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這兩本書分別來自上海文藝出版社 和太升國際所出版 。
國立中正大學 電機工程研究所 黃崇勛所指導 劉冠宏的 藉由微型機器學習實現改善顯示器顯像品質之智慧樣本偵測 （2021），提出8k 關鍵因素是什麼，來自於時序控制器、串擾、半監督學習、微型機器學習。
而第二篇論文國立陽明交通大學 材料科學與工程學系所 吳欣潔、謝宗雍所指導 陳蔚璉的 鈦及鉭應用於銦鎵鋅氧化物薄膜電晶體電極之研究 （2021），提出因為有 薄膜電晶體、銦鎵鋅氧化物、源極與汲極、鈦、鉭的重點而找出了 8k 的解答。
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上升
為了解決8k 的問題，作者 這樣論述：
一個來自地獄底層的男人，登上大教堂一級又一級的台階。他的上升過程持續了許多年，他遇到很多不可思議的人，他們似乎都擁有一個額外的靈魂。他們中有人告訴他：理論學家堅信大教堂是一個活的有機體。還有一位畫家在等待他以便完成那幅畫作。當男人終於抵達頂層時，他將發現那個探索良久的啟示…… 馬克-安托萬·馬修(Marc-Antoine Mathieu)，1959年出生於法國昂熱，是歐洲獨樹一幟的藝術漫畫大師。作品曾獲得安古蘭國際漫畫節“心動獎”“最佳劇情獎”，瑞士謝爾漫畫節“最佳作品獎”和漫畫評論人與新聞人協會“最佳評論大獎”。他深受現代派文學和存在主義哲學的影響，其作品具有奇詭的
想象力和實驗性，每一部都令漫畫愛好者耳目一新。代表作品：《畫的秘密》《方向》《全民審判》《3秒》《盧浮地宮》以及《夢之囚徒》系列。
8k 進入發燒排行的影片
藉由微型機器學習實現改善顯示器顯像品質之智慧樣本偵測
為了解決8k 的問題，作者劉冠宏 這樣論述：
液晶顯示器(Liquid crystal displays, LCDs)自從取代了映像管顯示器(Cathode-Ray Tube, CRT) [1]已經佔領顯示器市場一大部分，儘管有機發光二極體(Organic Light-Emitting Diode, OLED)顯示器目前在某些應用上可以取代LCD，但仍然尚未普及；而不論是LCD 或是OLED 哪種顯示器，在顯像時都不是完美的，由於其發光原理的機制在某些顯像樣本會導致顯示器上的影像與顯像樣本不同，例如：LCD上的水平串擾[2]、OLED上的像素串擾[3]……，不僅僅是顯示器架構上會造成不同的顯像缺陷，不同產品的面板也有可能會有不同的原因而
造成顯像上的缺陷，而解決的辦法也不算太複雜，大部分的顯像樣本都可以用不同的驅動方式解決其顯像缺陷，如此一來癥結點就落在偵測特定的顯像樣本上，如此一來才能針對不同顯像樣本應用不同驅動方式。在現有的顯示器上已經有偵測顯像樣本的模組在其時序控制器中，以便輸出控制訊號給驅動積體電路，不過這類特定應用的積體電路一旦需要更換面板時，由於不同面板的顯像樣本亦不同，偵測模組需要重新設計，這也意味著時序控制器需要重新下線，成本自然就提高了；偵測模組的設計其實就只是分類器，偵測影像來源是否與該面板的顯像樣本相同，若是用影像分類的機器學習亦能取代其功能，機器學習在硬體上有著與傳統特定應用積體電路不同的優勢，架構相同
的硬體只需更換學習樣本，產出一組新的權重值，即可重複利用其硬體。利用這項優點實現不同面板搭配偵測模組時，不需重新下線，只需讓機器學習的模型重新產出權重值，更新硬體內部的權重值，即可得到不同分類的偵測模組，藉此減少成本。 在半監督學習(Semi-Supervised Learning)分類下的轉導推理(Transduction or Transductive Inference)[5]是將已知標記的樣本送入模型學習，讓模型判斷同樣但並未標記的樣本其標記為何，在樣本較少的基礎上仍能有較佳的分類結果，不論是樣本少，或是測試樣本即為訓練樣本，這兩點皆吻合本文機器學習的偵測樣本模組的應用場景，因此本文將
以轉導推理為基底且較少的訓練樣本數，並以輕量化的機器學習架構，實作出顯示器內時序控制器中進行影像分類，判斷不同面板顯像樣本的微型機器學習(Tiny ML)智慧偵測模組。
2023年彩色日曆橫 8K
為了解決8k 的問題，作者世一文化編輯群 這樣論述：
日曆是家庭及公司行號必備品，方便查閱當日吉凶宜忌、記錄重要事項（採加大記事欄）、規劃行程；內附各國美景、古蹟巡禮、生活小智慧等實用內容。 此款日曆每天都是彩色，還附吉祥喜氣的吊牌，是新春期間除舊布新的首選，精美又實用。 產品特色 版式簡潔大方，便利實用 每頁附各國風光、生活小智慧等 提供完整農民曆、吉凶宜忌 每日彩色，加大記事欄位
鈦及鉭應用於銦鎵鋅氧化物薄膜電晶體電極之研究
為了解決8k 的問題，作者陳蔚璉 這樣論述：
本研究探討鈦（Titanium，Ti）及鉭（Taltalum，Ta）作為銦鎵鋅氧化物（In-Ga-Zn-O，IGZO）薄膜電晶體（Thin-film Transistor，TFT）源極與汲極對元件之影響。研究第一部分利用傳輸線模型（Transmission Line Model，TLM）量測兩種金屬與IGZO薄膜界面在退火處理前後的特徵接觸電阻（Specific Contact Resistance，c），並以X光電子能譜儀（X-ray Photoelectron Spectroscopy，XPS）分析金屬與IGZO界面退火前後縱深組成變化。TLM分析結果顯示退火前Ti/IGZO之c值為
3.63×103 Ω∙cm2，Ta/IGZO為2.71×103 Ω∙cm2，經300°C、一小時退火可得Ti/IGZO最低c值為6.27×104 Ω∙cm2，Ta/IGZO為8.56×104 Ω∙cm2。XPS分析顯示退火前Ti/IGZO界面氧化態以Ti2+及Ti3+為主，退火後則為Ti3+及Ti4+；退火前Ta/IGZO界面氧化態為Ta3+及Ta4+，退火後兩者含量增加。退火後形成的氧化物也使氧缺陷增加，此同時提升載子濃度，使金屬與IGZO薄膜間c值降低。第二部分進行Ti-TFT及Ta-TFT元件分析，使用第一部分最低c值之退火溫度300°C，退火時間為一分鐘及一小時。Ti-T
FT的飽和遷移率（Saturation Mobility，sat）為1.57 cm2/Vsec，臨界電壓（Threshold Voltage，Vth）為7.72 V，電流開關比（On/Off Current Ratio，Ion/Ioff）為2.35×105，次臨界擺幅（Subthreshold Swing，SS）為0.86 V/decade；Ta-TFT之sat為18.3 cm2/Vsec，Vth值為2.3 V，Ion/Ioff為1.24×104，SS為2.1 V/decade。經300°C退火一分鐘及一小時後，Ti-TFT之SS為0.76及2.06 V/decade，Ion/Ioff
為3.75×104及2.64×103，Vth為5.6 V及1.48 V，sat為18.5 cm2/Vsec及41.0 cm2/Vsec。Ta-TFT退火後則失去元件特性。