s22過熱解決的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列各種有用的問答集和懶人包

鳍式金氧場效電晶體定臨界電壓以貼合特性曲線及10GHz~12GHz功率放大器射頻電路設計

為了解決s22過熱解決的問題，作者林宥陞 這樣論述：

半導體電晶體奈米製程的發展可兼顧提高運算速率和降低耗能的優化，從傳統的金氧場效電晶體(MOSFET)到如今的鰭式場效電晶體(FinFET)。FinFET電晶體製成後有如魚鰭一樣，不僅解決了因縮小電晶體尺寸後所造成無法控制的漏電流，也增加了成本的競爭力，令人印象深刻。然而因尺寸縮小所造成的有效電阻地增加而又有過熱的問題，接下來的封測也成為了一大考量。為了暸解或掌控電晶體的使用，FinFET電晶體經量測後的電性曲線，就必須以參數化的公式所描述，其中最基本的三個參數為與尺寸及載子漂移率有相關的Kn、與源極-汲極是否導通的門檻電壓(Vth,臨界電壓)、及與源極-汲極間漏電流相關的爾利電壓(VA,-1

/λ)，三者皆有其重要的物理意義。當Vth被定下後，調整Kn及λ值已達到儘其貼合電性曲線值，此引起多層的思考，也使得真實的內在因素得以解開並解釋。貼合度以最小的誤差值為導向，儘以達到合理的參數值所提供的物理，進而有利未來的發展與設計。 在射頻電路的設計上，在發報端E類功率放大器(Power Amplifier)組件，在設計上可使用被動元件電容值、電感值作阻抗匹配，以極低或等於零的反射係數(S11、S22)作為方法，達到最大放大率(S21)效果。

以LPE法在Si(111)基板上進行高Ge組成低缺陷密度GexSi1-x橫向磊晶研究

為了解決s22過熱解決的問題，作者林修銘 這樣論述：

SiGe(矽鍺)材料在國內外的研究已行之有年，但結合Si與Ge二者良好材料特性於一身的SiGe至今仍然無法在應用端上有著廣泛的使用，其原因為欲將SiGe 材料製備於目前在應用上至為成熟的Si基板上時，由於Ge與Si間晶格不匹配達4.2%會導致SiGe磊晶層中隨著Ge成分的增加會有愈多缺陷產生，嚴重影響利用此磊晶基板所研製元件效能。 為解決上述問題，一般磊晶法需經由繁複Ge組成漸變緩衝層（每μm增加Ge組成0.1至0.2）來獲致高組成SiGe表層。本研究採用簡易LPE(Liquid phase epitaxy, 液相磊晶)法搭配使用SiO2選擇性開窗罩膜形式來進行橫向磊晶 (Epitax

ial lateral overgrowth, ELO) 的技術直接求取低缺陷密度(Etch pit density, EPD)高Ge組成SiGe層。具體而言，首先在Si(111)基板表面鍍上一層約200nm SiO2後，使用設計好的光罩圖案進行微影蝕刻，由於SiGe僅會在開窗部分進行成長，因此能有效侷限晶格不匹配所致缺陷上傳至磊晶層表面，而橫向磊晶部分則可期待無缺陷產生，如此一來將可降低整體SiGe磊晶層EPD。本研究分別使用方格、圓形陣列以及平行線條三種形式窗罩進行磊晶實驗，優化其各項生長參數，並探討其磊晶成長機制，完成後樣品利用微分干涉顯微鏡(Nomarsky differential

interference contrast microscopy, NDIC) 以及掃描式電子顯微鏡(Scanning electron microscopy, SEM)觀察表面結構，並使用能量散佈X射線光譜分析儀(Energy dispersive spectroscopy, EDS)確認SiGe層元素組成。