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南開科技大學 車輛與機電產業研究所 管金談所指導 劉志建的 不銹鋼三通管件液壓成形製程設計之研究 （2011），提出S型後退 壓線關鍵因素是什麼，來自於有限元素分析、T型三通管液壓成形、適當製程參數範圍、最佳化加壓路徑。

而第二篇論文國立彰化師範大學 光電科技研究所 王右武所指導 方柏翔的 大氣穩定負型有機場效電晶體之研究 （2011），提出因為有 負型、烷基駢苯衍生物、有機薄膜電晶體的重點而找出了 S型後退 壓線的解答。

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接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧：

除了S型後退 壓線，大家也想知道這些：

不銹鋼三通管件液壓成形製程設計之研究

為了解決S型後退 壓線的問題，作者劉志建 這樣論述：

利用有限元素分析軟體進行三通管件液壓成形之製程設計，可有效縮小實際現場操作參數測試的範圍，並大輻縮減企業開發成本。T型三通管件在工業上之品質要求為減薄率不得高於12%、管內外不得有明顯皺摺以及第三孔成形高度高於標準規範。本文研究不銹鋼三通管件液壓成形製程設計，以滿足其品質要求。利用有限元素分析軟體DEFORM 3D模擬成形各製程參數對製品品質之影響，製程參數包括加壓路徑與推桿進給速率之設計，以及有無頂桿作用，探討其對製品厚度分佈、減薄率及製品有無缺陷之影響，進而研究出適當之製程參數範圍與最佳化之加壓路徑。研究結果顯示：液壓成形期間保持素管與頂桿貼合率在約50%狀態下之頂桿後退行程控制可大為提

升成形品合格率。

大氣穩定負型有機場效電晶體之研究

為了解決S型後退 壓線的問題，作者方柏翔 這樣論述：

本實驗以F16CuPc疊加在烷基駢苯衍生物(PTCDI-C8、PTCDI-C13)有機半導體上，成功的解決烷基駢苯衍生物之電晶體在空氣中不穩定特性。F16CuPc能夠阻絕水氣和氧氣，讓水氣和氧氣無法形成陷阱(trap)影響載子的傳輸。因此，可以成功降低臨界電壓25.93 V下降到18.9 V(PTCDI-C8)、23.86 V下降到18.6 V(PTCDI-C13)，載子遷移率分別從7.8×10-3 cm2V-1s-1提升到0.25 cm2V-1s-1 (PTCDI-C8)、0.12 cm2V-1s-1提升到0.4 cm2V-1s-1 (PTCDI-C13)。但是使用F16CuPc當作水氣阻

擋層因與PTCDI-C8能階差而產生接觸能障。第二部分為了解決VD turn on的接觸能障的問題，並且提高電特性。本實驗探討論文常見的方法，如緩衝層、疊層...等方式解決接觸能障的產生。但是能階差的問題無法解決接觸能障的產生。最後，使用CuPc藉由與PTCDI-C8有較相近的能階成功解決接觸能障的產生。

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