在數值軟體計算低溫低電場漏電電流下，可達成類似地預期中類亂數電流現象的效果。(二)根據已經發現的但尚未解開之難題,設定新的量子工程趨近理論，計算得到部分問題徵兆的近似特性。(三)為達成電子設計工業界的要求，此篇研究提供可接受之快速和穩定的解決方案，並且符合以上的電氣特性模型結果。(四)在使用單電子自我一致計算法的情況下，採用半分析計算近似方式和修改過之湯瑪斯-費米趨近理論,發展出一套實體空間下新的趨近理論。(五)為了了解單電子自我一致計算法的機制，發展出數項新的技術。根據過去數

年來做此一研究課題的經驗發現，此一新的量子工程趨近理論，可能可以用於解釋已經量測到的，但是尚無法用已知的成熟理論解釋之特性。為未來推展出，可能填補部分在目前已經較成熟的古典理論和半古典理論之間之空白理論區域。