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弘光科技大學 職業安全與防災研究所 江金龍所指導 李柏廷的 從漁業廢棄物製備環保型難燃性環氧樹脂複合材料及其性質研究 （2021），提出Santa Fe 缺點 2021關鍵因素是什麼，來自於環氧樹脂、牡蠣殼粉末、生物基難燃劑、廢棄物再利用、複合材料。
而第二篇論文國立陽明交通大學 電子研究所 蘇彬所指導 黃士恩的 三五族及矽負電容場效電晶體的模型建立及探討 （2020），提出因為有 負電容場效電晶體、鰭式場效電晶體、三五族材料、量子侷限效應、汲極誘導勢壘降低、源極至汲極直接穿隧、量子電容、反鐵電、超薄體電晶體、背閘極的重點而找出了 Santa Fe 缺點 2021的解答。
從漁業廢棄物製備環保型難燃性環氧樹脂複合材料及其性質研究
為了解決Santa Fe 缺點 2021 的問題，作者李柏廷 這樣論述：
本研究主旨利用漁業廢棄物製備環保型難燃劑添加至環氧樹脂(epoxy, EP)裡，製備成有難燃性之複合材料。第一部分為將牡蠣殼粉末(Oyster shell powder, OSP)製備出難燃添加劑，第二部分為利用3-Aminopropyltriethoxysilane (APTES)將牡蠣殼粉末進行改質製備出難燃添加劑，再將此兩種添加劑分別導入環氧樹脂(epoxy, EP)基材中，製備出具有良好的熱穩定性質與難燃特性之複合材料。Part 1：本研究的目的是開發膨脹型難燃性複合材料，將廢棄牡蠣殼粉、APP(Ammonium polyphosphate)、MEL(Melamine)三種難燃添加劑
和環氧樹脂(epoxy, EP)混合，製備出EP/OSP/APP/MEL之複合材料。在熱穩定性質方面導入難燃劑後，積分程序裂解溫度(IPDT)從純環氧樹脂(neat epoxy)的654℃提升至1044℃增加了59.6%，此結果證明複合材料之熱穩定性大幅提升。在難燃性質方面導入難燃劑後LOI值由23%隨之升高達到32%增加了39.1%，UL-94方面純環氧樹脂(neat epoxy)在測試過程中沒有任何等級，難燃劑加入後複合材料為UL-94 V-0等級，此結果證明複合材料之難燃性有效提升。Part 2：本研究利用廢牡蠣殼作為核心材料，再以APTES作為外殼材料，透過原位聚合法以微膠囊技術進行製
備，可得APTES-OSP，再與MPP (Melamine polyphosphate)一同添加至環氧樹脂(epoxy, EP)中，形成EP/APTES-OSP/MPP之複合材料。在熱穩定性質方面導入難燃劑後，積分程序裂解溫度(IPDT)從純環氧樹脂的654℃提升至1058℃增加了61.8%，此結果證明複合材料之穩定性大幅提升。在難燃性質方面，導入APTES-OSP/MPP之難燃劑後，LOI值由23%隨之升高達到36%(大於26%)，已達難燃性，增加了56.5%，UL-94測試方面由Fail提升至V-0等級，且熄滅時間減短，證實經由難燃劑添加後，可明顯抑制複合材料的火焰蔓延速率，能有效提升環氧
樹脂的難燃性質。
三五族及矽負電容場效電晶體的模型建立及探討
為了解決Santa Fe 缺點 2021 的問題，作者黃士恩 這樣論述：
本論文採用量子力學解析模型，針對新穎的三五族負電容場效電晶體進行研究探討，以供將來的邏輯應用。考慮的量子力學效應，包括量子侷限效應、源極到汲極的穿隧電流以及量子電容的影響來評估次臨界狀態和導通狀態的特性。藉由解析模型與數值模擬交相驗證，我們探討並比較了不同三五族與矽材料之負電容場效電晶體的短通道效應和導通態特性及其對態效能的影響。透過我們的分析，深入瞭解負電容場效電晶體在邏輯應用中的優勢、限制和優缺點。由於量子侷限效應，臨界電壓(VT)對鰭寬(Wfin)的靈敏度對鰭式場效電晶體(FinFET)的未來發展至關重要。利用已驗證過的量子次臨界模型，我們研究了三五族和矽材料的金屬/鐵電/金屬/絕緣體
/半導體(MFMIS)型負電容鰭式場效電晶體(NC-FinFET)的VT對Wfin的靈敏度。研究結果表明，與FinFET相比，NC-FinFET在負電容的作用下，能具有更小的鰭寬變異性。此外，提升內部電壓放大(AV)的元件設計可用於進一步降低臨界電壓對鰭寬的靈敏度。隨著通道長度逐漸縮短，源極到汲極的穿隧電流的上升會影響靜止狀態附近的特性。對於在製程上更可行的金屬/鐵電/絕緣體/半導體(MFIS)型NC-FinFET，利用考慮了汲極耦合效應的量子次臨界模型，我們研究三五族與矽材料NC-FinFET源極到汲極的穿隧電流和與短通道效應。研究表明，由於負電容對電勢分佈和源極與汲極之間的隧穿距離的影響，
靜電完整性和源極到汲極的穿隧電流可以得到顯著改善。此外，隨著通道長度的減小，有著嚴重DIBL和SS的三五族元件，在負電容作用下可以更接近矽元件。另外，利用與數值模擬相吻合的理論計算，我們對三五族 NC-FinFET的反轉電荷(Qinv)特性和量子電容引起的反轉電荷損耗進行了研究。由於三五族雙閘極元件的二維狀態密度使其具有階梯狀的反轉電容，NC-FinFET在電容匹配中有著至關重要的作用。我們的研究表明，在負電容的作用下，反轉電荷會隨著鐵電極化(Pr)的增加而上升。此外，負電容效應對於三五族元件的反轉電荷提升程度比矽元件還大，因此可降低NC-FinFET的量子電容引起的反轉電荷損耗。為了在較低的
電源電壓下達到更好的導通狀態性能，我們提出可以利用反鐵電/鐵電(AFE / FE)閘極堆疊來設計NC-FinFET的S曲線以提高導通狀態電流。利用我們發展的短通道兼容BSIM-CMG的MFIS型AFE / FE堆疊NC -FinFET模型，分析了AFE / FE堆疊NC-FinFET的電容匹配和導通狀態特性以及基於IRDS的預測。其中，局部電荷分佈效應已考慮在汲極電流模型中。我們的研究表明，除了擁有與單層NC-FinFET相似的次臨界擺幅，AFE / FE閘極堆疊可改善較高閘極偏壓時的電容匹配。因此，可以達到更高的導通狀態電流，這也代表了將來在電路中對電源電壓的進展具有長期的益處。除了NC-F
inFET，我們還研究了超薄絕緣負電容場效電晶體(UTB NCFET)的背閘極效應和通道長度的微縮性。利用數值模擬驗證過的量子次臨界理論模型，研究了三五族和矽材料NCFET的背閘極調製VT特性。研究表明，NCFET的body-factor可能為負，並且其絕對值對BOX厚度的依賴性比MOSFET還弱。此外，還分析了NCFET的SS與Lg之間的non-monotonic關係。研究表明，通過減小通道厚度、反向背閘極偏壓或增加鐵電極化，可以緩解非線性的次臨界I-V特性，從而可改善NCFET元件的微縮性。