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透過液態金屬壓印技術製備閃鋅礦結構氮化鎵

為了解決speck中文的問題，作者林薇嘉 這樣論述：

LED “Green gap”的問題是指可見光譜的黃綠色範圍缺乏高效的LED，而這個問題主要來自纖鋅礦結構的GaN的自發極化與壓電極化效應，極化效應造成量子侷限史塔克效應，使發光效率下降。而閃鋅礦結構的GaN因結構對稱為非極性的，故不存在自發極化，因此閃鋅礦結構的GaN被認為是有解決LED “Green gap”問題的潛力，但是其生長困難，由於閃鋅礦結構的GaN是亞穩態的，不如纖鋅礦結構的GaN穩定。本論文嘗試用液態金屬壓印技術先製備出奈米厚度的氧化鎵薄膜，再經由氮化反應將氧化鎵轉化為閃鋅礦結構GaN。液態金屬壓印技術的優點是它能製備大面積且厚度只有幾層厚的金屬氧化物薄膜，此外，它沒有複雜的

流程且成本低廉。這可方便應用於工業上的生產且符合半導體元件微型化的趨勢。我們藉由量測拉曼光譜、X光光電子能譜儀以及原子力顯微鏡確認我們成功製備出閃鋅礦結構的GaN，且薄膜厚度平均為2 nm。後續我們使用陰極發光光譜以及穿透式電子顯微鏡來確認樣品的光學特性與晶格結構。