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長庚大學 電機工程學系 高少谷所指導 陳思衡的 光通訊接收端轉阻放大器之設計與分析 （2019），提出honda si規格關鍵因素是什麼，來自於光接收機、前置放大器、主動電感峰化、RGC結構、低雜訊。
而第二篇論文臺北市立大學 應用物理暨化學系應用科學碩士班 李權倍、林麗瓊、陳貴賢所指導 陳言茌的 高曲率化石墨烯包覆銅奈米粒子作為光催化二氧化碳還原觸媒之研究 （2019），提出因為有 光催化、二氧化碳還原、曲率化、石墨烯、銅奈米粒子、化學氣相沉積的重點而找出了 honda si規格的解答。
光通訊接收端轉阻放大器之設計與分析
為了解決honda si規格 的問題，作者陳思衡 這樣論述：
目 錄指導教授推薦書………………………………………………………..口試委員會審定書 ……………………………………………………誌謝……………………………………………………………………...iii摘要……………………………………………………………….ivAbstract…………………………………………………………….……..v目錄…………………………………………………………….………..vi圖目錄………………………………………………………….………..ix表目錄………………………………………………………….………..xi第一章 緒論…………………………………………………………... -1-1.
1研究背景………………………………………………………-1-1.2研究動機與目的………………………………………………-2-第二章 光接收端系統的考量與分析……………………………....…-4-2.1系統概觀……………………………………………………....-4-2.2轉阻放大器之效能參數…………………………………........-5-2.3雜訊……………………………………………………............-5-2.3.1熱雜訊（Thermal Noise）………………………….-6-2.3.2閃爍雜訊（Flicker Noise）……………………….-8-2.4頻寬………………………………………
……………............-92.5增益……………………………………………………..........-10-2.6光接收機前置放大器分類……………………………..........-10-2.6.1低阻前置放大器………………………………...........-10-2.6.2高阻前置放大器………………………………...........-12-2.6.3轉阻前置放大器………………………………...........-13-第三章 CMOS光接收前置放大器設計………………………….........-16-3.1基本轉阻放大器分析…………………………………..........-16-3.1.1轉
阻增益…………………………………...................-16-3.1.2轉阻放大器頻寬…………………………...................-17-3.2轉阻放大器的選取………………………………………......-18-3.2.1共源極轉阻放大器……………………………….......-18-3.2.2共汲極轉阻放大器……………………………….......-20-3.2.3共閘極轉阻放大器……………………………….......-22-3.2.4 RGC結構……………………………………………..-24-3.3整體電路設計………………………………………………..-28-3.3.1
設計指標……………………………………………...-28-3.3.2 RGC-TIA轉阻放大器………………………………..-29-3.3.3單端轉差動放大器以及緩衝放大器………………...-36-第四章 電路模擬與結果分析………………………………………..-39-4.1元件數值變化對電路的影響………………………………..-39-4.1.1改變R1的阻值對RGC-TIA頻寬的改變…………...-39-4.1.2改變R2的阻值對RGC-TIA頻寬的改變…………...-40-4.1.3改變R4的阻值對RGC-TIA頻寬的改變…………...-41-4.1.4改變Rf的阻值對RGC-TIA頻寬的改變………
…...-42-4.2電路頻寬……………………………………………………..-43-4.3使用主動電感峰化技術的對比……………………………..-44-4.4暫態響應……………………………………………………..-45-4.5電路雜訊……………………………………………………..-47-4.6電路的輸入和輸出範圍……………………………………..-48-4.7電路設計規格………………………………………………..-49-第五章 結論與未來研究方向………………………………………..-50-5.1結論……………………………………………………..........-50-5.2未來研究方向………………………………
…………..........-51-參考文獻………………………………………………………………-52-圖目錄圖1.1光纖傳輸系統…………………………………………………...-2-圖2.1光通訊接收端電路區塊圖……………………………………...-4-圖2.2電阻熱雜訊等效電路模型……………………………………...-7-圖2.3 MOSFET通道雜訊模型………………………………………..-8-圖2.4 在氧化層-矽界面的懸吊鍵結………………………………….-8-圖2.5 閃爍雜訊等效電路圖…………………………………………..-9-圖2.6低阻前置放大器結構圖……………………………………….-11-圖
2.7低阻前置放大器等效電路…………………………………….-11-圖2.8 高阻抗前置放大器……………………………………………-12-圖2.9轉阻前置放大器……………………………………………….-14-圖3.1基本轉阻放大器的電路架構………………………………….-16-圖3.2共源極轉阻放大器…………………………………………….-19-圖3.3共汲極轉阻放大器…………………………………………….-21-圖3.4共閘極轉阻放大器…………………………………………….-23-圖3.5 RGC結構……………………………………………………....-25-圖3.6 RGC小訊號等效電路…………………………
………………-26-圖3.7本文提出的RGC-TIA轉阻放大器…………………………...-29-圖3.8電感峰化…………………………………………………….....-31-圖3.9電感峰化電路的小信號等效電路………………………….....-32-圖3.10 源極隨耦器………………………………………………......-33-圖3.11 小訊號等效電路…………………………………………......-33-圖3.12 等效輸出阻抗……………………………………………......-34-圖3.13單端轉差動放大器以及緩衝放大器………………………...-36-圖4.1 R1對放大器頻率響應的影響…………………
…………........-39-圖4.2 R2對放大器頻率響應的影響……………………………........-40-圖4.3 R4對放大器頻率響應的影響……………………………........-41-圖4.4 Rf對放大器頻率響應的影響…………………………….........-42-圖4.5本文提出的轉阻放大器之頻率響應………………………….-43-圖4.6使用主動電感峰化技術前的頻率響應…………………..........-44圖4.7 TT Corner下的的暫態響應……………………………….......-45-圖4.8 SS Corner下的的暫態響應……………………………….......-4
6-圖4.9 FF Corner下的的暫態響應……………………………….......-46-圖4.10本文提出的轉阻放大器之輸入雜訊電壓頻譜密度………...-47-圖4.11電路的直流輸入電流和輸出電壓……………………….......-48-表目錄表4.1文獻比較規格表…………………………………………….…-49-
高曲率化石墨烯包覆銅奈米粒子作為光催化二氧化碳還原觸媒之研究
為了解決honda si規格 的問題，作者陳言茌 這樣論述：
本論文利用人造光合作用系統將二氧化碳催化還原成碳氫化合物，作為未來新興的替代性能源，以期改善越趨嚴重的環境及能源議題。本研究以石墨烯包覆銅奈米粒子(Multilayer graphene-wrapped copper nanoparticles, MLG-CuNPs)作為新型光觸媒，透過光催化反應將二氧化碳轉換成高經濟價值碳氫化合物。本研究藉由低壓化學氣相沉積法(Low-pressure chemical vapor deposition, LPCVD)一步驟合成MLG-CuNPs 於基材上。通過掃描式電子顯微鏡(Scanning electron microscope, SEM)圖像確認M
LG-CuNPs 均勻沉積的在矽基板(Silicon wafer, Si)上；穿透式電子顯微鏡(Transmission electron microscopy, TEM)圖像顯示，所製備的MLGCuNPs的粒徑約為30～80 nm，此外可以從高解析穿透式電子顯微鏡(Highresolution transmission electron microscopy, HRTEM)圖像中進一步觀察到MLGCuNPs的核-殼結構分別顯示了石墨烯的層間距為0.35 nm 和Cu(111)的晶面間距為0.21 nm；從拉曼光譜儀(Raman Spectrometer)分析可看出因包覆銅奈米粒子導致非平面石
墨烯之峰值(D+G band、2D’ band)；從紫外光-可見光光譜儀(UVVisible Spectrometer, UV-Vis)之吸收，可得到在包覆銅奈米粒子後於623 nm 處有銅奈米粒子所引起的表面電漿共振效應(Localized Surface Plasmon Resonance, LSPR)之峰值；X 光光電子能譜儀(X-ray Photoelectron Spectroscopy, XPS)分析顯示，MLG-CuNPs 中石墨烯包覆的銅奈米粒子其價態顯示為零和一價，且在光催化二氧化碳還原後，銅會跟氫氧根離子鍵結形成氫氧化銅，氫氧根可以跟二氧化碳鍵結形成中間產物甲酸酯跟羧酸，因
此有利於二氧化碳還原反應。利用氣相管柱層析儀(Gas Chromatography, GC)分析產物。以石墨烯包覆銅奈米粒一次循環沉積於矽基板上(MLG-CuNPs-1 cycle/Si)當作光觸媒，進行六小時光催化反應後，其總量子效率(Quantum efficiency, QE) 2.3×10-3 %。為了進一步增加MLG-CuNPS 之沉載量，我們將1 次循環沉積次數下(1 cycle-deposition)將矽基板基材改為碳布(Carbon cloth, CC)，以此來增加觸媒量。以MLG-CuNPs-1cycle/CC 進行六小時光催化反應後，其QE 值相較於平面矽基材之樣品(MLG
CuNPs-1 cycle/Si)有效提升多2 倍。另一方面為了探討MLG-CuNPS 之沉積量對QE 值的影響，我們在矽基板上進行不同循環沉積次數。發現3 次(MLG-CuNPs-3 cycle/Si)和5 次(MLG-CuNPs-5 cycle/Si)循環沉積的樣品，進行六小時光催化反應後其QE 值分別6.4×10-3%與8.95×10-3%，相較於MLG-CuNPs-1 cycle/Si 之QE值明顯提升了3 倍與4 倍。以同樣方式，MLG-CuNPs-3 cycle/CC 其QE 值也能有效提升至7.49×10-3 (MLG-CuNPS/CC-1 cycle QE 值為4.87×10-
3%)。由此可見，增加基材之表面積與多次循環沉積皆能有效提升二氧化碳光催化還原效率。關鍵字:光催化、二氧化碳還原、曲率化、石墨烯、銅奈米粒子、化學氣相沉積