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電解沈積氧化鋯於AISI M3:2在磨耗腐蝕特性之研究

為了解決NISSAN 面試的問題，作者黃鴻麟 這樣論述：

目前IC封裝產業使用模具持續面臨鍍鉻層剝落及刮傷問題，對此領域來說，如何獲得較硬、較耐腐蝕且較耐磨耗的表面處理是有很深切的期待。研究中先行確認目前IC封裝模具廣泛使用的基材在0.5M H2SO4腐蝕環境下未作表面處理時的抗腐蝕能力，然後分別在相同腐蝕環境下測試目前廣泛使用的電鍍鉻及電解沈積氧化鋯的抗腐蝕能力，從測試結果顯示在較嚴苛的腐蝕環境下，鍍鉻表面處理雖可以提供一定的抗腐蝕能力，但從腐蝕電位及腐蝕電流的比較來看，氧化鋯薄膜可以提供更佳的抗腐蝕保護。 實驗中以二因子三水準的實驗計劃法(DOE，Design of Experiment)，因子分別為電解沈積電位及沈積時間，再輔助以變異數

分析(ANOVA，Analysis of Variation)，藉由ANOVA表分析出沈積時間是影響薄膜厚度的唯一顯著因子；再根據前人的研究，要獲得真正薄膜硬度則薄膜厚度是必要確認的數據，再計算基材與複合區硬度差與變形區的幾何關係，以獲得薄膜真正硬度。研究結果計算出傳統電鍍鉻的薄膜硬度約在Hv 887左右，而使用較佳電解沈積條件所得氧化鋯薄膜硬度可達Hv 1314~Hv 1446，顯示氧化鋯薄膜較電鍍鉻具有更高的硬度。 藉由以實際環氧樹脂封裝材料(EMC，Epoxy Molding Compound)所製成的研磨棒，分別對氧化鋯及鍍鍍表面試片在醋酸水溶液中作磨耗腐蝕實驗，在雷射掃瞄顯微鏡

的檢視下，發現鍍鉻試片的鍍鉻層幾乎被磨耗殆盡，所以在open circuit及electrostatic voltage的測項，皆發現鍍鉻試片皆無法回到原來水準，但氧化鋯試片可以在磨耗實驗結束時維持與磨耗前約相同水準；針對磨耗與非磨耗區的SEM及EDS分析也證實了上述觀測到的現象，SEM觀察到許多鍍鉻層剥落的現象，而EDS的元素分析確認鍍鉻剥離及未剥離區的差異，以及EDS mapping顯示基材元素外的情形也確認鍍鉻層剥離的結果。