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國立交通大學 環境工程系所 白曛綾所指導 吳必鈞的 潔淨室氯離子微污染物造成有圖晶圓之金屬線路腐蝕探討 （2011），提出hepa濾網水洗關鍵因素是什麼，來自於無塵室、氣態分子污染物、微污染、金屬線路腐蝕缺陷、有圖晶圓、鹽酸。

而第二篇論文國立交通大學 環境工程系所 白曛綾所指導 林義凱的 潔淨室無機污染物之採樣及晶圓表面吸附沈積行為探討 （2009），提出因為有 無塵室、氣態分子污染物、微污染、擴散固氣採樣器、黏附係數的重點而找出了 hepa濾網水洗的解答。

最後網站有不用更換濾網的清淨機嗎 - Relonintl則補充：② 雖然HEPA濾網是可回收塑膠材質，但清淨機無耗材、可水洗的設計更是直接兼顧了環保減塑、永續環境。 ③ HEPA濾網通常是不織布材質，可以吸附氣味並加以過濾，但如果 ...

接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧：

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09:45 第一層：可水洗濾網，去除毛髮灰塵
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10:12 第三層：全封膠的 HEPA 13 濾網
10:50 空氣清淨機內部宛如新機？...密封性做得好，機內就乾淨
12:39 不可把活性碳放 HEPA 後面：吸入活性碳會傷肺，不健康！
14:00 厚實大片的 HEPA 13 濾網：0.3μm 可達 0 微塵排放
18:44 Dustie 還有特殊濾網：吸收甲醛專用，裝潢救星
21:54 CARD 是看空氣流量，濾網越好，越難做到高 CADR
23:34 平常使用低檔，高速檔則可應急
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潔淨室氯離子微污染物造成有圖晶圓之金屬線路腐蝕探討

為了解決hepa濾網水洗的問題，作者吳必鈞 這樣論述：

潔淨室環境中微量的Cl- 會造成晶圓金屬線路腐蝕缺陷(Metal Corrosion)，導致元件缺陷與製程良率下降；本研究提出以潔淨室有圖晶圓進行微污染採樣，設計不同型式的氯離子微污染控制環境，並配合使用離子移動式光譜儀以及吸收瓶採樣+離子層析儀分析方法，研究潔淨室氯離子的環境背景濃度，以及有圖晶圓暴露於微污染控制環境，研究內容包括發生金屬線路腐蝕的敏感度、再現性、最大允許環境曝露濃度之恕限值等，進而依據實驗結果來研擬實廠對於氯離子微污染之防範策略。由潔淨室氯離子背景濃度以及微污染控制環境研究結果顯示，IMS可有效應用於無塵室氯離子監測，和吸收瓶之同步量測差異分析呈現高相關性(R2=0.99

33)；本研究創新設計之無塵布微污染環境，其濃度誤差為12%~17%，與滲透管微污染環境之HCl濃度控制能力相當；本研究設計之有圖晶圓的確可有效偵知金屬線路腐蝕缺陷，並且由表面缺陷分析儀分析之缺陷數量與暴露濃度正相關，由能量散射光譜儀分析缺陷的成分也均有發現氯元素的成分，以上的缺陷分析之再現性均為 100%，有三明治結構的Al-0.5%Cu 8吋有圖晶圓相較於Al-1%Si-0.5%Cu 6吋有圖晶圓有較佳的抗腐蝕能力，TiN障礙層也較TiW障礙層具有更佳的抗腐蝕能力；最後，依據本研究建立金屬線路腐蝕之可容許曝露Cl- 濃度為2ppbv，此可容許曝露Cl- 濃度並可作為實廠運作之參考建議值。

潔淨室無機污染物之採樣及晶圓表面吸附沈積行為探討

為了解決hepa濾網水洗的問題，作者林義凱 這樣論述：

半導體產業積體電路製造技術快速發展，傳統針對微粒污染控制所設計之潔淨室將無法符合氣態分子污染物之潔淨需求，其中無機氣態分子污染物質(Inorganic airborne molecular contaminants)一旦沈積吸附於晶圓表面，將導致元件缺陷與製程良率下降。本研究提出無塵室無機分子污染物質最佳採樣方式，並使用擴散固氣採樣器(DDS)完成黃光區及蝕刻區無機氣態及固態污染物濃度分析，以了解常見無機分子污染物之種類、濃度大小與其潛在污染來源；並建立不同曝露時間之晶圓表面無機污染物吸附沉積動力模式，預測環境中可允許濃度或最大曝露時間之恕限值。由無機污染物採樣技術研究結果顯示，DDS和吸收

瓶皆可有效應用於無塵室無機污染物採樣，其中DDS採集SO2氣體及SO42-微粒污染物濃度合計後，其和吸收瓶採集SO42-濃度間具有高相關性(R2=0.99)。黃光區及蝕刻區主要氣體污染物為NH3及HF氣體，主要酸鹼性微粒為Na+、NH4+、Cl- 及SO42-；黃光區及蝕刻區酸鹼性微粒質量濃度分別佔細微粒(100×100 µm2，斑點污染源為有機、無機氣態分子污染物及微粒組成。無機污染物沉降於晶圓表面潛勢能力大於有機污染物質，其中K+ 離子具有最大沉降潛勢。晶圓曝露於無機污染物環境下，經數秒的時間，即可能造成晶圓元件污染與陷缺。

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