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國立臺灣大學 材料科學與工程學研究所 陳俊維所指導 陳緯在的 利用自我封蓋固液氣化學氣相沉積法成長單層二硫化鉬 （2021），提出focus active藍色關鍵因素是什麼，來自於過渡金屬二硫屬化合物、二硫化鉬、化學氣相沉積法、自我封蓋固液氣成 長機制。
而第二篇論文國立雲林科技大學 電機工程系 蕭宇宏所指導 謝伯葳的 水下影像增強硬體模組設計 （2021），提出因為有 水下影像、白平衡、VLSI硬體實現的重點而找出了 focus active藍色的解答。
利用自我封蓋固液氣化學氣相沉積法成長單層二硫化鉬
為了解決focus active藍色 的問題，作者陳緯在 這樣論述：
擁有些許能帶差的半導體二維材料過渡金屬二硫屬化合物系列 (transition metaldichalcogenides,TMD) 為近年來相當熱門的研究主題，其中具有1.8eV直接 能帶的單層二硫化鉬具有許多特別的物理、化學性質，為一相當知名且相當具有發 展性的二維奈米材料。在二硫化鉬的製作中，化學氣相沈積法能在合理的成本下產 出高品質、大面積且層數均勻的二維二硫化鉬，是近年來最被普遍使用的一種生長 方式。在一般使用粉末作為前驅物的固氣氣成長機制 (Vapor-Solid-Solid,VSS) 中， 通常會選擇降低粉末的使用量來降低成長時的核點密度並成長出較大晶粒的二硫 化鉬，與此同時，二
硫化鉬的覆蓋率也會大幅下降，而降低其實用性。我們選擇用 相當新穎的自我封蓋固液氣成長機制 (Self-Capping Vapor-Liquid-Solid, SCVLS) ， 透過共晶反應提供均勻的液態前驅物並擁有快速的成長速率，其能成長出比固氣 氣成長機制更大晶粒、更大覆蓋範圍、且層數均勻度、結晶、電子性質都更好的二 硫化鉬奈米片或薄膜。在本篇論文中，我們能透過 SCVLS 成長機製能成長出晶粒 約為 200μm 的單層二硫化鉬奈米片或是 1×1 cm2 覆蓋的單層二硫化鉬薄膜。
水下影像增強硬體模組設計
為了解決focus active藍色 的問題，作者謝伯葳 這樣論述：
近十年來，水下影像相關的研究很多，但很少有人為其應用提供有效的硬體架構和實現。影像感測器如何即時獲取清晰、準確的水下影像成為水下自動化監測檢測嵌入式系統的關鍵問題之一。本文在以往水下影像增強相關技術的基礎上，開發了一種低複雜度的水下影像增強演算法，降低了相關的計算複雜度。與以前的技術相比，模擬結果表現出本論文所開發的低複雜度方法在定量和定性評估方面提供了是可接受。此外，我們實現了低複雜度的水下影像增強方法的硬體模組，以提供即時影像處理應用。這些系統將用於探索海底的未知區域，並為水下任務和相關科學研究提供自動化解決方案。通過使用 TSMC 0.13-um 技術，此硬體需要的邏輯閘數量大約370
K，工作時脈可以達到大約150MHz。