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Multifunctional Adenine-functionalized Supramolecular Micelles-Selective Cell Internalization and Chemotherapy against Cancer Cells

為了解決RX350 vs RX350h的問題，作者Fasih Bintang Ilhami 這樣論述：

現今有許多治療癌症的方法，化學療法是最常被選用的的療程。傳統的化療方法有許多缺點，例如: 藥物溶解性不佳，無法專一性針對癌細胞。這些缺點造成正常細胞的傷害，也嚴重影響治療的效用與效率。藥物傳輸系統可將欲傳遞物質專一性的帶入體內特定部位。在癌症藥物的傳輸方面，奈米科技的運用，使藥物以特殊的尺寸傳遞，且可因應需求做功能上的調整，因此受到相當多的討論。其中，反饋刺激的高分子材料 (Stimuli-responsive polymeric materials, SRPMs)，可在受到特定刺激時改變其結構，這樣隨外界刺激改變物理性質的特性，獲得廣泛的關注。超分子型高分子微胞(Supramolecula

r polymeric micelles) 因具有良好的氫鍵結構，可自組裝成具有特殊物理性質的材料，特殊性質如:可調整的親和性，高專一性，具可逆性。以氫鍵媒介組合而成的高分子，已被用於模仿細胞核內核醣核酸與去氧核醣核酸鹼基對的微結構，作為藥物傳遞系統的架構。在本研究中，具雙腺嘌呤端基的超分子型高分子，在經過多重氫鍵的交互作用後，可在水中或液態緩衝液中形成球狀微胞。具腺嘌呤官能基的超分子型高分子微胞 (Adenine-functionalized supramolecular polymers micelles, A-PPG micelles) 具有許多特殊的性質，例如:雙極性，可調整且可逆的感

溫性相變態，球形結構，微胞大小可調控。在藥物傳輸上，酸鹼值與溫度改變可調控藥物的性質與釋放。體外細胞毒性與流式細胞分析的結果顯示，載藥微胞可有效地在不傷害正常細胞的狀況下，降低癌細胞的存活率。再者，A-PPG微胞，可增加藥物在水溶液中遞送至腫瘤的效率。因此此種微胞，在建構有效的癌症化療方法上，值得期待。由於微胞結構中含有 核鹼基氫鍵，包埋的藥物長期在富含血清的培養基中仍保持穩定；而在微酸性環境下，能快速釋放藥物。更重要的是，在體外細胞毒性與流式細胞分析中，可清楚的觀察到載藥的A-PPG微胞，對於癌細胞有高度專一性，且可快速地被癌細胞胞吞，誘發癌細胞凋亡；然而，正常細胞並不會胞吞A-PPG微胞，

且不會影響其生長。上述結果在分別包埋兩種不同的抗癌藥物 (厚朴酚, Magnolol和阿黴素Doxorubicin) 的實驗中均可觀察到。驗證具腺嘌呤結構的A-PPG微胞可顯著提高癌細胞專一性胞吞作用與凋亡。此種特性可以增進化療的效用與安全性。在接續的研究中，為了讓使藥物釋放更精準，我們將5-氨基酮戊酸 (photosensitizer 5-aminolevulinic acid, 5-ALA) 結合進A-PPG微胞，使微胞具光化學治療(photo-chemotherapy) 的功能。在雷射照射下，5-胺基乙酰丙酸 (5-aminolevulinic acid,5-ALA) 可轉換為原紫質IX

(protoporphyrin IX, PpIX)，原紫質IX會誘導微胞產生的活性含氧物(oxygen species)，進而使阿黴素的大量釋放。在體外實驗中，同時包埋阿黴素和5-氨基酮戊酸A-PPG的微胞，在雷射照射下，與未照射對照組相比，對於癌細胞有較高的細胞毒性。因此A-PPG微胞作為奈米級媒介，在提升癌症化療的安全性和效益上，有極大的潛力。

應用於第五代行動通訊毫米波系統之相位陣列系統與接收機電路元件之研製

為了解決RX350 vs RX350h的問題，作者陳俊年 這樣論述：

本論文之研究主題為應用於第五代行動通訊毫米波系統之相位陣列系統與接收機電路元件之研製。本論文之內容主要分為三個部分。 本論文之第一部分的研究為38-GHz毫米波相位陣列發射機與接收機系統的研製。毫米波晶片設計的部分，以65奈米互補式金屬氧化物半導體製程 (65-nm CMOS) 實現發射機與接收機波束成型電路晶片，以及升頻與降頻電路晶片；以0.15微米砷化鎵假晶高電子遷移率電晶體半導體製程 (0.15-μm GaAs pHEMT) 實現功率放大器與低雜訊放大器晶片。毫米波系統整合部分，以設計完成的毫米波晶片以及邊緣輻射毫米波天線整合於RO4003高頻印刷電路板 (print circu

it board, PCB) 上，實現八路相位陣列發射機以及四路相位陣列接收機子系統模組。並利用此發射機與接收機子系統模組，以垂直疊合的方式實現三十二路相位陣列發射機系統以及十六路相位陣列接收機系統。根據發射機與接收機系統在38-GHz的量測結果，此三十二路相位陣列發射機系統在輸出功率1-dB功率壓縮點 (OP1dB) 的等效全向輻射功率 (equivalent isotropic radiated power, EIRP) 為47.5 dBm；十六路相位陣列接收機系統的輸出功率1-dB功率壓縮點為-4 dBm。此發射機與接收機系統皆支援水平方向 (azimuth) ±60°與垂直方向 (el

evation) ±30°的波束掃描。將此發射機與接收機系統進行四象限振幅調變(quadrature amplitude modulation, QAM) 載波無線對傳測試，於20公尺的傳輸距離可實現 64 QAM/400 M-BR (2.4 Gbps)，256 QAM/200 M-BR (1.6 Gbps)，512 QAM/100 M-BR (0.9 Gbps) 的高速傳輸。與文獻比較，此相位陣列系統的表現相當具有競爭力。 本論文之第二部分的研究為以65奈米互補式金屬氧化物半導體製程實現35-39 GHz線性化差動同相與正交分量 (differential I/Q) 接收機晶片，應用於

第五代行動通訊之毫米波相位陣列系統。本接收機使用多閘級電晶體線性器 (multi-gate transistor, MGTR) 與分割式疊接電晶體線性器 (splitting cascode transistors, SCTR) 分別整合於低雜訊放大器與降頻混頻器，以大幅壓抑三階交互調變訊號功率 (third-order intermodulation power, IM3)，進而提升接收機的1-dB功率壓縮點 (P1dB)，三階截斷點(IP3)以及三階交互調變訊號拒斥比 (third-harmonic rejection ratio，RR3)。根據此接收機晶片在38-GHz的量測結果，在線性

器關閉與開啟的條件下比較，IP1dB提升6 dB，OP1dB提升2.4 dB (IP1dB由 -19 dBm 提升至-13 dBm，OP1dB 由-1.6 dBm提升至0.8 dBm)。根據雙調測試 (two-tone test)，IM3功率降低20-31 dB；IIP3提升13 dB，OIP3提升9.4 dB (IIP3由-11 dBm提升至2 dBm，OIP3由7.4 dBm提升至16.8 dBm)；RR3 小於-40 dBc時的最大中頻(IF)輸出功率提升7 dB (由-12 dBm提升至-5 dBm)，於-30 dBc時的最大中頻輸出功率提升3 dB (由-3 dBm提升至-2 dBm

)。四象限振幅調變載波解調測試實驗結果，在較大的射頻與中頻功率操作時，四象限振幅調變載波的星座圖 (constellation diagram) 在線性器關閉的條件下呈現完全失真 (無法判別)，但在線性器開啟的條件下即回復成良好的星座圖。與文獻比較，本接收機具有良好的IP1dB，OIP3 數值；卓越的IM3功率壓抑能力使IP1dB，IP3，RR3大幅提升。此線性化接收機滿足第五代行動通訊毫米波相位陣列系統的高線性需求。 本論文之第三部分的研究為以0.1微米砷化鎵假晶高電子遷移率電晶體半導體製程實現之寬頻降頻混頻器。此降頻混頻器使用被動式冷偏壓 (cold-bias) 電晶體的電路設計實現

射頻與中頻寬頻的降頻能力。此部分發表兩組毫米波降頻混頻器，第一組為具有高的LO-to-RF隔離度 (isolation) 的單端輸入 (single-ended) 寬頻降頻混頻器，操作頻率為RF 34-53 GHz與IF 4-12 GHz，並應用天文望遠鏡毫米波系統。此降頻器以電容-電感串聯共振電路實現良好的LO-to-RF隔離度，以克服傳統單端輸入混頻器具有較低LO-to-RF隔離度的問題。第二組為應用於5G K/Ka 全頻帶的單平衡 (single balanced) 寬頻降頻混頻器，操作頻率為RF 20-43 GHz與IF 0.1-6 GHz，並具有8-15 Gbps的數位調變訊號降頻能

力。