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吡咯並[3,4-c]吡咯-1,4-二酮,2,5- 二氫-3,6-二-2-(2-氧代-6-(噻吩-2-基)吲哚-3-亞基丙二腈 衍生物應用於有機場效電晶體

為了解決ie變成edge的問題，作者陳冠憲 這樣論述：

隨著科技的進步，有機場效電晶體發展越加成熟，但是N型電晶體的載子遷移率及穩定性相比P型電晶體依舊有不少的落差，這是由於N型材料本身在空氣中有著不穩定的劣勢，因此本篇論文以Diketopyrrolopyrrole derivative為主，在其兩側接上Isatin derivative，並且在其結構中接上氰基以降低目標分子的LUMO能階，使其成為空氣中穩定的N型有機材料。我們成功合成出BIMDPPT-C8、BIMDPPT-C2C6，兩者主要差異是其側鍊長度不同。本文使用循環伏安法 (CV)與紫外光-可見光吸收法 (UV-Vis)測得兩分子的能階與其能隙，LUMO能階分別為-3.94、-3.98

eV，相比水氣的-3.74 eV有明顯的降低，可以證明這兩材料皆具有空氣中穩定的性質，而能隙分別為1.47、1.48 eV，由於有著較小的能隙加上夠低的LUMO能階，兩分子具有成為雙極性材料的潛力。由於BIMDPPT-C8材料有著較差的溶解度，為了使材料能夠應用於液相製程，將材料上的碳鍊從原本Octyl變成2-Ethylhexyl來增加其溶解度。但是由於結構本身有著4對碳鍊，所以不適合替換成過長的碳鍊，以免出現碳鍊過長分子堆疊性不佳的問題，因此本論文選擇相同碳數的支鍊取代直鍊來增加溶解度。

分子束磊晶成長高摻鎂與p型氧化鋅磊晶的研究

為了解決ie變成edge的問題，作者温孟潔 這樣論述：

本研究建立在兩個主要的目標：利用分子束磊晶法(plasma-assisted molecular beam epitaxy)在極低晶格失配率的ScAlMgO4 (SCAM)基板生長纖鋅礦結構(wurtzite phase)氧化鋅(ZnO)及高摻鎂氧化鋅(Zn1-xMgxO)磊晶薄膜以及利用銅(copper)摻雜製備p-type ZnO/ZMO。研究內文提供成長纖鋅礦結構氧化鋅及摻鎂氧化鋅的製程參數，並討論薄膜的顯微組織和物理性質與製程參數的關係。氧化鋅與氧化鎂組成的摻鎂氧化鋅二元系統，利用調控膜層的摻鎂量多寡，可以改變其能隙值，達成能隙工程的目的。本研究希望探討在SCAM基板上成長的摻鎂氧化

鋅的相穩定性與摻鎂量的關係，並了解纖鋅礦及岩鹽礦(rocksalt phase)結構磊晶的形成機制。研究結果證實SCAM基板垂直c軸方向具有易劈裂(cleavage)的物理性質，單晶晶柱生長過程中產生的晶域(domains)，除了造成後續加工及拋光上的困難之外，也會導致磊晶結晶性惡化。此外，表面拋光殘留的污染與顆粒也同樣導致磊晶結晶性不佳。本研究利用後退火(post-annealing)的製程，將基板在磊晶成長之前放置在1000 oC的大氣退火爐退火24小時，可以有效將基板表面殘留的汙染物或顆粒消除，裸露出如階梯般長程有序的表面，利於後續磊晶薄膜生長。其次，嘗試在SCAM(0001)基板上生長

未摻雜的氧化鋅及摻鎂氧化鋅(Zn1-xMgxO, x = 0.11 - 0.66)磊晶薄膜，低晶格失配的SCAM基板具有良好的束縛力，可以使纖鋅礦結構的摻鎂氧化鋅，具有較高的結構穩定性，使摻鎂量到66%，仍可維持纖鋅礦結構，高於目前文獻報導的摻鎂量40 - 50%。常溫陰極光致光譜及低溫螢光光致光譜分別得到位於4.18與4.20電子伏特的近能隙放光峰且由穿透光譜推算能隙值為4.24電子伏特。纖鋅礦摻鎂氧化鋅與SCAM基板的磊晶方位關係為：[0001]SCAM // [0001]ZMO 與 (03 ̅30)SCAM // (03 ̅30)ZMO。然而，摻雜微量的銅導致氧化鋅的摻鎂量會下降至42%

，且在薄膜生長過程中，增加鎂的流量會讓摻鎂氧化鋅從//ND的纖鋅礦磊晶轉變成//ND的纖鋅礦磊晶和//ND的岩鹽礦磊晶的混相薄膜，最後轉換為ND的岩鹽礦磊晶。換言之，除了過去文獻所報導可以(100)氧化鎂基板成長(100)的岩鹽結構摻鎂氧化鋅磊晶之外，利用SCAM基板也可以成長(111)岩鹽礦的摻鎂氧化鋅磊晶薄膜。藉由銅的摻雜，本研究成功成長p-type的摻鎂氧化鋅磊晶，摻鎂量為20%的試片，不論是退火前或是退火後，均穩定呈現p-type電導的特性，電洞濃度為1.9 x 1016 cm-3且遷移率為10.80 cm2V-1s-1。由於銅的存在會降低氧化鋅的摻鎂量，因此在高摻鎂的氧化鋅中，無法以

銅作為單一摻雜源。