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國立中山大學 企業管理學系研究所 趙平宜所指導 吳介允的 NAND Flash記憶體產業之專利分析與研究 （2015），提出toshiba記憶卡關鍵因素是什麼，來自於專利分析、CPC合作分類號、產品生命週期、技術地圖、NAND Flash快閃記憶體。

而第二篇論文國立成功大學 工程科學系 周榮華所指導 王光謙的 黏晶機頂針對薄形晶片應力特性之分析 （2014），提出因為有 晶片封裝堆疊製程、延性破壞、有限元素法、DAF的重點而找出了 toshiba記憶卡的解答。

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NAND Flash記憶體產業之專利分析與研究

為了解決toshiba記憶卡的問題，作者吳介允 這樣論述：

近幾年來，由於智慧型手機及SSD固態硬碟的需求，NAND Flash快閃記憶體市場呈現快速成長，各家廠商研發高容量、讀寫速度快及低成本的產品，中國廠商也看好NAND Flash產業的未來發展，投入大量的資金積極擴廠及併購相關產業，各家廠商擴充產線下要分食這塊大餅，有鑑於此，本研究使用專利分析法，透過M-Trends專利分析軟體針對NAND Flash產業進行基本專利資料分析，接著利用80/20法則透過CPC合作分類號及引證的專利找出主要技術及主要專利，接著繪製引證趨勢圖並透過產品生命週期以了解技術發展的程度，再繪製技術地圖以了解這十年來的技術輪廓，最後針對NAND Flash廠商提供研發策略

上之建議。 目前市場上供應NAND Flash晶圓的廠商分別為Intel、 Micron、 Samsung、 SanDisk、SK Hynix及Toshiba，其中Micron廠商在NAND Flash產業中，技術能力較強。本研究結果總共有11項主要技術，而主要專利總共有26篇，依產業生命週期分析的結果從成熟期步入衰退期。 廠商之研發策略上，本研究建議：必須針對主流技術領域發展、選主要專利做技術延伸、新增3D NAND Flash合約價格、著手研發混合式記憶體技術及新興記憶體技術，透過技術開發以提高競爭力。

黏晶機頂針對薄形晶片應力特性之分析

為了解決toshiba記憶卡的問題，作者王光謙 這樣論述：

　　鑑於記憶卡市場趨於輕薄及高容量發展趨勢，為了增加容量故需在有限封裝空間增加堆疊層數，才能增加記憶卡容量，故須將晶片厚度薄化才能堆疊更多晶片，而薄晶片強度很脆弱，容易在製程中造成破裂。本文利用有限元素模擬軟體ANSYS來推測黏晶機頂針對薄形晶片應力之特性，以期作為頂針排列之依據，以改善晶片破裂，提升良率。為驗証ANSYS模擬結果與實驗結果相近，本文收集晶片強度測試實驗結果並透過ANSYS軟體模擬Bending test，比對實驗數據與模擬數據以做為驗証之依據。　　本文首先設計魚骨圖列出所有影響晶片破裂的原因進行單一因子分析求得對晶片應力之影響；針對頂針造成晶片破裂之各項因子如針中心點至晶片

邊緣的距離、頂針上升高度、DAF黏度、頂針的圓角...等等進行分析模擬，以求得黏晶機頂針對薄形晶片應力特性，對於各項因子之模擬結果如下述：1.　頂針中心點至晶片邊緣的距離，模擬結果顯示頂針與晶片邊緣距離長時 所呈現應力較大，距離短時呈現的應力較小。2.　頂針高度，頂針越高則晶片承受的應力將增加，但在求解過程中最大應 力會在晶片與膠紙完全剝離時不再增加。3.　DAF黏度，模擬結果顯示黏度與應力呈正比現象，黏度越高實際作業中　　 將容易發生 Pick up miss與破裂。4.　頂針中心點至頂針中心點之間的間距，模擬結果顯示各種間距對晶片的 應力差距甚微但可以得到針距越近則應力

值較大。5.　吸嘴真空值，吸嘴孔徑0.3mm與不冋真空值模擬所得到應力值非常微小 將不會對晶片有任何應力影響。6.　頂針圓角：模擬結果得知圓角越細對晶體產生的應力越大。關鍵字：晶片封裝堆疊製程、延性破壞、有限元素法、DAF。

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