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電阻式記憶元件之結構設計與製程整合開發

為了解決fa-c20pt的問題，作者吳光耀 這樣論述：

在這項研究，首先利用了射頻磁控濺鍍設備(RF Magnetron Sputter Deposition System)在TiN/SiO2/Si的基板上分別沉積了Sm2O3和V2O5這兩種材料。並將這兩種材料製備成MIM(Metal-Insulator-Metal structure)結構的電阻式動態隨機存取記憶體（Resistive Random-Access Memory縮寫為RRAM）。這項研究中的所有RRAM結構都顯示出穩定的電阻切換行為。在製作的過程中，首先利用不同的氧氣流量、不同的功率等參數來研究薄膜的變化，並且利用快速熱退火(Rapid thermal annealing

縮寫為RTA)，使元件在不同的退火溫度下，改善薄膜的氧空缺特性，在來則利用熱蒸鍍機(Thermal Evaporation Coater)蒸鍍150nm厚的Al電極。並且利用半導體參數分析儀(HP4156C)對元件作電性量測，量測其元件的I-V電特性、可靠度(Endurance)、資料保持時間量測(Retention)。在實驗的過程中還發現，若將Sm2O3和V2O5薄膜製備成雙層的元件，並且改變堆疊順序來影響RRAM的開關特性，使其表現出雙極性電阻開關（Bipolar Resistive Switch縮寫為BRS）行為和自我限流行為(Self-Compliance)。並且對這些不同薄膜結構的R

RAM元件的電流傳導機制作探討，建立物理模型。 在第一項研究中，我們觀察到V2O5和Sm2O3薄膜的RRAM元件具有雙極(BRS)特性。若在傳導路徑中加入適當的氧氣可以改善V2O5/TiN/SiO2/Si RRAM元件的雙極切換行為。並且對元件作RTA退火，可以降低元件的Forming 電壓。因此在這項研究中，研究Sm2O3和V2O5單層薄膜的RRAM元件的電阻開關特性和特性提升。 在第二項研究中雙層的V2O5/Sm2O3 RRAM元件的RHRS/RLRS比要高於僅有V2O5或Sm2O3的單層RRAM元件的RHRS/RLRS比，RHRS/RLRS比約為103。當RHRS/RLRS比

值越大RRAM的耐久度(Retention Time)越穩定。研究中還發現雙層結構中Sm2O3和V2O5薄膜的堆疊順序可以影響RRAM的切換功能，從而導致自我限流行為或非現流行為。

利用金屬有機配位化合物及奈米鑽石應用於電化學生物感測器之研究

為了解決fa-c20pt的問題，作者陳澤瑋 這樣論述：

本文分三部分，第一部分使用了熱溶劑法成功合成了Cd（II）金屬有機奈米片Cd(II)–MONSs。 Cd(II)–MONSs修飾電極的製備材料非酵素之過氧化氫生物感測器已經被證明在活哺乳動物細胞中的是可作用的。寬廣的線性檢測範圍（0.02至1935 μM），最低偵測極限為10.4 nM。 第二部分描述了用奈米鑽石（ND）修飾玻璃碳電極（GCE）並對氫醌（HQ）感測的靈敏度和低電位檢測。通過高倍率掃描電子顯微鏡，傅立葉紅外線光譜以及拉曼光譜證實ND的存在。循環伏安結果表明，ND修飾的玻璃碳電極電催化活性高於未修飾的GCE。此外，由於ND中存在-OH官能基團，因此ND修飾的GCE表現出比未修飾的

GCE對鄰苯二酚更低的氧化電位。最後一部分我們成功地製備了簡單靈敏的乙二胺鈷（Ⅱ）錯化合物[Co(en)3]2+（en =乙二胺）（GCE）並用於電化學偵測鞣花酸EA）。通過循環伏安（CV）和電流分析技術（it）監測修飾的電極性能。感測器呈線性檢測範圍（0.1 μM – 929 μM），極限值（0.035 nM）以及靈敏度（0.06709 μA・μM cm-2）。另一方面，GCE / [Co(en)3]2+修飾電極已被用於真實樣品分析，表現出可接受的再現性。