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表面電漿子效應增強Zn2SiO4：Mn薄膜螢光 研究

為了解決C-HR 推薦的問題，作者林易聰 這樣論述：

在本論文中，我們以磁控濺鍍法製備錳摻雜氧化鋅薄膜，分別使用射頻(RF)濺鍍氧化鋅靶，而以直流(DC)濺鍍純錳靶來製備。此薄膜經高溫燒結1200℃持溫2小時，升溫速率為10℃/min；由XRD圖譜分析結構為α-Zn2SiO4結晶相，形成摻錳矽酸鋅螢光薄膜，且利用波長為254紫外光激發後由PL光譜儀量測得到530 nm的綠色螢光。這個研究的結果進一步顯示表面電漿子耦合效應能夠有效地增強Zn2SiO4：Mn螢光薄膜的發光強度，藉由不同的金屬顆粒或是島狀結構(銀、鎳)，以及這些金屬粒子存在的位置(薄膜表面、介面)來探討表面電漿子耦合效應對Zn2SiO4：Mn螢光薄膜的發光特性的影響。結果顯示於螢光薄

膜表面形成之奈米銀顆粒，可以增強此螢光薄膜的發光強度1.75倍，而於薄膜與基板界面形成的銀島狀結構可以增強此螢光薄膜的發光強度2.66倍，其明顯的增益的原因在於Zn2SiO4：Mn螢光薄膜發光與表面電漿子耦合產生共振，及在金屬島狀間產生的入射光電場效應。所以綠色螢光強度可藉由控制銀奈米顆粒或銀島狀結構所分布的位置，去匹配螢光薄膜的表面電漿子耦合條件而被增強。