apex更新進不去的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列各種有用的問答集和懶人包

GMAT官方題庫範文精講

為了解決apex更新進不去的問題，作者[美]斯圖爾特 等編著 這樣論述：

GMAT考試的分析寫作部分（Analytical Writing Assessment）要求考生在60分鐘內寫出兩篇不同類型的作文（每篇30分鐘）︰一篇立論作文（Analysis-of- Issue Essay）和一篇駁論作文 （Analysis-of-Argument Essay）。 在進行作文考試的時候，你所遇到的兩個作文題目是GMAT考試系統從試題庫中隨機抽取的。 兩種類型的作文試題庫都有超過10個試題，就目前而言，立論作文試題庫里面有163個試題，而駁論作文試題庫里面有145個試題。 好消息！ETS和GMAC（負責出試題的組織）預先公布了

GMAT作文的試題庫，因此只要付出努力，你就可以針對GMAT作文考試進行很好的準備。 更好的消息！ 在本書中有233篇針對GMAT作文真題的寫作範文（你可以在第二章至第五章中找到這些範文）。同時，在第一章，我們將教給你在GMAT考試中寫出高分作文的要訣。 GMAT作文試題庫的網上更新 記住到網上去檢查本書的更新和補充，因為ETS會不時對題庫中的題目進行修改和補充。要想查看本書的更新情況，請在你的瀏覽器中輸入以下地址︰www.west.net/~stewart/awa 同時，你也可以通過瀏覽第一作者的GMAT復習網頁（www.west.net/~

stewart/gmat） 來獲取GMAT考試其他部分的教程和模擬測試，以及作者所著的其他關于MBA書籍的信息。 如何根據我們提供的範文找到官方題庫中相對應的題目 ETS會不時對題庫中的題目進行刪改或補充，這樣就可能導致題庫中題目序號發生變化。因此在本書第二章至第五幸的每一篇範文前面，我們都加入了一個簡短的關于題目的描述（在第二章和第四幸的範文精講部分，我們還提供了對應的題目和翻譯），以此幫助你根據我們提供的範文來尋找官方題庫中相對應的題目。你可以通過在題庫中搜索關鍵詞（關于題目的描述中用粗體表示的詞匯或短語）找到對應的題目。關于題庫的更新，請在本書的網站（www.wes

t.net/~stewart/awa）上點擊 “Updates”對應的鏈接。

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次世代電阻式記憶體與氮化鎵高電子遷移率電晶體物理機制研究

為了解決apex更新進不去的問題，作者鄭皓軒 這樣論述：

近年來5G通訊、人工智慧物聯網(AIoT)以及車用電子各項技術蓬勃發展，在高速運算、儲存容量與大功率操作的需求下，記憶體元件與功率電晶體的發展相當重要。在記憶體方面，隨著人工智慧物聯網時代的來臨，微控制器(MCU)將扮演相當重要的角色，而微控制器需使用大量的嵌入式記憶體(Embedded Memory)，嵌入式記憶體需要低操作功耗、高操作速度，並且能與半導體製程整合，在次世代記憶體中，電阻式記憶體最具有潛力。而在功率電晶體方面，過去以矽基元件的設計和技術開發經過了多次結構和製程優化更新，已逐漸接近矽材料的極限。而氮化鎵(GaN)為寬能隙(Wide Band-gap)半導體材料的代表之一，相較

於矽材料，具有寬能隙( bandgap)、高臨界電場(critical electric field)、高電子飽和速度(electron saturation velocity)等特性，在電動車與 5G 通訊方面為極具優勢的材料，以氮化鎵(GaN)為基底的高電子遷移率電晶體(High Electron Mobility Transistor, HEMT)日漸受到重視，顯現出氮化鎵在商業市場上的重要性以及未來的發展性。本論文針對電阻式記憶體以及氮化鎵高電子遷移率電晶體之性能進行相關研究。RRAM的元件目前以電晶體控制其開關(1T1R)作為嵌入式記憶體的主要結構。隨著莫爾定律的發展，電晶體的通道不

斷的微縮，電晶體可承受的電壓會越來越小，可能會逼近RRAM最大的操作電壓 – 形成電壓(Forming Voltage)，因此，如何降低形成電壓就會是一個重要的問題。本論文提出利用交流訊號進行Forming的步驟，使RRAM的Forming電壓下降，並且更進一步的設計出理想的操作波形，應用於嵌入式電阻式記憶體中。另一方面，由於嵌入式電阻式記憶體是RRAM串聯一電晶體，在Reset過程中，RRAM所獲得的電壓增加，造成電晶體的VGS減少，電晶體進入飽和區，使RRAM無法有效地增加操作窗口。因此，RRAM的操作窗口會受到電晶體的限制。除此之外，電晶體不只影響RRAM的操作窗口，也會影響RRAM的阻

態分部，因此，了解嵌入式電阻式記憶體操作過程中，RRAM與電晶體之間的關係，能夠有效降低嵌入式電阻式記憶體操作過程中電晶體的跨壓，就可以設計出低功耗/高性能嵌入式電阻式記憶體的架構。在氮化鎵高電子遷移率電晶體方面，考量安全因素元件的起始電壓須大於0，因此p-GaN HEMT因可達增強型(Enhancement-Mode, E-mode)為主要發展的元件，但是元件在關態時會產生嚴重的漏電流，故如何抑制元件漏電流是一重要議題。研究中發現p-GaN HEMT元件具有駝峰效應。分析其原因係在元件保護層中，因製程所產生的氫擴散至p-GaN層，進而產生次通道(Sub-channel)效應造成較大關態漏電。

另一方面，p-GaN HEMT閘極常見有Ni、Au和TiN等材料，不同材料間基本物理特性會影響元件的基本性能。然而，閘極金屬製程可能因為前驅物或電漿的轟擊，導致元件有前驅物殘留的污染、不平整的表面和較差的介面品質。此章節主要討論p-GaN HEMT漏電成因與不同閘極金屬製程對於之性能的影響。