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明志科技大學 材料工程系碩士班 李志偉所指導 甘昉蓉的 TixZrNbTaFeBy 高熵合金薄膜的微結構與綜合性 能評估 （2021），提出CR-V 2011 規格關鍵因素是什麼，來自於TiZrNbTaFeB 高熵合金薄膜、TiZrNbTaFe、TiB2、奈米複合材料、非晶、腐蝕試驗。
而第二篇論文國立高雄大學 化學工程及材料工程學系碩士班 林東毅所指導 盧彥宏的 回火條件與鈷添加對AISI M2高速鋼顯微組織影響之研究 （2015），提出因為有 高速鋼、鈷添加、回火、碳化物、相分率、熱膨脹係數的重點而找出了 CR-V 2011 規格的解答。
最新汽車電腦位置與端子數據速查手冊(2010-2015款)
為了解決CR-V 2011 規格 的問題，作者文愷 這樣論述：
《最新汽車電腦位置與端子資料速查手冊（2010-2015款）》以2010-2015年款主流品牌主打車型的汽車電腦資料資訊為主，收編了以發動機電腦為主的汽車電腦分佈位置，端子針腳圖，針腳功能說明，檢測資料，信號去向等資訊。相比同類書籍，有突出更全面更新穎更實用的特點。 《最新汽車電腦位置與端子資料速查手冊（2010-2015款）》內容詳實，易查、易讀、易用。適合汽車維修工使用。
TixZrNbTaFeBy 高熵合金薄膜的微結構與綜合性 能評估
為了解決CR-V 2011 規格 的問題，作者甘昉蓉 這樣論述：
與傳統合金相比，高熵合金 (HEA) 薄膜由於其獨特的性能而被廣泛研究中。在這項研究中，第一部分在 AISI304 不銹鋼、AISI420 不銹鋼與 P(100)型矽晶片等基材表面使用等莫耳比TiZrNbTaFe 高熵靶材與 TiB2 靶材共濺鍍的方式，改變高熵合金靶的脈衝直流(MF)電源功率來鍍TiZrNbTaFeB 高熵合金薄膜。探討改變高熵合金靶材之 MF 電源功率對於七元 TiZrNbTaFeB 高熵合金薄膜之元素比例、微觀結構、硬度、沉積速率、附著性與耐腐蝕等性質的影響。第二部份使用較佳鍍膜參數，改變高熵合金靶的高功率脈衝磁控濺鍍(HiPIMS)之電源功率，探討不同 HiPIMS
電源瓦數對於七元 TiZrNbTaFeB 高熵合金薄膜之各種性質影響。從綜合兩部分結果可觀察到，不論高熵合金靶材是使用 MF 電源或 HiPIMS 電源，當鍍製之高熵合金薄膜的(Ti+B)/(Zr+Ta+Nb+Fe) 成分比例較低，薄膜為非晶結構，且硬度較低；當薄膜具有較高(Ti+B)/(Zr+Ta+Nb+Fe) 成分比例時，薄膜呈現奈米複合結構，分別可獲得 21.0 GPa 和 18.5 GPa 的高硬度；43.9 N 和 50.6 N 的高附著臨界荷重 (LC3)和優良的耐腐蝕性。本研究顯示七元TiZrNbTaFeB 高熵合金薄膜可提升不銹鋼底材於嚴苛腐蝕環境中的抗蝕能力而具有極佳之應用價
值潛力。
回火條件與鈷添加對AISI M2高速鋼顯微組織影響之研究
為了解決CR-V 2011 規格 的問題，作者盧彥宏 這樣論述：
本實驗以AISI M2高速鋼及添加0.5 wt%、1.0 wt%鈷之M2高速鋼作為研究材料，目的為探討M2與M2於少量鈷添加後，在不同回火溫度與回火次數下顯微組織之影響。實驗內容主要分為三個部分。第一、二部分針對M2於不同回火溫度(200℃、400℃、600℃)經三次回火，以及於600℃經不同回火次數(1~3次)熱處理對顯微組織與機械性質(硬度)之影響，第三部分針對少量鈷添加之M2於600℃下經不同回火次數之熱處理，瞭解顯微組織(種類、成分、相分率、碳化物分布、碳化物尺寸)、機械性質(硬度)以及熱性質(熱膨脹係數)之差異。實驗結果可以發現， M2經不同回火溫度三次回火或600℃下不同回火次數
熱處理，材料內部碳化物種類與成分並無明顯改變，但相較於淬火態，MC碳化物的相分率隨著回火溫度提高以及回火次數增加從2.0%增加至5.0%，M6C則由6.8%些微提升至7.5%；其中在600℃不同回火次數實驗中，經一次回火後MC碳化物大幅增加至4.2%。基地硬度在淬火態達52.8 HRC，隨著回火溫度與回火次數提高呈線性大幅下降至600℃三次回火的25.3 HRC。整體硬度則隨回火溫度與回火次數提高，從淬火態的64.4 HRC下降至600℃三次回火的60.4 HRC。比較M2與0.5 wt%、1.0 wt%鈷添加後之材料，於600℃經不同回火次數，發現淬火態試片硬度隨鈷添加量增加而提高約1 HR
C，但經回火熱處理後，鈷添加之試片硬度反而較M2低，原因來自淬火態的殘留沃斯田鐵含量隨鈷添加量增加，從M2的22.21%降低到M2-0.5Co的15.13%再到M2-1Co的14.61%，使回火過程中較少殘留沃斯田鐵轉變為麻田散鐵，導致硬度下降。在所進行的熱處理條件下，1.0 wt%鈷添加的整體硬度較0.5 wt%鈷添加高。鈷添加對殘留沃斯田鐵的影響同樣造成熱膨脹係數隨著鈷添加而下降。鈷添加不影響碳化物種類與成分，僅固溶於基地相中，但有利於碳化物分佈平均、減少偏析群聚、降低碳化物最大粒徑以及使MC碳化物於回火過程持續析出。隨鈷添加量由0.5 wt%增加至1.0 wt%，M6C與MC碳化物相分率
分別提高0.2~2.1%及0.1~0.7%。