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都市更新制度困境研究－強制參與/排除取徑的解析與重構

為了解決led正負極接錯的問題，作者王章凱 這樣論述：

為刺激、扶植營建產業能夠復甦與發展，政府推出全國性的都市更新政策，刻意且強力地將建築改建包裝成公共利益，使得私部門得以僭用屬於公權力的「強制參與/排除」取徑，來介入憲法保障的私有產權支配。在怠於釐清、證成為什麼可以採取強制（WHY）、何種前提要件下才能執行強制（HOW）、誰應該被強制（WHO）、誰可以執行強制（by WHOM）、強制應經何種程序始得執行（WHEN & WHERE）等關鍵前提要件下，形成了一種混淆公權、私權份際的國家干預。本研究透過權力三面向理論，解析混淆公、私權的都市更新強制制度的形成，實是一種有計畫的權力漂洗。透過立法―權力第二循環（secondary circulatio

n of power）―的關鍵決策制定場域，使得應無權力者攫取權力、應負義務者逃卸責任，反之，讓少數、弱勢者的基本權被剝奪，承擔原無之參與都更重建義務，產生違憲疑慮，導致都市更新的推動陷入困境。然政府並未認真、謙卑地面對制度困境的根源，而是一再以擬、修訂各種規則、細則、辦法或準則來增加法定程序，企圖用程序正義掩飾實質正義的不足，最終構成一部邏輯錯綜複雜、逸脫都市計畫管控的《都市更新條例》，乃典型的公法遁入私法作為。平息止紛之道，應將現行法中的公權、私權關係釐清，從公法、私法分流的基礎重新檢視各條文對於權利的界分與義務歸屬。正本清源後，即有重新匯集公、私部門正向能量的可能，進而創造社會整體最大利

益。

應用於可植入式生醫晶片之靜電放電防護電路與閂鎖防護設計

為了解決led正負極接錯的問題，作者張榮堃 這樣論述：

隨著半導體產業的發展，製程正以驚人的速度微縮，也因為電晶體的閘極氧化層變得更薄，靜電放電對於電路的衝擊已然成為影響產品可靠度的主要因素之一。然而，對於植入式生醫元件來說，電路若是因為損壞而產生錯誤的操作，往往都有可能危害到病人的生命安全。因此，植入式生醫元件勢必要做到全晶片的靜電放電防護設計，以避免電路遭受靜電放電轟擊後產生致命性的錯誤操作。與一般的電路相比，植入式生醫元件中的電路通常都有較高的供應電壓，同時也擁有包含正、負電壓的輸入輸出端，所以必須使用額外設計的靜電放電防護元件來做保護。正因為如此，有許多能夠承受高電壓的電壓箝位電路 (power-rail ESD clamp circui

t) 已經被提出，並且做了驗證。不過，應用於負電壓下的電壓箝位電路卻從來沒有被提起過。由於元件結構中有許多寄生路徑存在，在設計防護電路時必須仔細的考量，才不會造成電路的錯誤操作。因此，第二章中提出了一種可以應用於負電壓下的電壓箝位電路，不僅可以提供操作於-6 V電壓下的電路做使用，也可以經過觸發電路來讓靜電放電主要元件迅速導通，以達成良好的靜電放電耐受度。同時，本章也提出了一種雙向的元件，可以安裝在±3V應用的輸入輸出端，來釋放靜電放電電流，以保護內部電路不受靜電轟擊的影響。所提出的雙向元件已結合刺激器的輸出端來做驗證，並且確實可以達到該有的保護效果。因此，將本章所提出的兩種元件安裝於電路中，

再加上先前技術所提出的電壓箝位電路，便可以達到完整的全晶片靜電放電防護效果。然而，為了讓電晶體與P-substrate做隔離，第二章所提出的電路使用了deep n-well來做隔離，並且將其連接至0 V的電位。正因為如此，在製程的微縮下，所有的元件將會離彼此之間的距離越來越近。在這樣的情況下，閂鎖效應 (latch-up) 便有可能會藉由寄生的p-n-p-n結構產生，並且對電路造成影響。因此，第三章便以pMOS到接地DNW的測試結構來研究閂鎖效應的免疫能力。在測試結構中，一種以蕭特基二極體 (Schottky barrier Diode, SBD) 嵌入的設計被提出。利用蕭特基二極體的特性，可

以使結構中的保持電壓有效地提升，讓閂鎖效應不再輕易發生，進一步增加電路的閂鎖效應的免疫能力。雖然造成閂鎖效應的結構會對電路造成預期外的影響，但是這樣的結構也被當作非常良好的靜電放電防護元件。由於其能夠在更小的佈局面積下提供良好的靜電放電防護能力，矽控整流器 (Silicon-Controlled Rectifier, SCR) 也經常被應用為防護元件，但由於那過低的持有電壓，使得其無法在積體電路中做廣泛的應用。有鑑於第三章的應用，嵌入式蕭特基二極體成功地提升了SCR的持有電壓，並且不會影響電路的正常操作，或是改變佈局的方法。所以，第四章提出了一種嵌入式蕭特基二極體矽控整流器，不僅能夠使SCR的

保持電壓提升，也能夠達到不錯的靜電放電保護能力。如此一來，便可以讓SCR元件在應用的層面上更加地廣泛。由於SCR元件的優秀防護能力，使得其在先進製程上也有一定的發展性。對於佈局規則嚴格以及昂貴的鰭式場效電晶體 (Fin Field-Effect Transistor, FinFET) 製程來說，若能減少靜電放電防護元件的佈局面積，勢必可以降低晶片的開發成本。因此，第五章提出了一種翻轉式的SCR元件，利用改變電流的流向，來增加同樣面積下的靜電放電能力。透過實驗的結果證明，所提出的元件不僅能更快地導通來排放電流，也確實能夠提供更好的靜電放電防護能力。總結上述所言，本論文所提出之電壓箝位電路以及雙向

防護元件能應用於植入式生醫電路，並且可以確實操作在負電壓之應用下，同時也利用蕭特基接面解決了負電壓應用下可能遭受的閂鎖問題。由蕭特基二極體嵌入所衍生出的SCR架構也同樣擁有足夠高的持有電壓，並且適合做為高電壓應用下的植入式生醫電路靜電放電防護元件。因此，本論文所提出之靜電放電防護元件能夠裝載在植入式生醫電路的GND到VSSH還有I/O到GND之間，使得全晶片之靜電放電防護可以真正的實現。