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Imos 缺點進入發燒排行的影片

低次臨界擺幅金氧半場效應電晶體的比較

為了解決Imos 缺點的問題，作者洪國棟 這樣論述：

根據摩爾定律，元件製程技術不斷進步促使電晶體尺寸持續微縮，尺寸微縮具有較低的功率消耗、較高的導通速度以及較高的元件封裝密度導致較低的成本等優點，但伴隨著元件微縮也造成了一些問題的發生，如:短通道效應(SCEs)、汲極致使能障下降(DIBL)、次臨界擺幅(SS)等，這些都是現今電晶體微縮持續關注的問題。 為解決目前遭遇的問題，必須改善傳統金氧半場效應電晶體(MOSFET)的結構，採用新型的結構來解決微縮時遇到的問題，其中衝擊離子化金氧半效應電晶體(IMOS)還有穿隧金氧半效應電晶體(TFET)為目前提出對於提高電晶體速度有較好的性能並且可以有效抑制微縮後所造成的影響的結構，兩種結

構雖然都可以改善微縮問題但各有其缺點必須進行改良。本論文採用Synopsys Sentaurus TCAD輔助模擬軟體進行元件設計模型並分析其電氣特性，同時說明其中使用的各種模型。 為保持電晶體擁有高的電路速度和低的漏電流，需要降低次臨界擺幅(SS) ，提出的兩種結構其基本的導通機制不同於金氧半場效應電晶體是使用熱載子效應，衝擊離子化金氧半效應電晶體是使用電荷載子以擴散的方式造成電流流動並且利用雪崩效應達到導通狀態，而穿隧金氧半效應電晶體是使用載子獲得能量進行能帶的穿隧導通，金氧半場效應電晶體其次臨界擺幅(SS)無法在室溫下達到小於60 mV/dec的原因也是因為其使用熱載子效應會遇到熱

障的阻擋，所以目前所使用的兩種結構皆可以不受到影響達到次臨界擺幅(SS)小於60 mV/dec，其兩種新結構皆有較低的功耗，但是衝擊離子化金氧半效應電晶體需要較高的導通電壓而穿隧金氧半效應電晶體雖然不用很高的導通電壓但由於雙載子效應(Ambipolar Effect)會造成導通電流下降且有較高的穿隧電阻造成無法有高的導通電流，本論文對於此兩結構的優缺點進行改良與設計，希望能夠綜合兩種結構並且取兩方優異的部分進行結合創作出一種同時擁有兩者優點的新結構設計。