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power mosfet應用的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦寫的 CMOS Analog IC Design for 5g and Beyond 和S.M.Sze（施敏）的 Semiconductor Devices：Physics and Technology【臺大九十週年校慶版】都 可以從中找到所需的評價。
另外網站N0601N - Nch Single Power Mosfet 60V 100A 4.2Mohm To-263也說明：The N0601N is a Nch Single Power Mosfet 60V 100A 4.2Mohm To-263. ... The N0601N is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching ...
這兩本書分別來自 和國立臺灣大學出版中心所出版 。
國立高雄科技大學 電機工程系 李孝貽所指導 鐘健彰的 利用直流磁控濺鍍技術製程Under Bump Metallurgy(UBM)層內鎳釩及銀薄膜之特性研究 （2021），提出power mosfet應用關鍵因素是什麼，來自於鎳釩薄膜、銀薄膜、直流磁控、電阻率。
而第二篇論文建國科技大學 電機工程系暨研究所 張簡士琨所指導 江永文的 應用開關電容技術與耦合電感之昇壓轉換器的設計 （2020），提出因為有 耦合電感、開關電容、漏電感、電壓箝制的重點而找出了 power mosfet應用的解答。
最後網站應用電子學實驗MOSFET做動原理 - YouTube則補充：
CMOS Analog IC Design for 5g and Beyond
為了解決power mosfet應用 的問題，作者 這樣論述：
Introduction to 5G Telecommunication Network.- Various Aspects of MOSFET Technology for 5G Communications.- CMOS Scaled Architecture and Circuit Choices for 5G.- Low Noise Amplifiers Designing.- Receiver Architectures for 5G: Current Status and Future Prospects.- LC VCOs for 5G Networks.- Mm-wave
CMOS Power Amplifiers for 5G.- Techniques to Improve Gain-Bandwidth 5G ICs.- GaN-based Technology for 5G Applications.
利用直流磁控濺鍍技術製程Under Bump Metallurgy(UBM)層內鎳釩及銀薄膜之特性研究
為了解決power mosfet應用 的問題，作者鐘健彰 這樣論述：
由於近年來電動車的市場銷售量成倍數的成長，導致功率半導體的需求量大幅提升，而金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET, Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)就是功率半導體的一種，它通常可依作用領域的不同而分成低、中、高壓，三者最主要的差別在於導通電阻(RDS(ON)), Drain-Source On-state Resistance)的不同，那製作功率半導體時如何控制RDS(ON)的高低就變得極其重要。而本研究打算專注在正面金屬化這個製程上控制金屬間的阻值，藉此控制功率半導體的RDS(ON)。本實驗利用直流磁控濺鍍系統來沉積鎳
釩薄膜與銀薄膜，改變濺鍍條件如濺鍍功率及氬氣流量，沉積出不同成分的薄膜，探討薄膜之膜厚、沉積速率、均勻度、顯微結構及電阻率等分析。使用的儀器有場發射掃描式電子顯微鏡(FE-SEM, Field Emission Scanning Electron Microscope)、X射線螢光光譜儀(XRF, X-Ray Fluorescence Spectrometry)以及四點探針等。實驗結果顯示，在鎳釩薄膜與銀薄膜中，由於濺鍍功率的增加會使得薄膜沉積速率有大幅上升的趨勢。由結果發現，改變濺鍍功率對薄膜沉積速率的影響會遠大於改變氬氣流量，且薄膜沉積速率會隨著濺鍍功率的增加呈線性的趨勢上升，但在改變氬氣
流量的時候薄膜沉積速率不會有明顯的變化。不論在何種濺鍍條件下，薄膜電阻率值會隨著薄膜厚度的增加，而有下降的趨勢。綜合得知，濺鍍功率為影響薄膜沉積速率最主要的濺鍍參數，而濺鍍功率的變化，會影響到薄膜的厚度、沉積速率及晶粒大小，而薄膜在不同厚度下，電阻特性也因此而有所不同。
Semiconductor Devices：Physics and Technology【臺大九十週年校慶版】
為了解決power mosfet應用 的問題，作者S.M.Sze（施敏） 這樣論述：
Offering a basic introduction to physical principles of modern semiconductor devices and their advanced fabrication technology, this resource presents students with the theoretical and practical aspects of every step in device characterizations and fabrication, with an emphasis on integr
ated circuits. Divided into three parts, the text covers the basic properties of semiconductor materials, emphasizing silicon and gallium arsenide; the physics and characteristics of semiconductor devices; bipolar and unipolar special microwave and photonic devices; and the latest processing technol
ogies, from crystal growth to lithographic pattern transfer.
應用開關電容技術與耦合電感之昇壓轉換器的設計
為了解決power mosfet應用 的問題，作者江永文 這樣論述：
本文提出一種結合開關電容與耦合電感所形成的昇壓轉換器。本轉換器主要是利用開關電容技術與調整耦合電感的圈數比來達成昇壓的功能。此外，耦合電感之漏電感能量，於開關截止期間能夠送至輸出端，使得功率開關上的電壓能有效地被箝制，因此轉換效率能夠提升。本文首先對所提昇壓轉換器做穩態電路動作分析，並推導出輸入與輸出電壓轉換關係。最後實際設計一個輸入為5 V，輸出為24 V/25 W之昇壓轉換器，並藉由模擬結果驗證此電源轉換器之電壓轉換關係、效率與開關電壓箝制等特性。