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國立臺灣科技大學 電機工程系 呂學坤所指導 曾式群的 使用細內建自我修復技術以提升快閃記憶體的良率及可靠度 （2019），提出soft99六倍耐久關鍵因素是什麼，來自於快閃記憶體、良率、可靠度、修復率、內建自我修復。
而第二篇論文逢甲大學 化學工程學系 張棋榕所指導 趙倍瑤的 碘化銀-銀摻雜碘氧化鉍/石墨烯與溴氧化鉍/金屬網複合光觸媒之研究 （2016），提出因為有 光觸媒、產氫、降解、花狀、碘氧化鉍、溴氧化鉍、碘化銀、石墨烯、不鏽鋼網、煆燒的重點而找出了 soft99六倍耐久的解答。
使用細內建自我修復技術以提升快閃記憶體的良率及可靠度
為了解決soft99六倍耐久 的問題，作者曾式群 這樣論述：
快閃記憶體為具有低功耗、可擴充性、高效能等優點的非揮發性記憶體，使其成為消費性電子產品中常見的儲存元件，像是固態硬碟、手機和筆記型電腦等產品。快閃記憶體的儲存方式是將電子儲存至浮閘中，隨著製程的進步，由單階儲存細胞 (Single-level Cell, SLC) 衍生出多階儲存細胞 (Multi-level Cell, MLC) 與三階儲存細胞 (Triple-level Cell, TLC)，快閃記憶體的儲存密度不斷的提升，但同時也使記憶體細胞的雜訊邊界縮小，進而導致記憶體可靠度與耐久度的下降。而內建自我修復技術是常見的錯誤修正方式，但過去研究中提出的備用元件較不細緻，導致修復率、良率和
可靠度皆無法有效提升。因此，本論文提出細內建自我修復技術來解決這些問題，也提出本論文定義的故障模型，結合過去的故障模型並加以分類，而將過去較不細緻的備用元件，分成備用字、備用頁、備用行和備用非及型區塊四種備用元件來使用，利用提出的演算法將分類好的故障模型和配置的備用元件做合適的對應，以備用元件取代故障細胞，來有效地完成修復。本篇研究實現了細內建自我修復技術的電路，並於1 GB之快閃記憶體上進行修復率、良率、可靠度和硬體成本分析。實驗結果顯示記憶體大小在1 GB，每個區塊平均瑕疵數目設為10，且位元可修復錯誤比率為0.8、頁可修復錯誤比率為0.1、行可修復故障比率為0.05、非及型區塊可修復故障
比率為0.05時，每個區塊的備用元件總數為四個備用非及型區塊以及兩個備用行情況下，修復率可維持在 98% 以上，良率也仍可維持在 99% 以上，而在經過 1.5×106小時後仍可維持達0.9之可靠度，在條件相同下與粗內建自我修復技術比較，可接受可靠度若訂在0.9，約可延長2.7倍的使用壽命。
碘化銀-銀摻雜碘氧化鉍/石墨烯與溴氧化鉍/金屬網複合光觸媒之研究
為了解決soft99六倍耐久 的問題，作者趙倍瑤 這樣論述：
本研究第一部分為利用溶劑熱法製備碘化銀-銀摻雜碘氧化鉍/石墨烯之複合光觸媒，以硝酸鉍(Bi(NO3)3∙5H2O)與碘化鉀(KI)為前驅物，在片狀的石墨烯的表面上形成花狀碘氧化鉍光觸媒，以碘化銀修飾碘氧化鉍/石墨烯，形成碘化銀-銀摻雜碘氧化鉍/石墨烯複合光觸媒。以FE-SEM及HR-TEM觀察複合光觸媒之表面型態以及複合接面，XRD分析材料結構及結晶，XPS分析元素組成，並以UV-Vis光譜、光電流測試等分析光吸收及光生電荷分離其特性，並進行後續的光催化產氫實驗。由產氫之實驗結果顯示，在石墨烯/硝酸鉍重量比為0.01與硝酸銀前驅物/硝酸鉍重量比為0.01之A10B/G10之複合光觸媒在紫外光
照射下具有最大產氫效率。且經過3次的循環試驗，回收之光觸媒仍能保有86%之產氫活性。本研究第二部分利用溶劑熱法在不鏽鋼金屬網的表面上製備出溴氧化鉍花狀光觸媒，形成溴氧化鉍/不鏽鋼網之複合光觸媒，再以不同溫度條件進行煆燒。經由XRD、FE-SEM、FE-TEM、XPS、DRS、Photocurrent test進行材料特性分析，確認其晶格結構及元素組成，並瞭解其光學特性，並進行後續的光催化降解羅丹明B (RhB)以評估觸媒之降解活性。在加入溴氧化鉍後，經130 min光照後降解率可達到99%左右；當以不鏽鋼金屬網為基材製備出溴氧化鉍/不鏽鋼網複合材料時，經70 min光照後降解率可達到98%左右
；而經250°C煆燒之光觸媒，經過50 min光照後降解率可達到99%左右。循環試驗結果顯示觸媒亦具備了優異的耐久性。