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國立中央大學 環境工程研究所 蕭大智所指導 林璟琪的 微粒構形對靜電集塵式氣液介面暴露系統 效能之影響 （2016），提出330 tsi r-line關鍵因素是什麼，來自於奈米微粒構形、奈米毒性、ESP-ALI暴露系統、碎形維度、氣懸微粒質量分析儀。
而第二篇論文國立交通大學 電子研究所 莊景德所指導 謝建宇的 史密特觸發器為基礎操作在次臨界區以獨立閘極控制場效鰭狀電晶體之靜態隨機存取記憶體 （2010），提出因為有 靜態隨機存取記憶體、次臨界區域、鰭狀場效電晶體、抗製程變異的重點而找出了 330 tsi r-line的解答。
330 tsi r-line進入發燒排行的影片
繼上次試駕全新Volkswagen Arteon Fastback 330 TSI R-Line之後，本次為大家試駕的車款為Volkswagen Arteon Shooting Brake，與Fastback相同，車型編成有4個，而我們分配到的車型為最高規格的380 TSI R-Line Performance。在外觀的部分，Arteon非常具有辨識度的頭燈組，搭配著鍍鉻飾條包圍整個車身下緣；與330 TSI R-Line不同，380 TSI R-Line Performance搭配到20吋的鋁圈，使整體車身更具霸氣。
Arteon 380 TSI R-Line Performance在動力編成上搭載的是一具2.0升直列四缸汽油渦輪增壓引擎，最大馬力272匹，最大扭力有35.7公斤米，搭配DSG 7速的雙離合自手排變速箱，0-100km/h 5.9秒（Shooting Brake），四輪驅動。而若是在330 TSI R-Line的版本，最大馬力會來到190匹，最大扭力則有32.6公斤米，0-100km/h 7.9秒（Shooting Brake），前輪驅動。
在輔助駕駛配備的部分，Arteon也加入了Volkswagen的IQ.DRIVE 智能駕駛輔助系統，包括了ACC 主動式固定車距巡航系統、主動式車道修正輔助系統、XDS主動式電子防滑系統、車側盲點警示系統、車道維持及偏移警示系統、Front Assist 車前碰撞預警系統、MCB二次碰撞預煞系統、疲勞警示系統、RTA後方橫向車流警示系統。
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段落章節：
00:00 開頭
00:41 車輛介紹
02:49 外觀介紹
08:01 動力規格
09:23 空間機能
13:55 內裝配備
21:39 試駕心得
28:32 特別感謝
28:58 試駕花絮
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音樂來源：
Song: Amine Maxwell - Amelia
Music provided by Vlog No Copyright Music.
Creative Commons - Attribution 3.0 Unported
Video Link: https://youtu.be/N1jADSL290Y
Track: Growth, not Stagnation — Artificial.Music & Gator Tots [Audio Library Release]
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Watch: https://youtu.be/_fapksbGDZY
Free Download / Stream: https://alplus.io/growth-not-stagnation
Lethal by Lahar https://soundcloud.com/musicbylahar
Creative Commons — Attribution 3.0 Unported — CC BY 3.0
Free Download / Stream: http://bit.ly/-lethal
Music promoted by Audio Library https://youtu.be/B0BCvW3BLQ4
Track: Panama — Scandinavianz [Audio Library Release]
Music provided by Audio Library Plus
Watch: https://youtu.be/eJ2c50G7XHk
Free Download / Stream: https://alplus.io/panama
Track: Rainforest — Vendredi [Audio Library Release]
Music provided by Audio Library Plus
Watch: https://youtu.be/8s2gIOsxMok
Free Download / Stream: https://alplus.io/rainforest
The Universe Needs by Sapajou https://soundcloud.com/sapajoubeats
Creative Commons — Attribution 3.0 Unported — CC BY 3.0
Free Download / Stream: http://bit.ly/-the-universe-needs
Music promoted by Audio Library https://youtu.be/eJoHhlsBKQ4
Possibilites by Jay Someday https://soundcloud.com/jaysomeday
Creative Commons — Attribution 3.0 Unported — CC BY 3.0
Free Download / Stream: http://bit.ly/-possibilites
Music promoted by Audio Library https://youtu.be/5i_3A2WQtYA
Track: Lucid — Metro Vice [Audio Library Release]
Music provided by Audio Library Plus
Watch: https://youtu.be/b2ryQCisQvg
Free Download / Stream: https://alplus.io/lucid
微粒構形對靜電集塵式氣液介面暴露系統 效能之影響
為了解決330 tsi r-line 的問題，作者林璟琪 這樣論述：
近年來，靜電集塵式氣液界面(ESP-ALI)暴露系統已逐漸發展為評估環境中及工業製程等來源之奈米微粒毒性的重要工具之一。一般而言，過去研究主要以球形微粒進行ESP-ALI暴露系統性能之研究。然而大氣中大部分微粒並非完美的球形，且文獻亦指出微粒構形可能影響其收集效率及細胞暴露毒性，例如板狀石墨烯奈米材料常以近乎垂直角度貫穿所暴露之細胞，可能對細胞骨架組織造成物理性傷害。本研究為探討微粒構形對ESP-ALI暴露系統性能之影響，分別以電移動度分析儀(Differential Mobility Analyzer, DMA)篩選出單粒徑之球形蔗糖微粒、非球形奈米黑碳微粒及奈米銀微粒進行ESP-ALI貫
穿率實驗，並計算微粒於不同實驗操作條件下之貫穿率或收集效率。同時利用DMA-APM串聯系統即時量測微粒質量，並以碎形維度(Fractal dimension, Df)參數量化奈米氣膠微粒構形。結果顯示微粒通過ESP-ALI暴露系統的貫穿率隨著粒徑下降而下降，並隨施加電壓上升而下降。利用無因次速度比(Vc/Vavg,r)作為轉換參數，細懸浮微粒(dp= 100-250 nm)在不同操作條件下的貫穿率可轉換為高相關性的特徵指數遞減曲線。因此，只要已知微粒的轉換參數值，就可透過此特徵曲線獲得不同帶電量之微粒通過ESP-ALI暴露系統的貫穿率。不同構形之超細懸浮微粒(dp< 100 nm)在ESP-A
LI暴露系統中性能相似，但此粒徑範圍下擴散所造成的損失不可忽略。而在細懸浮微的粒徑範圍下，奈米黑碳聚集體(Df= 2.29)的的收集效率高於球形蔗糖微粒。這可能是由於電場和流場分別引起的微粒對準效應於ESP-ALI暴露系統中同時影響不規則奈米黑碳聚集體之運動傳輸行為。此外，本研究進一步提出利用Deutsch理論模式及實驗數據進行擬合所得到的二次曲線，預測不同微粒構形及操作條件下ESP-AL暴露系統的性能。
史密特觸發器為基礎操作在次臨界區以獨立閘極控制場效鰭狀電晶體之靜態隨機存取記憶體
為了解決330 tsi r-line 的問題，作者謝建宇 這樣論述：
本論文提出了利用獨立閘極操作鰭狀場效電晶體操作在次臨界區以史密特觸發器為基礎的三種新穎的靜態隨機存取記憶體單元。這三種8T記憶體單元(IG_STs)利用獨立閘極特性鰭狀場效電晶體，前端閘極當作是推疊的電晶體；後端閘極當作是中間的節點來產生史密特觸發器內建回饋的機制。成功減少了電晶體數目以及縮小了面積，並且得到較佳的靜態雜訊邊界(SNM)值和對製程飄移及本質參數變異-線邊緣粗糙程度(Line Edge Roughness)有更佳的容忍度。 經由3D mixed-mode元件模擬器(TCAD)得知SNM值、靜止狀態漏電流值，並跟傳統6T及過去文獻上(ST1、ST2)的類似記憶體單元做比較。
跟6T比較操作在0.4V時，讀取時靜態雜訊邊界(RSNM)增加了81%並且操作在更低電壓(0.15V)同時更增加了110%。根據32奈米節點的佈局規則，從實際佈局圖中得知這三種記憶體單元(IG_STs)有著比過去文獻中(ST1，ST2)更好的密度的優勢。另外記憶體單元的讀取、寫入時間、讀取時間因為同一條位元線其它非選取到記憶體細胞在讀取的同時由於其儲存的資料內容經由位元線漏電流造成讀取失敗的效應也都模擬了，此外加上溫度效應去看因漏電流的增加所導致不同的讀取時間。結果顯示出是符合操作在次臨界區域所要求的速度。 由於操作在次臨界區必須更關注於記憶體單元的穩定度，於是在本質參數變異部分我們考慮
了線邊緣的粗糙程度( Gate – ,and Fin – Line Edge Roughness) 和功函數變異程度(Work Function Variability)並且利用3D mixed-mode蒙地卡羅模擬來檢驗其穩定度。此外更加上了考慮製程飄移(Leff, EOT, Wfin(Tsi,) and Hfin)而導致的變異可更系統性的來看其穩定度，結果可以得知在最差的製程飄移條件之下(FNSP)，我們提出的兩種新記憶體單元仍然能滿足足夠的μ/σ的比例。