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國立勤益科技大學 化工與材料工程系 蔡美慧所指導 金士捷的 濺鍍黑化層與導電銅層於透明聚亞醯胺薄膜 之特性研究 （2021），提出fccl應用關鍵因素是什麼，來自於透明聚亞醯胺、黑化層、剝離強度、反射率、老化、阻隔水氣。
而第二篇論文逢甲大學 材料科學與工程學系 林巧奇所指導 鄭耘的 微製程製作CoNiP硬磁元件於增進Wiegand獵能裝置輸出電壓之研究 （2021），提出因為有 韋根、磁性感測絲、CoNiP合金、電鍍、軟性銅箔基板、摺紙術的重點而找出了 fccl應用的解答。
濺鍍黑化層與導電銅層於透明聚亞醯胺薄膜 之特性研究
為了解決fccl應用 的問題，作者金士捷 這樣論述：
本研究將透明聚亞醯胺薄膜表面濺鍍一層抗反射層(黑化層，CuNiOx)及導電銅層，黑化層使用銅鎳合金靶進行直流反應性濺鍍，氧氣和氬氣作為反應氣體和工作氣體，為了改善黑化層與透明聚亞醯胺之剝離強度與光學性質，實驗設計改變濺鍍功率、氣體流量、鍍層厚度等參數，研究其與剝離強度之關係。聚亞醯胺薄膜之金屬化薄膜將由掃描式電子顯微鏡(SEM)、傅里葉變換紅外光譜儀(FTIR)、X光光電子能譜儀(XPS)、紫外光/可見光光譜儀(UV-Vis)、薄膜厚度輪廓測量儀(α-step)、白光干涉儀(WLI)、熱機械分析儀(TMA)、熱重分析儀(TGA)及90°剝離試驗機(Peeling Tester)等設備鑑定其化
學結構與特性，探討製程參數對透明聚亞醯胺金屬化之薄膜表面形態、電性、光學、熱及機械性質及界面剝離強度之影響。實驗結果指出藉由濺鍍黑化層能明顯降低材料的反射率( R% < 15% )，在高濺鍍功率和低氧氣流量下能達到高剝離強度與低反射率。在接著信賴性測試中150 ℃老化24小時，剝離強度有上升的趨勢，以白光干涉儀與SEM分析老化後PI表面形貌之差異。在PI上以不同濺鍍功率沉積黑化層，可以觀察到功率225 W時水氣穿透率為4.023 g-mil/m2 - day，當濺鍍功率越高，其水氣穿透率則下降，在功率450 W 下濺鍍黑化層，其水氣透過率降低至 1.505 g-mil / m2 - day，濺
鍍功率越高鍍層越緻密，緻密的鍍層具有較佳的阻隔水氣的效果。
微製程製作CoNiP硬磁元件於增進Wiegand獵能裝置輸出電壓之研究
為了解決fccl應用 的問題，作者鄭耘 這樣論述：
目錄第一章 緒論1-1研究動機及背景1-2研究目的第二章 理論基礎與文獻回顧2-1理論基礎2-1-1磁性材料2-1-2磁異向性與磁滯曲線2-1-3 磁路定理2-1-4微機電製程2-1-5韋根傳感器2-2文獻回顧2-2-1 硬磁合金電鍍與摺紙術充磁2-2-2 韋根獵能2-3研究參數與目標第三章 實驗流程與儀器原理3-1實驗流程3-2微機電微結構製程3-3電鍍CoNiP膜層3-4充磁設計3-5 Wiegand脈衝之測量3-6 硬磁元件分析與量測3-6-1 膜厚與微製程微結構測量3-6-2 X光繞射分析3-6-3 磁性測量3-6-4 表面形貌與化學成分分析第四章 結果與討論4-1 CoNiP硬
磁材料與微製程微結構分析4-2 硬磁合金電鍍與充磁4-2-1 AZ4620之電鍍與充磁4-2-2 絕緣膠圖案成型電鍍與充磁4-2-3 CoNiP硬磁元件與NdFeB磁鐵之雜散磁場比較4-3 韋根傳感器獵能脈衝量測第五章 結論與未來發展參考文獻附錄：本研究發表之相關論文圖目錄圖2.1 磁滯曲線圖圖2.2 閉合磁路中取一閉合迴路圖2.3 磁路中有分支時之範例圖2.4 韋根絲與韋根傳感器的結構圖2.5 韋根傳感器之韋根絲磁化狀態與所對應之磁滯曲線圖圖2.6 鐵磁性材料中巴克豪森跳躍之極化強度(J)或磁通密度(B)與外加磁場強度(H)的關係圖 17圖2.7 韋根傳感器一次脈衝所產生的輸出電壓峰值與持
續時間圖2. 8 電鍍變因對鍍層材料特性影響之關係圖圖2. 9 摺紙術充磁之充磁架構(上圖)與充磁結果(下圖)示意圖圖2. 10 在韋根絲兩端有無添加鐵氧磁珠的實驗示意圖圖2. 11 磁場中韋根傳感器的角度（θ）圖：（a）平行或反平行狀態，（b）垂直狀態，和（c）其他狀態圖2. 12 左圖為韋根傳感器和磁力線的夾角與韋根脈衝能量之間的關係；右圖為有無添加導磁體時韋根絲上之磁通量密度比較圖3. 1 台虹科技股份有限公司所提供的FCCL剖面圖圖3. 2 基板裁剪後之實際大小(基板貼附於壓克力板上)圖3. 3 旋轉塗佈機圖3. 4 實驗中所使用的曝光箱圖3. 5 左圖為使用微影製程之圖案設計，右圖為
電鍍前絕緣膠圖案成型製程所製作出的試片實際照片。圖中藍色箭頭指示充磁時的試片彎折方向，紅色箭頭代表充磁之外加磁場方向圖3. 6 為IP硬磁元件之磁力線示意圖圖3. 7 電鍍夾具設計圖圖3. 8 電鍍時試片及其夾具之實體照片圖3. 9 左圖為實驗時陰極(黑色平夾)狀況，右圖為實驗時陽極(紅色平夾)狀況圖3. 10 左圖為CoNiP之m-H圖，右圖為充磁頭設計圖圖3. 11 充磁時固定式片之夾具(樣品座)，以塑膠3D列印製作之圖3. 12 充磁架構之實體照片圖3. 13 左圖為Wiegand與滑軌(手動移動平台)的示意圖；右圖為測量架構實體照圖3. 14 Wiegand量測架構圖與Labview程
式測量畫面圖3. 15 測量時的實際狀況：負脈衝圖3. 16 WG631之規格表圖3. 17 表面粗度儀SJ-310圖3. 18 日本Rigaku公司TTRAX Ⅲ型x-ray繞射儀圖3. 19 Quantum Design MPMS-3型超導量子干涉磁量儀圖3. 20 日本HITACHI S-4800冷場發射掃描式電子顯微鏡圖4. 1 CoNiP合金以電流20 mA/cm2電鍍30分鐘所得不同放大倍率的膜層表面SEM圖圖4. 2 文獻上以20 mA/cm2電鍍一小時所得CoNiP膜層的表面SEM圖圖4. 3 為以20 mA/cm2電鍍30分鐘所得CoNiP合金膜層的EDS成份分析：(a)ED
S圖譜，(b)成分比例總表圖4. 4 文獻上以不同電流密度參數電鍍60分鐘所得CoNiP合金膜層的EDS成份分析圖4. 5 為以20 mA/cm2電鍍30分鐘所得的CoNiP合金之B-H曲線，(a)為樣品一IP與OP的m-H圖，(b)為樣品二的IP與OP的m-H圖(c)為樣品一與樣品二IP經標準化的m-H圖，(d)為樣品一與樣品二OP經標準化的m-H圖，(e)為樣品一IP與OP第二象限的B-H圖，(f) 為樣品二IP與OP第二象限的B-H圖圖4. 6 以20 mA/cm2電鍍30分鐘所得的CoNiP合金之XRD分析圖譜，下圖為鈷晶粒之JCPDS標準圖譜圖4. 7 研究初期微影試片光阻的表面形貌
與粗糙度測量圖4. 8 研究後期微影試片光阻的表面形貌與粗糙度測量圖4. 9 為手持式光學顯微鏡下電鍍膜層圖案之實際圖圖4. 10 上圖為微影光阻之表面形貌；下圖為微機電製程後經電鍍與去光阻所測得之表面形貌圖4. 11 使用AZ4620微影、電鍍及充磁試片之高斯計測量結果圖4. 12 絕緣膠圖案成型的圖案設計中，添加一條1~2 mm寬的橫條紋之實體照圖4. 13 使用手持式高斯計多次測量不同參數之試片圖4. 14 上圖為彎曲充磁之CoNiP硬磁元件之磁場強度分佈與觸發磁場範圍；下圖為環型充磁之CoNiP硬磁元件之磁場強度分佈與觸發磁場範圍圖4. 15 上圖為NdFeB磁鐵長邊之磁場強度分佈與觸
發磁場範圍；下圖為NdFeB磁鐵短邊之磁場強度分佈與觸發磁場範圍圖4. 16 自製Wiegand繞線圖4. 17 將NdFeB永磁以兩種不同方式測量Wiegand脈衝圖4. 18 將自製CoNiP硬磁元件以不同飛行高度測量Wiegand脈衝圖4. 19自製CoNiP硬磁元件與NdFeB永磁鐵所觸發測得Wiegand脈衝之比較表目錄表2. 1 磁路與電路中各物理量的對照關係表2. 2 富鈷合金磁性整理表2. 3 富鈷合金電鍍參數表3. 1 CoNiP電鍍液之成份表表4. 1 兩片試片之水平方向與垂直方向的SQUID數據分析結果表4. 2 相同參數微影的實驗結果