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氮化鎵微發光二極體之光取出效率模擬

為了解決micro led優勢的問題，作者蔡雅婷 這樣論述：

　　最近兩年微發光二極體(MicroLightEmitting Diode, Micro-LED)成為最新的顯示器元件，其特性優於現在當紅的OLED，其材料穩定性、壽命、功耗、亮度、反應速度等性能更勝OLED一籌，SONY、Samsung、Apple均已投入戰局，雖然目前只有雛型機，尚未量產，但Micro-LED顯示器或許是未來顯示器的潮流。　　Micro-LED不僅提升了LED的效率，同時改善散熱之問題，本論文將著重於Micro-LED之光取出效率(Light Extraction Efficiency, LEE)探討。我們利用光學模擬軟體ASAP (Advanced Systems An

alysis Program)建立氮化鎵基板之微發光二極體模型，並以蒙地卡羅光線追跡法模擬Micro-LED的出光路徑。　　為了能夠有效的提升微發光二極體的光取出效率，我們模擬多種不同尺寸及兩種結構的氮化鎵(GaN)微發光二極體，分別為尺寸10m x 10m至300m x 300m的薄膜(Thin-Film)及覆晶(Flip-Chip)結構之微發光二極體。我們也分析了晶片表面加入半球微結構(Hemispherical Microlens Array)對光取出效率的影響，最後，我們針對Thin-Film微發光二極體的部分，將側壁傾斜不同的角度，探討整體的光取出效率是否因而提高。