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中原大學 電子工程研究所 溫武義所指導 楊凱翔的 探討溼熱環境對三接面太陽能電池的特性影響 （2013），提出IS300h PTT關鍵因素是什麼，來自於III-V三接面太陽能電池、濕熱測試、光學膠。

而第二篇論文國立臺灣科技大學 材料科學與工程系 顏怡文所指導 柴世融的 3D IC構裝中之Cu/Sn/Ni三明治反應偶之界面反應 （2010），提出因為有 3D IC 構裝、Cu/Sn/Ni反應偶、界面反應、相轉變、介金屬相的重點而找出了 IS300h PTT的解答。

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接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧：

除了IS300h PTT，大家也想知道這些：

探討溼熱環境對三接面太陽能電池的特性影響

為了解決IS300h PTT的問題，作者楊凱翔 這樣論述：

本實驗主要探討Ⅲ-Ⅴ三接面太陽能電池InGaP/InGaAs/Ge在濕熱環境下的特性變化。我們實驗條件設定為85℃,相對溼度85％。實驗總共進行1100個小時。實驗分為兩個階段,第一階段為0~500個小時，第二階段為500~1100個小時。在第一部分為每一百個小時將電池從恆溫恆濕試驗機取出量測特性後再放回恆溫恆濕試驗機累積時數;第二部分則為每兩百個小時將電池從恆溫恆濕試驗機取出量測特性後再放回恆溫恆濕試驗機累積時數。 實驗後發現未封光學膠的電池效率衰退的幅度比封光學膠的電池來得大。原因在於我們在未封光學膠的電池邊緣發現破裂使得Ge暴露在溼熱環境之中,形成氧化物GeOx,並且分布在電池的

表面,造成電池局部性的短路,漏電流增加,最後使得轉化效率嚴重的衰退。另外我們發現到溼熱環境造成短路電流下降對於封光學膠及未封光學膠的機制不同。對於未封光學膠太陽能電池而言,短路電流下降原因為溼熱會破壞太陽能電池的結構,使得太陽能電池串聯電阻增加;而對於封光學膠的太陽能電池來說,水氣會和光學膠反應,在光學膠表面產生雜質,造成入射光減少,使得短路電流下降。

3D IC構裝中之Cu/Sn/Ni三明治反應偶之界面反應

為了解決IS300h PTT的問題，作者柴世融 這樣論述：

時代不斷的進步，當前已由3D IC構裝取代傳統2D構裝。在3D IC構裝中，由垂直堆疊方式將多種晶片構裝於中，並利用軟銲方式使連接晶片-晶片端。當焊接過後，此銲點結構為Cu/Sn/Ni之三明治結構。然而本實驗將對Cu/Sn(5 ?慆)/Ni、Cu/Sn(10 ?慆)/Ni和Cu/Sn(15 ?慆)/Ni之反應偶在250oC迴焊1、3和5分鐘並在180oC時效至300小時之界面反應探討，然而由實驗結果得知可分為兩個部份；在相同迴焊條件下：隨著Sn層厚度增加，其Sn層完全消耗之時效階段也隨之增加；但在相同迴焊3與5分鐘隨Sn層厚度增加，發生相轉變時間越晚，反之在迴焊1分鐘並未出現此現象；然而在相

同迴焊1分鐘下，此Cu3Sn厚度隨Sn層厚度增加而減少，但在迴焊3與5分鐘其Cu3Sn相之厚度均差不多。在相同Sn層厚度下：隨著迴焊時間增加，其Sn層消耗之時效階段越早且相轉變階段提早，但當Sn層厚度為15?慆並未出現此現象；然而Cu3Sn相之厚度隨著迴焊時間增加而減少。就整體來看，此Cu3Sn相之厚度隨著時效時間增加而增加且在經過時效300小時之後並未發現Ni原子擴散至Cu3Sn相中，因此推測(Cu, Ni)6Sn5相為Ni原子擴散至Cu3Sn相之擴散阻障層。

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