問題的答案無所不包論文書籍站
國立清華大學 材料科學工程學系 李三保所指導 彭竣翔的 高分子殘留應力與缺陷演變及電場誘發表面圖形 （2013），提出Jog 125 Dcard關鍵因素是什麼，來自於聚一氯對二甲苯、殘留應力、伽瑪輻射、色心、自由基、電場誘發結構。
高分子殘留應力與缺陷演變及電場誘發表面圖形
為了解決Jog 125 Dcard 的問題，作者彭竣翔 這樣論述：
本論文主要探討高分子薄膜殘留應力與外加電場誘發週期性圖形及塊材輻射處理後退火行為。第一部份製備了聚一氯對二甲苯 (Parylene C)薄膜與矽微懸臂樑雙層結構。薄膜呈現連續平整且矽微懸臂樑在鍍膜後略微往上翹曲，此為薄膜與基板間熱膨脹係數不同造成。由其曲率的改變以理論推測鍍膜溫度為73 oC。薄膜與基板內的應力分布呈線性且在介面處產生不連續。第二部分為伽瑪輻射照射聚4-甲基-1-戊烯 (PMP)的色心 (color center)產生的色心湮沒 (annhilation)動力學機制，其可見光穿透率損失隨輻射累積照射劑量及退火溫度增加而增加，並產生紅位移 (bathochromic)於紫外光/
可見光光譜。吸收率數據隨時間變化推測其產生過程為一級 (first order)反應。照射之聚碳酸酯 (PC)內同時存在永久及可經由退火消除的色心，後者可藉由高溫退火而湮沒。色心湮沒機制為一級反應且樣品吸收率與色心濃度成非線性正向相關 (nonlinearly proportional)。第三部分聚甲基丙烯酸甲酯 (PMMA)與聚甲基丙烯酸-2-羥基乙酯共聚物 (PHEMA)產生之自由基於升溫退火下湮沒機制，兩者均推測有三種以上自由基存在。PMMA與PHEMA的Ra與Rb自由基衰退過程為二級反應，PMMA之Rc自由基為先一級後轉為二級。長時間PHEMA的之Rc自由基衰退過程為二級反應。兩者同劑
量下劑量與退火溫度，自旋濃度隨退火時間增加而下降。最後為電場誘發聚PC與PMMA薄膜不穩定產生具週期性規律的柱狀圖形。不同薄膜厚度樣品均於實驗初期即產生柱狀結構，薄膜越薄者圖形密度也越低且尺寸較小，且均隨時間增加而上升，趨勢逐漸減緩，於40分鐘後圖形穩定，成長過程與擬合曲線相符。比較不同退火溫度之薄膜穩定圖形，可得出退火溫度較高者，點狀圖形直徑較大且間距較寬。綜合以上兩因素樣品之週期性於同厚度薄膜下，退火溫度越高則週期越長；相同退火溫度下薄膜越厚則週期越長。