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fe3+電子組態的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦李嘉寧,鞏水利寫的 複合材料雷射增材製造技術及應用 和李亞江等的 先進材料連接技術及應用都 可以從中找到所需的評價。
這兩本書分別來自崧燁文化 和崧燁文化所出版 。
國立臺灣科技大學 材料科學與工程系 陳詩芸所指導 李維烈的 二氧化鈰奈米顆粒之缺陷結構與室溫鐵磁特性關連性研究 （2016），提出fe3+電子組態關鍵因素是什麼，來自於二氧化鈰、缺陷、鐵磁性、X光吸收光譜、拉曼光譜。
而第二篇論文國立清華大學 先進光源科技學位學程 陳錦明、李志浩所指導 何樹智的 研究高溫高壓下多鐵材料YMnO3之晶體和電子結構以及研究鐵摻雜YMnO3單晶薄膜之結構 （2015），提出因為有 多鐵材料的重點而找出了 fe3+電子組態的解答。
複合材料雷射增材製造技術及應用
為了解決fe3+電子組態 的問題，作者李嘉寧,鞏水利 這樣論述：
雷射增材製造先進複合材料的研發是發展尖端技術的重要基礎，該類複合材料性能穩定性問題是工業生產中經常遇到的，有時會延緩甚至阻礙整個生產進展。為適應現代化製造工業的發展需要，實現雷射增材製造材料局部組織與性能一體化精準控制，進一步改進雷射增材製造複合材料的品質已非常重要。 複合材料雷射增材製造技術有廣闊的應用前景，具有非常顯著的經濟及社會效益。本書對複合材料雷射增材製造技術的發展及應用進行介紹，全書共7章：第1章介紹雷射加工與增材製造技術的基本原理與發展情況；第2章介紹雷射增材製造工藝與裝備；第3章介紹複合材料雷射熔覆層局部-整體界面的結構、演變機理、結合機制及性能；
第4~ 6章針對近年來廣受人們關注的先進材料，如金屬基/陶瓷複合材料、非晶- 奈米化複合材料、金屬元素改性複合材料等的雷射製造問題進行介紹；第7 章給出一些雷射增材複合材料的應用示例，用於指導相關理論研究及實際工業生產。 全書針對近年來廣受人們關注的複合材料的雷射增材製造問題，對其製造原理、工藝特性、成形機理及局部組織等做了系統闡述，並給出了相關的應用示例，可指導相關理論研究及實際工業生產。 本書可供從事材料開發及雷射增材製造領域的相關工程技術人員使用，也可供大學相關科系師生閱讀參考。
二氧化鈰奈米顆粒之缺陷結構與室溫鐵磁特性關連性研究
為了解決fe3+電子組態 的問題，作者李維烈 這樣論述：
本論文使用沉澱法製備不同元素摻雜之二氧化鈰奈米顆粒，並以一系列的光譜分析探討被摻雜物誘發的缺陷結構，包括X光吸收光譜、拉曼光譜、紫外/可見光吸收光譜以及掃描穿透電子顯微鏡/電子能量損失光譜等，最後結合磁性量測結果，建立缺陷與磁性之關係。探討的主題有二：缺陷結構與缺陷分布。其中缺陷結構以摻雜不同類型元素進行討論，第一部份為不同離子半徑，包括La與Y。第二為不同電子組態，包括Pr及La。缺陷分布的影響則是分析退火前後之摻雜Pr之二氧化鈰奈米顆粒。 首先在離子半徑大小不同的La與Y摻雜二氧化鈰奈米顆粒方面，其摻雜濃度從0到15 at%。從X光吸收光譜與拉曼光譜的量測分析可發現隨著摻雜量增加，氧
空缺的含量也跟著上升。在低摻雜量時主要氧空缺所造成的缺陷結構為M3+-Vo¬- M3+ (M= Ce, La or Y)，而當摻雜量高於7%後，缺陷結構開始逐漸形成La3+-Vo-La3+或Y3+-Vo-Y3+。接著從掃描式穿透電子顯微鏡及電子能量損失光譜的分析發現在La摻雜二氧化鈰奈米顆粒中，La3+與Ce3+離子在系統中分布情形並不明顯，僅有少許聚集於顆粒中，而Y摻雜二氧化鈰奈米顆粒則趨向聚集於顆粒表面，造成該缺陷分布不同的原因可歸因於摻雜物離子半徑大小的不同。最後比較鐵磁性與缺陷關係發現摻雜La之二氧化鈰奈米顆粒的磁性較Y摻雜的弱，即表面的缺陷濃度高會貢獻較大的鐵磁性。 在電子組態不
同的Pr摻雜二氧化鈰奈米顆粒研究方面，同樣以0到15 at%的摻雜濃度做合成。首先使用X光吸收光譜確認當Pr摻雜於系統中不論摻雜量多寡皆是以Pr3+形式存在，而Ce3+含量則隨著Pr摻雜量增加而產生改變，從開始的9%左右上升到10%後，當Pr摻雜量大於9%後Ce3+即隨之下降。此外，Pr摻雜二氧化鈰奈米顆粒從VSM的量測得知樣品皆為室溫鐵磁性。綜合拉曼光譜、X光吸收光譜與磁性結果比較，可發現缺陷結構會依Pr摻雜量增加而改變，接著使用FCE機制可推論出二氧化鈰奈米顆粒中缺陷結構與磁性關係的影響，並比較La摻雜二氧化鈰奈米顆粒探討電子組態與磁性的影響。 繼續將Pr摻雜二氧化鈰奈米顆粒在氧氣氣氛
下做退火處理，使用X光吸收光譜中的Pr L-edge可清楚得知，經過氧氣退火後Pr依舊以三價的形式存在系統中沒有被氧化。而Ce3+含量則比退火前減少了許多，從8-10%下降到7-8%。拉曼光譜的分析也發現高摻雜量時缺陷結構從退火前的Pr3+-VO-Ce3+變成Pr3+-VO-Pr3+。從掃描式穿透電子顯微鏡及電子能量損失光譜發現，退火後系統中的Ce3+會聚集於顆粒表面，缺陷分布與磁性的關係將由FCE機制來建立。最後，本實驗討論因氧空缺產生的未束縛電子分布，更完整的詮釋有效F+ center在二氧化鈰奈米顆粒中影響鐵磁性的濃度。
先進材料連接技術及應用
為了解決fe3+電子組態 的問題，作者李亞江等 這樣論述：
歷史上每一種新材料的出現，都伴隨著新的連接工藝的出現並推動了科學技術的發展。先進材料連接技術的應用産生了明顯的經濟效益和社會效益，其研究開發更是多學科相互滲透的結果，在電子、能源、汽車、航太、核工業等部門中有著至關重要的作用。 本書針對近年來受到人們關注的先進材料，如高技術陶瓷、金屬間化合物、複合材料、功能材料等，對其連接原理、焊接性特點、技術要點及應用等做了系統的闡述，給出一些典型工程結構連接的應用示例，可以指導新産品研發。本書内容反映出近年來先進材料連接技術的發展，特别是一些先進技術的發展，對推動先進材料的焊接應用有重要的意義。 本書供從事與材料開發和焊
接技術相關事業的工程技術人員使用，也可供大專院校師生、科研院所和企事業單位的科研人員閲讀參考。
研究高溫高壓下多鐵材料YMnO3之晶體和電子結構以及研究鐵摻雜YMnO3單晶薄膜之結構
為了解決fe3+電子組態 的問題，作者何樹智 這樣論述：
本論文主要內容以同步輻射光源為基礎並搭配相關技術，如X光繞射光譜，以K-edge的高解析X光吸收光譜和1s3p共振放射光譜針對過渡金屬元素錳和鐵離子，來進行研究具鈣鈦礦結構之多鐵材料釔錳氧多晶體在高溫和高壓下的晶體和電子結構。根據X光繞射光譜，釔錳氧在高溫和高壓下沒有結構相變。我們發現在高溫下楊泰勒晶格形變的減小，主要是由錳氧錳鍵角變大或八面體MnO6間的扭曲減小所造成，而在高歷下楊泰勒晶格形變的減小，則是由八面體MnO6中的錳氧長鍵被壓縮所影響。在高溫及高壓下楊泰勒晶格形變的減小，會使得兩相隣錳離子間的4p‒3d 軌道混成變大。我們亦發現釔錳氧在高溫或高壓下會有金屬行為的發生。此外，我們籍
由過渡金屬元素錳和鐵離子在其K-edge和L2,3-edge的極化相關X光吸收光譜，研究純釔錳氧及鐵離子取代之釔錳氧單晶薄膜中的楊泰勒晶格形變及其電子組態。在理論計算方面，我們則分別利用FDMNES全多重散射計算來進行模擬過渡金屬元素錳離子在其K-edge的極化相關X光吸收光譜，以及利用configuration-interaction 多重散射計算來進行模擬過渡金屬元素錳離子在其L2,3-edge的極化相關X光吸收光譜。根據XRD結果，Fe3+離子取代Mn3+離子對晶格常數所產生的影響不大。當50% Mn3+離子被 Fe3+離子取代時，其Δeg值因受到球形對稱的Fe3+晶體場的影響會下降至0
.6 eV (Mn3+離子在純釔錳氧的Δeg為 0.9 eV)，但eg電子仍佔據在d3y2-r2軌道。另一方面，Fe3+離子的Δeg值則會受到Mn3+離子的影響，會從 0.15 eV (Fe3+離子的濃度為12.5%)上升至 0.5 eV (Fe3+離子的濃度為50%)，且Fe3+離子會因對稱性極差之Mn3+離子晶體場的效應而產生相同的扭曲變形。從極化相關吸收光譜及理論計算所得的結果，我們推測在50% Fe3+離子取代的樣品中的磁結構屬 G-type 結構。