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國立交通大學 電子研究所 蘇彬所指導 余昌鴻的 超薄絕緣層異質三五族與鍺通道金氧半場效電晶體及單層與多層二維過渡金屬硫屬化合物之邏輯電路及靜態隨機存取記憶體之研究與分析 （2016），提出VCS CBS關鍵因素是什麼，來自於超薄絕緣層、三五族、鍺、靜電完整性、變異度、後端閘極偏壓、量子侷限、二維過渡金屬硫屬化合物材料、邏輯電路、靜態隨機存取記憶體、單石三維整合。
而第二篇論文南華大學 社會學研究所 翟本瑞所指導 廖鐿鈤的 網路入侵---虛擬社區對真實世界的滲透 （2000），提出因為有 網際網路、虛擬社區、結合體、共同體、凝聚力的重點而找出了 VCS CBS的解答。
創業投資聖經：Startup募資、天使投資人、投資契約、談判策略全方位教戰法則【暢銷10週年‧最新增訂版】
為了解決VCS CBS 的問題，作者BradFeld 這樣論述：
正是這套夢幻法則，造就矽谷成為創業家與投資家的天堂樂園！ ＼Twitter 前CEO 迪克‧科斯特洛：「我創業的時候怎麼會沒有這本書呢？」／ ☆誠品、金石堂、博客來，各大書店暢銷榜完全制霸！ ☆《華爾街日報》暢銷榜、長踞亞馬遜網路書店創投類冠軍 ☆美國《企業家》雜誌年度必讀 增訂六個全新章節！ 詳解股權結構表、探討群眾募資需要注意什麼法律問題，股權該如何分配？建議何時該讓創投銀行介入、解析條件書的必要與重要性……豐富內容不藏私全公開！ 原始章節大幅修訂新增即時資訊！ 繁體中文版 獨家加注台灣「在地觀點」！ 作者布萊德．費爾德與傑生．孟德森 以近30
年、數百次參與創業投資的經驗，傳授給讀者： 撰寫投資條件書的藝術 討論參與創業投資各個面向的參與者 如何融資並了解投資協議的具體條款 融資時的談判技巧、法律問題 以及所有創業者、投資人應該知道並熟記的所有知識與技巧…… 本書從創業投資條件最簡單的來龍去脈說起，先介紹參與創投交易的各方人馬。 接著談到如何籌錢，包括判斷「應該籌多少錢」，還有踏上籌資道路之前，需要哪些東西。這部分會講到許多創投人士決定投資時所遵照的程序。 再來是深入創投投資條件的細項，此處分成三章：「牟利的條件、控制權的條件、其餘條件」。我們在細項條件，力求觀點平衡，加上策略的輔佐，以圖公道地
做生意。 後續會談到條件，有談「可轉換證券的方法」，再公開「創投商人的手法」，包含動機和報酬；接著會討論現實結構面如何影響一家公司籌資成敗，或在投資作成事後影響「創投人士、創投廠商、創業人士」三者的關係。 本書會初步講到談判，及特定策略在創投界是加分還是扣分，因為這在募資的過程中至關重要。我們也有意幫創業人士避免常見的錯誤或圈套，同時圓滿完成創投融資的交易。 世上沒有所謂標準的創投融資，各項議題會考量公司不同階段籌資納入考量。 本書特別用一章是講創業人士要知道的其他重要投資條件：向你收購公司的合同意向書。 最後以數個新創公司大多會面臨到的法律層面問題作結。本書也
許沒辦法像論文那樣洋洋灑灑，羅列所有創業須知，不過已納入數個作者認為創業理當注意的重點。 ★新創的世界瞬息萬變，初版已是必讀聖經，二版新增逾八萬字內容，完整抓住趨勢脈動，趁勝追擊，擴大公司規模！★ 名人推薦 余宛如（生態綠創辦人、立法委員）、 李開復 (前Google副總裁、創新工場創始人) 、 周欽華(科技島讀創辦人) 、 林之晨（之初創投創始合夥人） 林弘全 Light Lin (無名小站、FlyingV、Poseidon Network創辦人) 、 林冠羣（ＫＫＢＯＸ執行長） 邱繼弘Nathan (cacaFly聖洋科技董事長) 、 徐挺耀(潮網
科技創辦人) 、 張景溢 (華威創投董事長)、 郭展榮(一諾新創共同創辦人) 、 馮昌國(中銀律師事務所 共同主持律師)、 黃沛聲(力勤國際法律事務所 主持律師) 、 溫肇東 (創河塾塾長、政大科管智財研究所兼任教授)、 詹德弘(之初創投合夥人)、 翟本喬 (美斯潔股份有限公司董事長)、 趙如媛Josephine (Garage+執行長)、 蔡玉玲 (行政院前政務委員) 、 蔣萬安 (立法委員、萬澤國際法律事務所合夥人)、 蔣顯斌(新浪網聯合創辦人、CNEX董事長)、 鄭光廷Tim Cheng (flyingV共同創辦人兼執行長)……等不藏私推薦
(按姓名筆劃排序) 英文版推薦序 前Twitter CEO 迪克‧卡斯特羅 聯邦廣場創投公司合夥人 佛瑞德・威爾遜 Fitbit公司共同創辦人兼執行長 詹姆斯・帕克 中文版推薦序 中銀律師事務所共同主持律師 馮昌國 力勤國際法律事務所主持律師 黃沛聲 創河塾塾長、政大科技管理與智慧財產研究所兼任教授 溫肇東 Appworks之初創投合夥人 詹德弘(Joe) 立法委員、萬澤國際法律事務所合夥人 蔣萬安 專業審定 AppWorks之初創投合夥人 詹德弘 力勤國際法律事務所主持律師 黃沛聲
超薄絕緣層異質三五族與鍺通道金氧半場效電晶體及單層與多層二維過渡金屬硫屬化合物之邏輯電路及靜態隨機存取記憶體之研究與分析
為了解決VCS CBS 的問題，作者余昌鴻 這樣論述：
本論文針對新穎的超薄絕緣層異質三五族與鍺通道金氧半場效電晶體的可微縮性與二維過渡金屬硫屬化合物(2-D transition-metal dichalcogenide)構成之邏輯電路(logic circuits)及靜態隨機存取記憶體(SRAMs)性能及穩定性提供完整的評估與分析。在此論文中，我們考慮元件-電路間相互影響(interaction)和共同最佳化(co-optimization)以呈現二維過渡金屬硫屬化合物元件在元件/電路層面的潛力以及隱憂。藉由本研究，我們探討了量子侷限效應(quantum confinement)、後端閘極調控電性(backgate bias modulati
on)以及元件變異度(device variability)的影響，以提供未來低電壓操作電路設計藍圖。藉由研究分析三五族與鍺異質通道超薄絕緣層元件的異常靜電完整性(electrostatic integrity)行為，我們提出了一個未為人所知的本質性物理效應，名為內建之等效基極偏壓效應(built-in effective body-bias effect)。對於異質通道N型電晶體，此效應來自於高載子遷移率通道材料與傳統矽通道材料之間傳導能帶(conduction band)的偏移量，此偏移量由電子親和力(electron affinity)的差距以及等效傳導能帶的能態密度(effective
density-of-state of conduction band)的差異所構成。而對於異質通道P型電晶體，此效應則是來自於高載子遷移率通道材料與傳統矽通道材料之間價帶(valence band)的偏移量，對於鍺通道P型電晶體而言，這價帶偏移量主要來自於能隙(band-gap)的差異。從靜電完整性的觀點來說，此內建等效基極偏壓效應對於絕大多數的超薄絕緣三五族N型電晶體(III-V-OI nFETs)與超薄絕緣鍺P型電晶體(GeOI pFET)是一個有害的效應，其會使靜電完整性比由介電係數(permittivity)所預期的更加惡化。此外，內建等效基極偏壓效應對靜電完整性的影響的重要性並不
亞於介電系數。我們的研究還指出，由於內建等效順向基極偏壓效應使得靜電完整性惡化，超薄絕緣砷化銦鎵N型電晶體與超薄絕緣鍺P型電晶體也會因此具有比超薄絕緣鍺N型電晶體更差的臨界電壓(threshold-voltage, VT)變異度。相關的通道長度、等效氧化層厚度、通道厚度與埋藏氧化層厚度與內建等效基極偏壓效應對於靜電完整性的影響之相依性也有所探討分析。所以當一對一比較這些超薄絕緣層異質通道電晶體的靜電完整性時，這個本質性的內建等效基極偏壓效應需要被納入考量。量子侷限效應的影響隨著通道厚度的微縮而益發重要。藉由使用薛丁格方程式(Schrödinger equation)的解析解與元件數值模擬進行交
相驗證，我們理論性地研究探討量子侷限效應對於元件靜電完整性以及本質臨界電壓變異度的影響。除此之外，考慮量子侷限效應後，後端閘極調變之靜電完整性以及臨界電壓變異度會受到何種影響也有研究分析。我們的研究指出，儘管異質通道元件受到高介電係數與順向的內建等效基極偏壓效應影響，其載子密度分布極可能會遠離前端閘極介面，但量子侷限效應卻會使載子重心靠近前端閘極，因此異質通道元件的靜電完整性像是汲極誘發能障降低(DIBL)與次臨界擺幅(subthreshold swing)可以被改善而變得與矽元件差不多。除此之外，對於超薄絕緣層異質三五族與鍺通道元件，量子侷限效應也會抑制其靜電完整性以及本質臨界電壓變異度對製
程與溫度變異的後端閘極相依性。換而言之，當後端閘極被應用作功耗性能最佳化(power-performance optimization)或是全體變異度的修正補償(global variability compensation)時，量子侷限效應可以抑制同一晶粒內(within-die)的臨界電壓變化。因為不同的量子化有效質量，三五族、鍺與矽通道顯示出不同的量子侷限程度，所以當一對一比較這些超薄層異質通道元件時，量子侷限效應的影響也必須納入考量。本論文希望在使用這些先進的超薄絕緣層異質通道工藝技術時，能夠提供對於多臨界電壓元件與電路設計(multi-VT device/circuit design
s)更多的了解。對於未來終極微縮互補式金屬氧化物半導體(CMOS)元件，由於其超薄的原子層級材料厚度，二維層狀過渡金屬硫屬化合物材料已經成為具有潛力的候選通道材料之一。針對國際半導體技術發展路線圖2028年技術節點，本論文廣泛地研究評估由單層與雙層二維過渡金屬硫屬化合物構成的邏輯電路之性能表現以及靜態隨機存取記憶體的性能與穩定性。對於靜態互補式金屬氧化物半導體邏輯(static CMOS logic)家族，我們發現單層與雙層邏輯電路具有差不多的延遲時間，即使雙層二維過渡金屬硫屬化合物元件具有較高的載子遷移率。另一方面，對於開關電晶體邏輯(pass-transistor logic)家族，相比單
層開關電晶體邏輯電路，雙層開關電晶體邏輯電路具有較長的延遲時間，特別是那些使用單獨N型電晶體而非傳輸閘極(transmission gate)作為訊號傳遞開關的開關電晶體邏輯電路，像是現場可程式閘陣列(field programmable gate array, FPGA)裡的可程式之路由控制開關(programmable routing switches)。除外，因為有比較好的靜電完整性，我們也發現單層二維過渡金屬硫屬化合物組成之靜態隨機存取記憶體，相對雙層靜態隨機存取記憶體而言，擁有較佳的讀取靜態雜訊邊界(read static noise margin, RSNM)、較差的寫入靜態雜訊邊
界(write static noise margin, WSNM)以及差不多的讀取寫入效能。除了以上，本質隨機變異在超臨界(super-threshold)與近臨界/次臨界(near-/sub-threshold)操作下對靜態隨機存取記憶體的穩定性影響也在本論文中有所討論。對於6T靜態隨機存取記憶體，由於嚴重的金屬閘極功函數變異(work function variation)，單層過渡金屬硫屬化合物所構成之靜態隨機存取記憶體在超臨界操控下還有可能提供足夠的免疫能力，但在近臨界/次臨界操控下，不論單層抑或雙層靜態隨機存取記憶體皆無法有足夠的變異免疫力。此外，過高的源極/汲極串聯電阻 (sou
rce/drain series resistance, RSD)一直被視為二維過渡金屬硫屬化合物元件的主要隱憂，我們發現其會使單層與雙層超臨界靜態隨機存取記憶體的讀取靜態雜訊邊界平均值對標準差的比率(/ ratio)下降惡化，但對於近臨界/次臨界靜態隨機存取記憶體卻基本上沒有影響；意謂著對於超低功耗物聯網(internet-of-things, IoT)應用，較高的源極/汲極串聯電阻比較不是問題。為了改善嚴重的變異度影響，8T靜態隨機存取記憶體架構可能會有幫助而被使用，我們的研究發現，在8T架構下，單層與雙層近臨界/次臨界靜態隨機存取記憶體皆顯示大幅改善的變異免疫力。根據我們的評估，因為
其具有相當良好的靜電完整性，單層過渡金屬硫屬化合物元件比較適合低功耗的邏輯電路與靜態隨機存取記憶體應用；而雙層過渡金屬硫屬化合物元件，因為具有較高的載子遷移率，比較適合高性能的邏輯電路與靜態隨機存取記憶體應用。我們對於二維過渡金屬硫屬化合物構成之邏輯電路與靜態隨機存取記憶體的研究不僅僅停留在平面式技術，也擴展到單石三維整合(monolithic 3-D integration)的層面。藉由單石三維整合技術所賦予的分別採用單層或多層二維過渡金屬硫屬化合物於N型電晶體層(nFET-tier)與P型電晶體層(pFET-tier)之可能性，我們的研究指出，即使其載子遷移率高出單層與雙層過渡金屬硫屬化合
物元件不少，使用三層過渡金屬硫屬化合物元件於N型電晶體層或P型電晶體層依然會使邏輯電路之性能大幅下降，這是由於其過差的汲極誘發能障降低與次臨界擺幅。對於單石三維6T超臨界靜態隨機存取記憶體，相比平面式技術，於雙層過渡金屬硫屬化合物N型電晶體層之上堆疊單層過渡金屬硫屬化合物P型電晶體層可以提供較佳的穩定性以及讀取/寫入速度。而最佳的三維6T近臨界/次臨界靜態隨機存取記憶體設計組態則是於單層過渡金屬硫屬化合物N型電晶體層之上堆疊單層過渡金屬硫屬化合物P型電晶體層。而由於8T靜態隨機存取記憶體具有近乎理想的讀取穩定度，所以最佳的三維8T近臨界/次臨界靜態隨機存取記憶體設計組態是於雙層過渡金屬硫屬化合
物P型電晶體層之上堆疊單層過渡金屬硫屬化合物N型電晶體層。
網路入侵---虛擬社區對真實世界的滲透
為了解決VCS CBS 的問題，作者廖鐿鈤 這樣論述：
本論文主要探討虛擬社區對真實世界的滲透，為什麼要研究虛擬社區，它的重要性為何，其實虛擬社區還有許多議題值得大家繼續研究，以往一般研究者的處理普遍著重在所謂的認同問題、互動、網路人際關係或電子商務等議題上，而本研究主要處理虛擬社區與實體社區在網路上是否會彼此結合，即所謂的網路入侵後虛擬社區可能對真實世界所造成的影響，尤其在社區議題上。 普遍談到Community的定義時，它可能包含多種涵義，可能是社區或社群、同胞、共同體等，那到底什麼是社區呢，其實一般而言有一定的場所、人與人之間的關係、一種心理的感覺(凝聚力)等，就形成一個社區，關於這一點與虛擬社區蠻類似，而傳統社會學對社
區的討論，通常以人與社會關係的類型作區分，它區分為社區與社會兩種類型，從早期的圖尼斯從人的自然意志，提出社區與社會的關係、涂爾幹以社會事實或分工來區分機械連帶與有機連帶，及韋伯的共同體與與結合體的關係是建立在社會行動，不難發現傳統社會學處理社區議題時，通常會並存另一種團體，即社會，且社區與社會是持兩種不同的論點，但是對共同體而言,三者皆認為可能建立在情感支持隸屬、血緣或地緣等，而結合體普遍是建立在利益取向方面，因此在傳統社會學中社區與社會可能僵持不下，有時甚至處於對立的情況。 回到虛擬社區的討論，從虛擬社區的定義中，其實可以發現虛擬社區與實體社區間有類似的關係存在，首先虛擬
社區是存在於一個虛擬空間的，其次是人與人的互動所產生，三是情感的支持或是建立虛擬人際關係，因此虛擬社區的定義是一群人在網路虛擬空間中互動，彼此分享情感、建立人際關係，於是凝聚出一個社區，不管實體或虛擬同樣具備這些要素存在，但是不可忽略網路的特質，它可以是匿名、即時、互動、無國界等，這是傳統社區與社會無法提供的功能，也是因為如此，傳統社會學對社區與社會的爭議也消彌，在此統稱實體社區，於是虛擬社區可說是實體社區的延伸，甚至在某些程度上凌駕於實體社區之上。 其實在比較虛擬社區與實體社區的差異時，不難發現有相似的地方，首先是在互動、情感的支持上或建立人際關係，人是一種社會性的動物，
喜歡與他人接觸，因此與他人產生互動並建立情感支持系統、人際關係，如此可擴充生活領域，在現實世界何嘗不是如此，但在網路空間中，尤其在網路的匿名又連結的特性下，可以發揮這類功能，如此一來虛擬社區可以算是實體社區的強化，這都是網路入侵的結果，在論文中提到幾個虛擬社區的網站，虛擬社區想要與實體結合，或者是社區網路化等，透過些網站將他們連結在一起，可以印證實體社區網路化或著是虛擬社區實體化的可能，這在將來都可能拉進虛擬社區與實體社區的距離，甚至會結合在一起。 對於網路入侵後會產生一些衝擊，除了虛擬社區與實體社區結合外，尚有團體的泯滅或社會化、認同的問題，首先是社會化的部分，以往社會化
的團體是來自初級團體與次級團體，而網路入侵後學習的對象不再是固定的多數人，而是不特定的多數人，姑且稱這類團體為虛擬同儕團體，如此一來可能會影響到社會化的過程，進而可能會影響到認同，關於認同的問題，網路提供多重角色扮演的機會，使用者不必像在真實世界中適時的表現出應有的角色性格，況且網路上角色是可以同時並存的，甚至是扮演衝突矛盾的角色，網路的確是確立自我認同的場所，但在認同過程中會有認同危機的出現影響未來人格或自我的發展，導致一些偏差行為的產生，不管這些行為是真實世界的延伸(色情)或是網路原生的行為(駭客)，都可以不僅算是網路入侵到真實世界，甚至是影響到人格發展。 此外，在談論
社區議題時，不管是在網路虛擬社區或實體社區中凝聚力是一個相當重要得議題，本研究是從社區糾紛中來探討凝聚力的重要性，另外在對這些虛擬社區的研究當中可以區分兩種影響社區凝聚力的力量，一是虛擬社區的拉力，另一種是真實世界的推力，首先是從心理學家馬斯洛的需求理論著手，網路基本上提供許多需求，從所謂的生理需求到自我充分發展，當中還包括歸屬感、尊重等都提供一種滿足的可能，這也是為什麼虛擬社區總是多樣化來吸引人們，一般的使用者大部分屬於這類，另外是一種真實世界的推力，有些人生活在社會的壓力下，備受歧視，而身處於弱勢族群中，可能是同性戀之類，在佛洛伊德的討論中夢是一種宣洩或逃避的管道，夢是一種改造行為，是為了
逃避現實原則，是為了滿足快樂原則，即使它是處於虛幻與真實間，如今網路提供類似的空間，而且網路同樣具有虛擬與真實模糊的特質，甚至是一個比較合法的空間，所以這類人會想逃入虛擬空間中，這也是真實世界正處於推力的位置，這兩種類型有可能會影響社區的凝聚力。另外補充一點，是關於虛擬社區與實體社區結合的另一種可能性，因為夢是處於虛幻與真實間，而網路是虛擬與真實間，因此夢與網路是可以結合在一起，同樣是為實現心中的願望，間接也會影響虛擬社區與實體社區的結合。