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國立交通大學 電子研究所 鄭晃忠、林鴻志所指導 劉盈妤的 以綠光柰秒雷射結晶製備多晶矽薄膜電晶體之靜態與高頻特性研究 （2019），提出GLC Mobile01關鍵因素是什麼，來自於多晶矽、薄膜電晶體、雷射結晶、高頻特性。
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以綠光柰秒雷射結晶製備多晶矽薄膜電晶體之靜態與高頻特性研究
為了解決GLC Mobile01 的問題，作者劉盈妤 這樣論述：
本篇論文中，我們探討了以綠光奈秒雷射照射製備多晶矽薄膜之結晶特性， 並研究以此方法形成通道之多晶矽薄膜電晶體的元件特性。藉由材料分析，證實 以綠光奈秒雷射結晶之多晶矽薄膜平均晶粒尺寸可以高達 500 nm，遠大於固相 結晶多晶矽薄膜平均 70 nm 的晶粒大小。實驗結果顯示擁有高載子遷移率之綠 光奈秒雷射結晶多晶矽通道可以大幅提升元件特性。此外，我們也探究了源/汲 極植入摻雜元素在多晶矽薄膜擴散的情況，藉由電性量測證實固相結晶多晶矽薄 膜在有大量晶界缺陷下會有嚴重的橫向擴散。在元件製程中，我們引用了一種改良的 T 型閘極技術，配合自我對準矽化鎳 製程來精進元件特性。相較於同光罩定義閘極尺寸，
具有傳統氧化物邊襯之多晶 矽薄膜電晶體，T 型閘極元件的優點包括了大幅提升的電流轉導、較低的閘極電 阻和空氣邊襯所減少的寄生電容。這些優點在實驗結果中得到證實:所製備 T 型 閘極綠光奈秒雷射結晶之多晶矽薄膜電晶體在通道長度為 155 nm，截止頻率可 高達 34.5 GHz，而最高震盪頻率為 30.8 GHz。