cree led比較的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列各種有用的問答集和懶人包

圖型化基板對氮化銦鎵發光二極體可靠度影響之研究

為了解決cree led比較的問題，作者孫嘉鴻 這樣論述：

本論文主要是研究圖型化基板對氮化銦鎵發光二極體可靠度影響的研究。首先，第一章簡介發光二極體的基本結構、III-N族化合物半導體的材料特性、基本特性與說明LED可靠度的重要性。 接著，第二章整理可靠度相關的文獻回顧。從LED的光電特性探討LED失效的原因，並找出失效的機制包含缺陷產生、漏電流的增加、發光光譜的位移以及電流擁擠效應；其中電流應力可能使元件內部產生缺陷，導致注入載子的過程中，載子先被缺陷捕捉，使電流往阻值低的路徑流，漏電流增加，導致電流分佈不均勻，而讓電極劣化和光輸出功率下降。透過失效機制的分析可以瞭解如何提高LED的發光效率。 第三章以X光繞射儀分析試片的缺陷

密度，並估算量子井週期寬度及銦含量，從XRD分析的結果發現，圖型化基板的LED與傳統的LED比較，導通電壓較高，其主要的原因是活性區中的銦含量較少，還有有較低的缺陷密度；分析完晶體品質後，分別再以電流應力及高溫應力兩種條件施加在LED試片上，實驗中發現傳統的LED在電流應力後，因為元件內部產生缺陷和電極的劣化造成光輸出功率下降，可以從Log I-V、波長位移及微光顯微鏡影像得到驗證；傳統的LED本身的缺陷密度較高，施加電流應力後因為內部產生缺陷，導致電流往阻值低的路徑流，造成有電流擁擠效應的現象，使表面發光不均勻，整體光輸出功率下降，然而，單獨施加高溫應力後發現，傳統LED表面的發光分佈較均勻

，提升整體的光輸出效率；而具圖型化基板的LED在施加電流應力下發現光輸出功率一開始先上升並持平，此結果與單獨加高溫應力的結果接近，可能的原因是熱退火導致電流擁擠效應降低，而從較長時間的電流應力後發現，圖型化基板LED的內部開始產生缺陷以及電極部分有劣化的現象，導致光輸出功率下降。 第四章為本論文結論，從實驗中發現使用圖型化基板確實能改善晶體品質以及提高光輸出功率，並提升其元件的可靠度，而晶體品質較差的傳統LED經過高溫熱退火後，從近場圖及發光強度分佈圖上能看到均勻性提升，也說明適當的熱退火，使LED在光性上獲得改善；雖然造成電流分佈變化的原因可能是ITO、ITO與半導體之間或p-GaN的

阻值改善所導致，但是，仍有待進一步的驗證及更詳細的探討。