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奈米球鏡微影術應用於半導體光檢測器之研究

為了解決j數et值換算的問題，作者杜承達 這樣論述：

在本次研究中，我們首先先利用奈米球鏡微影術(Nanospherical-Lens Lithography, NLL)製作金屬奈米橢圓盤陣列，這個方法可以使用很低的成本以快速的大面積製程製作出所需的金屬奈米橢圓盤陣列。另外我們搭配氮化鎵材料二次蝕刻的製程技術製作出氮化鎵發光二極體的橢圓奈米柱陣列。這個奈米柱陣列先前就已經被證明可以用來製作可發出線偏振光的發光二極體。本研究將使用這個相同的橢圓奈米柱結構，進一步測試其是否可以用來量測線偏振光。並藉著調整各項製程參數，包括橢圓的長短軸比及圓柱高等參數以達成最大的偏振選擇比。另外我們也將研究變換一些重要結構的設計，包括絕緣層以及遮光層的材料選擇，以達

成更好的元件表現。另外我們也會對目標的元件進行電磁模擬分析，以進一步設計出更適合應用的元件結構。在過去的研究中，我們知道奈米柱LED的輸出光是沒有偏振選擇的。但是，若我們在奈米柱之間，蒸鍍上一層不透光的金屬薄膜(如Ni)，作為光阻擋層，以此金屬層反射一部分的發射光，若在Ni金屬表面再鍍上一層絕緣層(如SiO2)，避免元件短路，接著再鍍上金屬電極，就可得到高偏振選擇比的奈米LED陣列。 我們發現，如果用硫化銀（Ag2S）取代Ni遮光層及SiO2絕緣層，可有效簡化製程步驟。這是因為當銀與硫化物產生化學反應後，會產生絕緣的硫化銀。在大氣的環境下，硫化銀為黑色立方晶系晶體，是一種不透光的

材料，因此也可以當成光阻擋層。因此我們將Ag2S作為實驗組試著將遮光層與覺層的兩次製程簡化成一次。雖然在實驗的分析上偏振選擇比不太理想，但最後我們模擬分析得到了一個還不錯的參數，可以使Photodetector的Polarization Difference Ratio的數值提高至0.753，換算成Selection Ratio 可以得到Ex：Ey = 7.09，我們也從模擬發現短軸要在50nm左右才會有比較高的偏振選擇比，所以我們會用用模擬的最佳參數，去製作出我們的Photodetector。

光輔助電鍍鎳鉬於n型砷化鎵上作為光陽極之光電化學水分解特性分析

為了解決j數et值換算的問題，作者黃冠智 這樣論述：

本實驗使用n型砷化鎵半導體，為一個小能隙的半導體，理論上能吸收大部分的太陽能能量，在透過施加偏壓調整能帶相對於水氧化電位的位置後，能有效的將太陽能轉換至化學能。但以n型砷化鎵為光電陽極下極易腐蝕，如何將砷化鎵表面的光生電洞送至電解液便至關重要。因此本篇論文的研究方向是先分析砷化鎵在中性 (0.1M Na2SO4)、鹼性(0.1M KOH)電解液中的特性。了解其腐蝕機制、腐蝕電位和腐蝕產物，藉此分析如何有效抑制腐蝕並同時進行水分解。而後在光輔助電鍍NiMo催化劑修飾砷化鎵表面，進而提升水氧化能力並抑制光腐蝕。關鍵詞：光電化學、砷化鎵、光腐蝕、腐蝕電位、鎳鉬催化劑