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東吳大學 企業管理學系 李智明所指導 許鳳容的 消費者入住飯店的關鍵因素-台中地區飯店為例 -使用 AHP方法 （2019），提出B48 引擎差異關鍵因素是什麼，來自於旅館、飯店、關鍵因素、AHP層級分析法。
而第二篇論文國立中山大學 材料與光電科學學系研究所 張六文所指導 董寰乾的 矽鋁薄膜的製備、光學性質分析和在薄膜電晶體鈍化層應用的研究 （2013），提出因為有 矽鋁靶材、非晶質銦鎵鋅氧薄膜電晶體、奈米顆粒、非導電性真空鍍膜、鈍化層的重點而找出了 B48 引擎差異的解答。
消費者入住飯店的關鍵因素-台中地區飯店為例 -使用 AHP方法
為了解決B48 引擎差異 的問題，作者許鳳容 這樣論述：
根據世界觀光組織（World Tourism Organization，簡稱WTO）2000年版的分析報告指出，「觀光」已成為許多國家賺取外匯的首要來源。在全球各國的外匯收入中，約有超過一成來自觀光收益（超過自動化電器產品的百分之七點八及醫療藥品的百分之七點五），總收益亦超過所有其他國際貿易種類，高居第一，約五兆三千三百億美元。然之前的政治議題，造成陸客團流失，接著受到新冠肺炎疫情的衝擊，在在都在考驗飯店旅館業之生存，雖然外在環境不可逆，但要如何將危機變成轉機，是旅館業者目前刻不容緩的議題。因此，旅館業者更要清楚明白消費者在選擇入住飯店考量的重點是什麼？在意的是什麼？ 本研究經文獻探討，找出
影響消費者入住飯店決策之關鍵因素，透過關鍵因素之層級架構，得到5個構面和25個關鍵因素。接著使用AHP問卷調查法，依問卷結果，將構面與因素權重進行排序與分析。本研究結果顯示，影響消費者入住飯店之關鍵構面，依其重要性排序為：「房間構面」、「住宿環境構面」、「服務構面」、「附屬設施構面」和「行銷構面」；而25個關鍵因素前四名為：「整潔度」、「舒適度」、「便利性」、「近景點」，而最不重視為「促銷及廣告」。男性之關鍵構面依其重要性排序為：房間構面、住宿環境構面、附屬設施構面、服務構面和行銷構面。25個關鍵因素前四名為：整潔度、舒適度、便利性、房型，最不重視為促銷及廣告。女性之關鍵構面依其重要性排序為：
房間構面、住宿環境構面、服務構面、附屬設施構面和行銷構面。25個關鍵因素前四名為：整潔度、舒適度、便利性、近景點，最不重視為促銷及廣告。單因子ANOVA分析以全體受測者為主，依性別、婚姻狀況、年齡、職業、個人月收入等，進行分群，比較不同群之受測者對平均每晚住宿金額是否存在顯著統計差異。結果發現，僅不同個人月收入對平均每晚住宿金額有顯著影響力，其他項目對平均每晚住宿金額均無顯著影響力。為探討男性和女性，兩個群體是否能視為同一族群，本研究將兩個族群進行Spearman等級相關檢測，檢測結果為正相關，兩群體可合併。最後，本研究依據研究結果，提供建議給旅館業者，並對台中市政府提出建設性的建言。
矽鋁薄膜的製備、光學性質分析和在薄膜電晶體鈍化層應用的研究
為了解決B48 引擎差異 的問題，作者董寰乾 這樣論述：
本研究經由矽鋁靶材製備，探討矽鋁及矽鋁化合物薄膜在非導電性真空鍍膜，及非晶質銦鎵鋅氧薄膜電晶體鈍化層的應用。論文第一部份比較液相製程和固相製程製備矽鋁靶材之優缺點，嘗試建立質地均勻、可大型化的量產技術。第二部分應用研究製備的矽鋁靶材，探討濺鍍之矽鋁薄膜的光學及電學性質，開發特殊應用的新穎功能性薄膜；第三部分則聚焦於反應性濺鍍技術，沈積矽鋁氮氧化物薄膜，研究此類薄膜對提升薄膜電晶體環境穩定性的效果與機構。論文首先透過薄片模具設計和澆鑄參數控制，產出縮孔和巨觀偏析缺陷大幅改善的靶材，但是微觀偏析和粗大的鑄造組織仍使得靶材在實際濺鍍時薄膜品質不盡理想。熱壓製程經適當的參數調整，可以得到密度、微觀組
織細緻度和組成均勻性均優的矽鋁合金，但是製程可調整範圍小。熱等均壓製程製作之矽鋁靶材不論在緻密度或微結構細緻均勻性都遠比熔煉鑄造和熱壓製程佳，能有效提升濺鍍薄膜的成分與結構的均勻性。在高反射率、高電阻值薄膜開發部分，本論文嘗試從金屬粒子平均散佈在非導電基質中的觀點，發展全新的NCVM鍍膜技術，確認發展之矽鋁靶材可以濺鍍出奈米粒徑的鋁顆粒均勻散佈在非晶質矽的雙相結構，有異於傳統共濺鍍的固溶非晶質組織，使得合金薄膜兼具獨特的高可見光反射率與高電阻率特性。在鋁含量為15-30 at%，膜厚20-50 nm範圍內的矽鋁薄膜，面電阻可達106 Ω／□以上，可見光反射率高於60 %，符合NCVM的要求。
理論計算部分，MGT描述薄膜光學行為僅適用於複合物材料的組成比例差異極大的條件，EMA雖然是解決MGT先天限制而推導出的模型，但從模擬結果可知，EMA較適用於具有金屬性質，即鋁含量大於滲透臨界值的矽鋁薄膜，在此成分範圍內模擬的結果與實驗值較為接近。論文最後將矽鋁靶材的應用從NCVM延伸至a-IGZO TFTs的鈍化層，發現此一濺鍍製程沈積的矽鋁氮氧化物薄膜不僅可以保護a-IGZO不受氧氣和水氣影響，提昇薄膜電晶體電氣性質穩定性，並可降低照光後臨界電壓偏移量，具備減少主動層損傷的優點。研究認為施加負偏壓後氧空缺向閘極漂移，降低與電子復合機率，使得自由電子有更多機會躍遷至導帶，因此臨界電壓漂移量比
單純照光、未施加負偏壓的實驗來得大。研究亦發現矽鋁氮氧化物薄膜具備修補主動層缺陷的能力，因此達到防止氧氣和水氣對元件電氣穩定性的影響。研究亦根據氧化鋁具有高電子表面密度，可吸引電洞、排斥電子的特性，解釋矽鋁氮氧化物做為鈍化層，照光後a-IGZO臨界電壓偏移程度降低的原因。矽鋁氮薄膜經退火處理後，形成矽鋁氮氧化物薄膜，可修補a-IGZO缺陷外，並可完全修復矽鋁氮氧化物薄膜的未鍵結鍵數量，降低未鍵結鍵對主動層提供電子能力，使得元件從導體狀態恢復半導體性質。研究發現增加矽鋁氮氧化物薄膜的鋁含量，或者增加薄膜厚度，均可達到與Al2O3薄膜相同的保護元件不受氧氣和水氣影響的效果。從隔絕氧氣、水氣、防止光
照等影響保護主動層效果的評比，本論文測試的Al2O3、SiO2及各種SiAlNO等鈍化層材料中，SiAlNO具有較佳的應用優勢，其中又以Si-30AlNO薄膜有較好的保護效果。