macro半導體的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列各種有用的問答集和懶人包

經貿權力轉移？ 國家、產業、廠商的三層次比較研究

為了解決macro半導體的問題，作者孫銘鴻 這樣論述：

中共崛起、美中權力轉移，使美中衝突不可避免，終將落入所謂修昔底德陷阱，是當今探討美中關係的常見論斷。尤其，2018年以來美中貿易戰的開始，更被認為是往後進一步朝政治、軍事等全面衝突的先聲。然而，在核子嚇阻防止霸權戰爭之下，為何貿易戰不能就只是貿易戰呢？本文嘗試在權力轉移理論的邏輯下，發展純粹限於經貿層面的理論版本，先以國家層次，觀察美日與美中貿易戰開始時，雙方整體經濟數據的對比；接續再以產業層次，觀察美日與美中貿易戰所涉產業中雙方的消長；最後再以廠商層次，以代表性的智慧手機與民航客機製造商為比較焦點，探究歸納權力差距拉近導致衝突的理論邏輯，在經貿層面上的適用性。

氧化鉿鋯鐵電記憶體之疲勞恢復與非晶氧化鎵銦鋅通道整合

為了解決macro半導體的問題，作者陳昱豪 這樣論述：

如何以節能的方式處理大量數據是未來包括大數據、人工智能、物聯網、自動駕駛汽車和高性能計算等領域中最重要的問題。鐵電記憶體因其高CMOS兼容性、高操作速度和低能耗而被視為實現未來以數據為中心的計算之關鍵元件。對於像鐵電隨機存取記憶體或鐵電穿隧記憶體這樣的電容式鐵電記憶體，其中一個重要的挑戰是在快速且低電壓操作下由不飽和極化切換造成的嚴重極化疲勞。不飽和極化切換造成的極化疲勞可以藉由電場去除累積的電荷來回復。然而，大部分的研究只嘗試透過雙向的大電場來回復。在第二章中，我們藉由使用不同電壓，不同脈衝時間，不同操作次數以及不同方向的電場來探討極化疲勞回復的行為。我們是第一個指出操作次數是極化疲勞回復

的關鍵且極化疲勞不可被單極性的電場回復。這暗示鐵電翻轉對於移除累積的電荷扮演重要的腳色。我們引用一個鐵電翻轉引發電流注入的模型來解釋此行為。最後我們在1.5V的低操作電壓下，透過大電場回復使操作次數進步了104次到達總共1010次操作。使用非晶氧化物半導體的鐵電電晶體目前被視為有潛力取代快閃記憶體的人選。因為其低製程溫度可以實現具有高頻寬及高容量特性的三維層積型整合。 然而，目前許多使用非晶氧化物半導體的鐵電電晶體都遇到了高操作電壓以及低操作速度的問題。同時，目前針對改良使用非晶氧化物半導體的鐵電電晶體的討論非常少。在第三章中，我們全面研究了用於三維、低電壓應用、具有非晶氧化銦鎵鋅通道的單柵極

氧化鋯鉿鐵電電晶體。我們是第一個針對此元件提出考慮了電荷捕捉效應，負載電容，以及通道漂浮電壓的優化指南。