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利用超快雷射製程製備石墨烯結構元件應用氣體偵測之研究

為了解決PPT free template的問題，作者周承穎 這樣論述：

摘要 IAbstract II總目錄 III圖目錄 VI表目錄 XII第一章 緒論 11.1 前言 11.2 研究動機與目的 31.3 超快雷射製程技術 51.3.1超快雷射之特性 61.3.2超快雷射之定義 71.4 氣體偵測元件 81.4.1氣體偵測元件的基本結構和特性 81.4.2氣體偵測元件的偵測機制 101.5 奈米線製程技術 121.5.1 水熱法 131.5.2 電紡絲法 141.6 氣體偵測元件的偵測材料 14第二章 理論基礎與文獻回顧 172.1 超快雷射製程 192.2 氣體偵測材料 222.2.1 水熱法製作

氧化鋅奈米線 232.3 以電紡絲法製作高分子奈米纖維 262.4 氣體偵測元件 27第三章 研究設計 383.1 研究方法 383.2 石墨烯薄膜基板製作 393.3 氣體偵測元件的電極結構設計 403.3.1螺旋電極設計 403.3.2 指叉狀電極設計 433.4 超快雷射於石墨烯薄膜表面圖案化與結構化 433.5 氣體偵測元件製作 483.5.1無線傳輸式氣體偵測元件 483.5.2 直接傳輸式氣體偵測元件 493.5.2.1 ZnO奈米線氣體偵測元件 493.5.2.2 還原氧化石墨烯氣體偵測元件 513.6 氣體偵測機制 55第四章 結

果與討論 594.1 超快雷射圖案化與結構化 594.1.1 石墨烯膜薄製作與特性量測 594.1.2 超快雷射於石墨烯薄膜表面圖案化 614.1.3 超快雷射於石墨烯薄膜表面製作V型溝槽 724.2 無線氣體偵測元件 754.2.1 元件結構 754.2.2 偵測機制 754.2.3 一氧化碳氣體偵測 774.3 ZnO奈米線氣體偵測元件 794.3.1 具指叉狀電極的ZnO奈米線氣體偵測元件 804.3.2 具有V型溝槽的ZnO奈米線氣體偵測元件 854.3.3 ZnO奈米線對氣體的偵測機制 914.3.4 ZnO氣體偵測元件對一氧化

氮氣體偵測 934.4 還原氧化石墨烯氣體偵測元件 954.4.1 偵測機制 974.4.2 rGO氣體偵測元件 984.4.3 rGO氣體偵測元件對一氧化氮氣體偵測 100第五章 結論 105第六章 未來展望 1096.1 前言 1096.2 未來展望 109參考文獻 111

商標保護與相關案例之研究

為了解決PPT free template的問題，作者賴建參 這樣論述：

我國的商標法自1930年5月制定公布，歷經多次修正，並於2016年12月15日修改商標法施行至今，市場上的商品日新月異，針對商標侵權糾紛已經成為一個議題，商標衍生紛爭藉由相關法律規定與適用，在商標侵權責任歸屬中發揮重要功用，經由智慧財產權加以保護。商標法第1條目的是保障其商標權及消費者之利益及市場維護公平競爭等，商標法原則上係採「國際耗盡」，使用其商標商品，係從國外進口由商標權人或被其授權人所同意，侵害商標權始不構成，但侵權行為或保障商標權人部分產生模糊地帶，本文藉由中華民國商標法、實務上及中華人民共和國、德國與美國司法上比較其規定，更祈可幫助法院在處理商標侵權案件時，以釐清侵權責任

、商標權人的權益及彌補法規漏洞，劃分制定其相關刑責及權責等建議修法，商標消費者利益應增加至公眾，未免不公平競爭、冗長訴訟程序，應增修公眾利益、請求簽發禁制令，引發本文研究公眾修法與禁制令修法之興趣。