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硼摻雜石墨烯與金屬電極接面之光熱電效應

為了解決suzuki sui 125規格的問題，作者陳鍾錡 這樣論述：

本研究主要分為三部份，首先以Cu(B)薄膜作為硼摻雜來源，透過快速升溫化學氣相沉積系統(Rapid thermal chemical vapor deposition system, RTCVD)來成長出硼摻雜石墨烯(Boron-doped graphene, BG)，並進一步優化製程參數與步驟來成長出品質優異的純石墨烯(Pristine graphene, PG)以比較兩者之性質差異。由SEM及拉曼光譜來比較製程調配結果，再由拉曼光譜、UV-vis光譜、XPS能譜以及SIMS質譜來分析兩者之材料特性。由拉曼光譜可以觀察到BG由於有硼摻雜進入石墨烯晶格中，造成晶格扭曲而使其缺陷較多。導致其D

-band與D’-band的強度皆較高，2D-band則變寬且強度下降。搭配UV-vis光譜之穿透度結果推論PG為高品質單層石墨烯，而BG為多層硼摻雜石墨烯。XPS能譜與SIMS質譜之分析結果再次驗證了上述分析結果，並進一步提供了硼成功摻雜進入BG的證據。第二部份著重元件量測，將PG與BG應用於背閘極式石墨烯電晶體。在電性分析中確定了石墨烯與金屬電極為歐姆接觸，但量測出的電阻率明顯高於預期、載子遷移率亦明顯低於預期。同時亦無法透過閘極電壓掃描來獲得石墨烯之狄拉克點，結果呈現石墨烯有嚴重的p型摻雜。接續以聚焦雷射激發石墨烯通道中心、金屬電極與石墨烯接面處來量測光熱電效應。雷射的激發與否說明了元件

對光有響應；而當由聚焦雷射以固定間距對石墨烯通道掃描時發現，在激發石墨稀通道與金屬電極接面處時，鈦銀電極接面處的通道電流會高於鋁電極接面處之通道電流，兩者之通道電流皆明顯高於僅激發石墨烯中心時的通道電流，證實在金屬電極與石墨烯接面處有光熱電效應產生。最後則對電晶體的製備作探討，希望由確保石墨烯品質與連續性、減少p型摻雜以及通道面積重新設計來增加電晶體的良率，以期量測出狄拉克點並應用於載子密度與賽貝克係數的計算。

利用電動力技術結合PRB活化過硫酸鹽整治受五氯酚污染土壤

為了解決suzuki sui 125規格的問題，作者蔡青峰 這樣論述：

五氯酚是種十分難以分解的累積性有機污染物，在滲漏到土壤、地下水後其透過食物鏈累積在人體內而不易排出，其主要污染來源主要是早期使用木材防腐劑、農業殺蟲劑及除草劑，在中國則用於防疫殺蟲藥，而台灣最有名的案例則是中石化台南安順場，這些污染來源主要在工場製造、存放不當、搬運過程中外洩流入土壤，造成長期性的污染。電動力整治技術是一種整治方法，對於低滲透性土壤具有良好效果，過硫酸鈉為目前常用的現地化學氧化法氧化劑，其具有溶解性高、反應後不會產生二次污染的優點，但其反應速率較慢，因此需要藉由電、熱、過渡金屬、強鹼等方法活化生成硫酸根自由基，透水性反應牆(PRB)則是將反應介質設置於地下攔截污染物，利用零價

鐵將污染物轉化為環境可接受的行式，以達到整治污染地下水的目的。因此本研究結合電動力法利用電遷移遷移過硫酸鹽和五氯酚往PRB移動，使過硫酸根在PRB內活化並降解五氯酚。本研究分為4個部份，第一部份為使用氯化鎂與醋酸作比較，探討兩種電解液的優劣，同時了解五氯酚於電動力過成中集中於土壤室之區段，以確定PRB的設置位置，第二部份、第三部份則是了解在單純過硫酸鹽或單純只有PRB狀況下電動力情形，第四部份則是探討不同濃度過硫酸鹽與PRB結合下的降解情形。在第一部份中，Test 1、Test 2降解率分別為23.58 %、24.46 %，而五氯酚集中在7/10土壤處，因此將PRB置於6/10∼8/10，Te

st3是在參考文獻後在陽極注500 ppm過硫酸鈉，探討電動力在單純過硫酸鈉下之降解情形，其降解率為51.04%，Test 4則是只有PRB情況下之電動力情形，其去除率為52.8%，並且觀察到PRB發生團聚結塊情況，Test5∼Test7則是比較不同濃度過硫酸鈉結合PRB情況下之電動力降解情況，整體來說降解率在55%∼65%之間，觀察陽極注入100 ppm與500ppm過硫酸鹽濃度時發現，當土壤中過硫酸鹽濃度不高時，其未經PRB活化過之前段土壤，兩者的降解效率是差不多的，直到1000 ppm時才有顯著差異，隨著過硫酸鈉鹽濃度增加，降解率也會隨之提升。整體來說以醋酸作為電解液，將1000 ppm

過硫酸鈉置於陽極搭配PRB的降解效率最好，結果顯示PRB透水性反應牆搭配過硫酸鹽能夠有效降解五氯酚污染物。