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崑山科技大學 電機工程研究所 林俊良所指導 翁宗漢的 玻璃螢光片與固晶膠在不同操作條件下對LED特性的影響 (2019),提出GLE 缺點關鍵因素是什麼,來自於藍光高功率LED、推力、螢光玻璃片、光特性、熱特性、可靠度測試。

而第二篇論文國立成功大學 微電子工程研究所 李清庭所指導 黃聖捷的 具氧化銦鋅堆疊氧化銦錫結構於磷光發光二極體之研究 (2017),提出因為有 多層堆疊、磷光有機發光二極體、二氧化矽粗糙化結構的重點而找出了 GLE 缺點的解答。

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玻璃螢光片與固晶膠在不同操作條件下對LED特性的影響

為了解決GLE 缺點的問題,作者翁宗漢 這樣論述:

本論文分為實驗一與實驗二,實驗一使用釔鋁石榴石(Yttrium Aluminium Garnet, YAG)螢光玻璃片(Phosphor in Glass, PiG)覆蓋表面黏貼式元件(Surface Mount Device, SMD)封裝,並用氮化銦鎵(InGaN)藍光發光二極體(Light-emitting diode, LED)激發PiG製作之白光LED,探討其光熱特性與可靠度研究;實驗二透過操作在不同環境下的LED光熱特性,以評估藍光LED光輸出對固晶膠的影響。實驗一 : 比較封裝矽膠中摻雜YAG螢光粉(Phosphor in Silicone, PiS)與PiG覆蓋SMD封裝之白

光LED,並測試不同環境下的光熱特性與可靠度實驗結果如下。元件光特性分析聚焦在LED的光輸出功率與光品質。PiG LED的初始光輸出功率相較於PiS的初始光輸出功率低了6.4%;光品質分析,CIE1931色度座標(x, y)分佈,PiG LED相較於PiS LED集中,PiG LED的x與y座標誤差值分別為0.4%與0.7%,PiS LED的x與y座標誤差值分別為1.4%與2.7%。可靠度分析,測試項目分為常溫測試、恆溫恆濕測試、冷熱衝擊測試與PCT(Pressure Cooker Test)壓力鍋測試;常溫測試,測試條件為溫度25℃、操作電流350 mA下點亮1008 小時;測試結果,PiG

LED與PiS LED在光輸出、色溫(Correlated Color Temperature, CCT)及演色性(Color Rendering Index, CRI)偏移率均小於1%;恆溫恆濕測試,測試條件為溫度85℃與濕度85%、操作電流350 mA下點亮1008 小時;PiG LED與PiS LED測試結果,光輸出維持率分別下降44%與5%、CCT分別上升24.7%與9.2%及CRI分別上升7.2%與4.1%。由恆溫恆濕測試結果發現,PiG LED的光輸出維持率比PiS LED低,因此做元件熱特性量測,量測項目分為接面溫度(Junction Temperature, Tj)與熱阻(T

hermal Resistance, Rth);LED晶片Tj量測,PiG LED相較PiS LED的封裝方式,Tj從88.4℃降低到81.3℃(下降8.0%);LED晶片至支架Rth量測,Rth則從37.4℃/W降低到35.6℃/W(下降4.8%)。冷熱衝擊測試,測試條件為溫度-20℃及溫度120℃,兩者皆恆溫15分鐘為一個循環,循環次數500次,每100週期將LED拿出來點亮並且浸泡紅墨水,測試結果無樣品有紅墨水滲入現象甚至死燈。壓力鍋測試,將實驗品放入121℃、大於1大氣壓,測試120小時,每24小時拿出來點亮與浸泡紅墨水,觀察是否有死燈或是膠體與支架剝離,測試結果顯示均無樣品有紅墨水滲

入且死燈的現象。實驗一結論如下,雖然在恆溫恆濕點亮中,光輸出維持率PiG LED相較於PiS LED降低39%,但是在一般的常溫(25℃)環境下PiG LED與PiS LED兩者沒有差異,而且PiG LED相較PiS LED有較好的光特性。實驗二 : 使用水平結構的LED晶片,搭配環氧樹脂銀膠(銀膠)導熱率25 W/mK與透明矽膠(矽膠)熱導率為0.2 W/mK兩款固晶膠,探討LED元件的光熱特性與可靠度研究。可靠度分析,測試項目分為固晶膠推力與常溫1008 小時點亮測試;固晶膠推力測試條件,在操作電流350mA下點亮120小時後進行推力測試,測試結果銀膠與矽膠的推力值分別下降74.7%與11

.5%。常溫點亮測試,測試條件為溫度25℃、操作電流350 mA下點亮1008 小時;測試結果,銀膠 LED與矽膠 LED的光輸出維持率分別為96%與85%,然而銀膠在168小時,固晶膠開始黃化。元件熱特性量測,量測項目分為接面溫度、熱阻與變電流;LED晶片Tj量測,銀膠相較矽膠的封裝方式,Tj從63.7℃降低到60.0℃(下降5.8%);LED晶片至支架Rth量測,Rth則從19.7℃/W降低到9.6℃/W(下降51.2%)。變電流量測,量測結果銀膠 LED與矽膠 LED分別在1,250 mA與950 mA下達到最高光輸出值,銀膠的固晶膠體相比Silicone的膠體能夠多承受300mA的電流

。實驗二結論如下,由元件熱特性量測可以發現,銀膠 LED擁有較低的Tj與Rth;由可靠度分析可以發現,銀膠雖然膠體表面黃化,但光輸出維持率仍然比矽膠 LED高11%,推測主因是銀膠相較於矽膠有最低的熱阻,以及較好的導熱率,進而將LED元件的熱有效的導出,大幅提升LED元件的壽命。整合實驗一與實驗二,本論文的結論如下,使用PiG覆蓋SMD封裝方式的LED,雖然在高溫高濕條件下,光衰非常嚴重,但是擁有優異的光品質,以及較低的Tj與Rth;從實驗二來看,銀膠有優異的熱導率與良好的散熱能力,相較於矽膠有較好的光輸出維持率。因此PiG覆蓋SMD封裝方式的LED,可以使用高導熱與散熱優異的材料來增加散熱,

提升LED的壽命。

具氧化銦鋅堆疊氧化銦錫結構於磷光發光二極體之研究

為了解決GLE 缺點的問題,作者黃聖捷 這樣論述:

由於傳統有機發光二極體大部分皆是利用氧化銦錫(ITO)薄膜當作電極,雖然氧化銦錫薄膜具有高穿透與高導電性質,但是卻具有粗糙之表面,粗糙的薄膜表面形貌會受到局部電場較強的影響而產生尖端放電效應,對後續傳輸層或發光層的塗佈產生影響,因此本論文利用射頻式磁控濺鍍系統(RF-magnetron sputter)來製作氧化銦鋅(IZO)堆疊氧化銦錫結構取代傳統有機發光二極體(OLED)之電極,因氧化銦鋅薄膜具有平坦之薄膜表面,其堆疊於氧化銦錫薄膜之上是可以改善氧化銦錫表面粗造缺點,並有利於後續製作傳輸層或發光層,使得元件效率有效提升。接著利用高分子材料聚(9-乙烯咔唑) (PVK)與雙(4,6-二氟苯

基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合銥(Firpic)材料來製作有機發光二極體之發光層,探討氧化銦鋅堆疊氧化銦錫結構對元件特性的影響,並利用雷射干涉微影技術製作粗糙化之表面於玻璃基板背部,因具有粗糙化結構之玻璃基板比起傳統無任何結構設計之玻璃基板,可以改善玻璃基板與空氣因折射率差導致的光反射,因此可有效降低玻璃基板與空氣間的反射率,使得有機發光二極體之發光亮度與發光效率有效地被提升。利用二氧化矽粗糙化結構於基板背部作為有機發光二極體元件之抗反射層,當二氧化矽粗糙化結構週期為0.75 μm時,比起傳統無任何結構設計玻璃基板,在波長470~500 nm之間,其結構之平均反射率由8.25%下降至約為3.02

%。此外將二氧化矽粗糙化結構製作於磷光有機發光二極體元件,在週期為0.75 μm時,其最高發光亮度提升至336 cd/m2,而最大發光效率提升至7.58 cd/A。