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國立高雄第一科技大學 科技法律研究所碩士班 廖欽福所指導 王柏竣的 論離島建設條例實踐與成效-以澎湖縣為例 （2017），提出V2 125 馬力關鍵因素是什麼，來自於澎湖、離島建設條例、離島綜合建設實施方案、離島建設基金、財政自主。

而第二篇論文國立雲林科技大學 工程科技研究所博士班 林堅楊所指導 王秉勳的 整合氧化薄膜於電阻式動態隨機存取記憶體之製程與特性研究 （2012），提出因為有 電阻式切換、二氧化鉿、電阻式動態隨機存取記憶體、鋯掺雜、ITO電極的重點而找出了 V2 125 馬力的解答。

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論離島建設條例實踐與成效-以澎湖縣為例

為了解決V2 125 馬力的問題，作者王柏竣 這樣論述：

我國「離島建設條例」第1條之立法目的在於「推動離島開發建設，健全產業發展維護，自然生態環境，保存文化特色，改善生活品質，增進居民福利」，其中有很多方式可達到上述目的。首先於第二章，宏觀整個離島綜合建設實施方案，體系化檢視各項建設計畫之內容及執行方式，並點出建設方案在執行時的問題，如:執行經費分配不均、計畫內容與實施方案脫鉤等。 第三章對於離島建設條例進行法釋義，再與同為偏遠地帶的花東地區做比較，從中發現兩點，其一為離島現今應該重於如何「發展」，針對這部分，日韓兩國有累積諸多寶貴經驗及實施成果，可供參考借鏡；其二則認為離島綜合建設方案可建立評鑑機制，進而提升計畫品質與執行效率。上開所言

均涉及「中央與地方權限劃分」的議題。對此，我國學者蔡茂寅認為應採「地方優先、上升分配」原則，如此精妙之見解，可作為中央與離島地方政府後續溝通的模式。 將權限以及爭議問題釐清後，第四章則探討澎湖縣為強化自身獨立性，陸續提出如觀光博弈特區、離島自由經濟示範區及綠能觀光示範島等政策之可行性。然而，地方自治之開展，有賴健全的地方財政，就澎湖縣政府而言，當前政府整體財政收入不足，上級政府補助款難以增加下，未來地方財政應秉「自助人助」精神辦理，建立財政自我負責觀念，妥善分配資源，提昇其運用效率。 第五章為結論與建議，總結各章節之內容作為結論，並建議:一、應在中央設置專責推動組織。二、離島建設條例之

修訂:擴大保障離島基本生活照顧(醫療、土地活用化等)、續編離島建設基金(以具備前瞻性、收益性之投融資項目為優先)。三、離島建設基金應正名為「離島發展基金」。四、加強財政自主性與開拓財源。

整合氧化薄膜於電阻式動態隨機存取記憶體之製程與特性研究

為了解決V2 125 馬力的問題，作者王秉勳 這樣論述：

本研究目的為探討HfO2薄膜於電阻式動態隨機存取記憶體(RRAM)元件之電阻式切換特性，並探討鋯掺雜於HfO2薄膜及改變上電極材料之效應。本研究第一部分利用射頻濺鍍法製備5 nm超薄HfO2薄膜並選用Pt上電極與TiN下電極形成Pt/HfO2/TiN RRAM結構。在藉由製程中是否通氧對薄膜的影響、變溫量測、降低操作電壓、多阻態分析與材料物性分析等。探討5 nm HfO2在電阻式記憶體的電阻轉換特性，更進一步將結果建立成物理模型來解釋其電阻轉換時發生的行為。實驗結果顯示，不通氧的元件在電性上表示紊亂的電阻轉換特性，藉由通氧製程可使薄膜氧化程度改善，使元件內部導電路徑的電阻較為平均，改善其高阻

態切換分佈，且可多位元存取。第二部分利用Zr元素掺雜HfO2薄膜來改善其電阻轉換特性，在藉由製程中添加Zr元素可使元件獲得穩定的電阻轉換特性，元件可進行10萬次連續操作、在高溫經過1萬秒仍具有記憶特性。主要原因為掺雜Zr元素的元件在進行forming時所產生的焦耳熱可使薄膜形成局部結晶，經過電場模擬軟體分析，電場會集中在薄膜結晶區域，這表示元件特性獲得改善的原因為導電路徑的轉換區域被挶限在薄膜的結晶區附近。第三部分利用ITO和Metal/ITO電極整合Zr:HfO2元件探討其電阻轉換特性。研究成果顯示ITO RRAM元件具有自限流行為與較低的操作電流。但Metal/ITO RRAM元件則發現到

操作電流增加的現象，主要原因為金屬電極覆蓋於ITO電極後會影響電子行進方面。電子會經由阻值較低之ITO結晶區行進然後往金屬電極移動，因此受到的阻礙也相對降低，導致操作電流上升的現象。

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