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國立清華大學 化學系 朱立岡所指導 賴志杰的 以時間解析紅外放光光譜法研究不同二氧化矽厚度包覆之金奈米棒經光激發後之輻射緩解 （2019），提出Honda Fit ACC關鍵因素是什麼，來自於金奈米棒、二氧化矽、核殼奈米粒子、時間解析紅外放光光譜法、光熱效應、輻射緩解。
而第二篇論文國立清華大學 化學系 鄭博元所指導 顏暐儒的 光游離誘發雙官能基陽離子超快電荷轉移動態學之距離相依性研究 （2019），提出因為有 電荷轉移、氣相、雙官能基分子、飛行時間質譜儀、飛秒雷射的重點而找出了 Honda Fit ACC的解答。
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以時間解析紅外放光光譜法研究不同二氧化矽厚度包覆之金奈米棒經光激發後之輻射緩解
為了解決Honda Fit ACC 的問題，作者賴志杰 這樣論述：
金奈米棒(gold nanorod，AuNR)與二氧化矽組成之核殼(core-shell)奈米粒子具有良好的光熱轉換效率且可穩定存在於多元環境，並提供優異的表面修飾潛力而成為光致熱源之熱門材料。因此，了解其受光激發後之熱傳遞動態過程有助於光熱相關應用。吾人合成四種不同二氧化矽殼層厚度包覆之金奈米棒，並將其塗佈於氟化鈣鹽片以製備乾燥薄膜。以脈衝寬度 7 ns 之 1064 nm 雷射激發薄膜並由時間解析傅立葉轉換紅外光譜儀收取其於微秒－毫秒時域之紅外放光光譜，發現樣品之熱輻射訊號波形包含矽氧橋鍵光學聲子模式(optical phonon modes of Si-O-Si bridge，1000
－1250 cm-1)與水彎曲振動(1600－1650 cm-1)之貢獻。推測金奈米棒將熱傳遞至二氧化矽殼層後，二氧化矽及其孔洞中的水可受激發而躍遷至高振動能階，並以振動輻射形式將能量釋放。此外，樣品放光峰相較於二氧化矽的吸收峰於1250 cm-1以上有明顯增寬，且其隨二氧化矽愈厚而愈明顯，推測此訊號可能包含黑體輻射之貢獻。積分1000－1250 cm-1區間訊號所得到的時間側寫顯示樣品之放光時間隨著二氧化矽愈厚而延遲，若以線性疊加之雙指數函數方程式擬合其衰減曲線，得以進一步分析光學聲子之緩解動力學過程。吾人於本研究證實金奈米棒與二氧化矽組成之核殼奈米粒子可將其受光激發後產生之熱能量轉換為矽氧
橋鍵光學聲子，並期望應用於振動激發(vibrational excitation)誘導反應，使核殼奈米粒子具有成為奈米催化反應器之潛力。
光游離誘發雙官能基陽離子超快電荷轉移動態學之距離相依性研究
為了解決Honda Fit ACC 的問題，作者顏暐儒 這樣論述：
在本篇論文中，我們利用飛秒激發-探測技術搭配光游離-光裂解機制觀察MNMA (methyl[(1,2,3,4-tetrahydronaphthalen-2-yl)methyl]amine)、MPPA (N-methyl -3-phenylpropan-1-amine)、MPEA (N-methylphenylethylamine)及MPMA (N-methyl benzylamine)陽離子激發態的緩解動態學過程。首先我們以波長266 nm的飛秒雷射將分子透過苯環端的局部S1 state以1 + 1共振增強多光子游離技術將苯環端局部游離，再以波長798 nm的飛秒雷射作為探測脈衝觀察陽離子的
電子傳遞到苯環端及其他動態學行為。由於分子在中性基態時會有數類構型(例如：彎曲及展開構性)且會影響到電子供給端與接收端在空間中的直線距離(RPh---N)，為了釐清此距離對電荷轉移的影響，我們以碳橋含有六碳環結構的MNMA分子做為參考，六碳環的存在會使MNMA分子的構型相對較單純，而其他三種分子則會有數種穩定存在的構型，我們改變分子束振動冷卻效果讓各構型的佈居數分佈發生變化進而對瞬時訊號產生影響，並以理論計算找出各個分子在不同分子束條件下的構型分佈情形。我們以連續動力學模型擬合所有瞬時訊號，並得到2或3個時間常數(τi)。其中τ1我們認為是陽離子在D1 state的初始分子內振動能重新分配過程
，τ2則為陽離子從D1 state緩解至D0 state的電荷轉移過程(τCT)，而τ3則指認為陽離子緩解至D0 state後的構型再平衡過程，經過理論計算發現若陽離子在D0 state時，有兩個以上較穩定的構型，那我們就可以觀察到此構型分佈的平衡過程。最後我們得出當RPh---N大於5.8 Å時，τCT約為15~16 ps；RPh---N縮短至4.5 Å時，τCT會變為4.2 ps；最後當RPh---N再縮短至3.7 Å時，τCT會加快至1.3~1.7 ps，此τCT隨RPh---N的變化概略符合指數衰減的趨勢。但是我們也發現有些數據並不完全符合上述的趨勢，這暗示我們RPh---N雖然會顯著
的影響τCT，但似乎尚存在其他會影響τCT的重要因素。